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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第883页 > BF2040W
BF2040...
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压5 V
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BF2040
BF2040R
BF2040W
最大额定值
参数
包
SOT143
SOT143
SOT343
1=S
1=D
1=D
2=D
2=S
2=S
引脚配置
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
记号
NFS
NFS
NF
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
合计
价值
8
20
10
7
200
200
单位
V
mA
V
mW
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
1号门（外部偏置）
总功耗
T
S
≤
76 ° C， BF2040 ， BF2040R
T
S
≤
94 ° C， BF2040W
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
BF2040 ， BF2040R
BF2040W
T
英镑
T
ch
符号
R
thChS
-55 ... 150
150
°C
价值
≤
370
≤
280
单位
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Feb-25-2004
BF2040...
电气特性
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 20 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源漏电流
V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 100
k
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
V
G2S(p)
0.3
0.7
-
V
G1S(p)
0.3
0.6
-
V
I
DSX
-
15
-
mA
I
DSS
-
-
50
A
+I
G2SS
-
-
50
+I
G1SS
-
-
50
nA
+V
(BR)G2SS
6
-
15
+V
(BR)G1SS
6
-
15
V
（ BR ） DS
10
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Feb-25-2004
BF2040...
电气特性
参数
符号
分钟。
AC特性
- （通过随机抽样核实）
正向跨导
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
功率增益
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
噪声系数
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 ...0 V ,
f
= 800 GHz的
G
p
45
50
-
F
-
1.6
2.2
dB
G
p
20
23
-
dB
C
DSS
-
1.6
-
C
g1ss
-
2.9
3.4
pF
g
fs
37
42
-
mS
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Feb-25-2004
BF2040...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF2040 ， BFD2040R
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF2040W
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
28
mA
24
22
20
输出特性
I
D
=
(V
DS
)
V
G2S
= 4 V
V
G1S
=参数
26
mA
22
20
18
1.3V
1.4V
I
D
I
D
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
A
16
14
12
10
8
6
4
2
1V
1.1V
1.2V
90
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
I
G1
V
DS
4
Feb-25-2004
BF2040...
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
195
A
4V
1号门正向跨导
g
fs
=
(I
D
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
45
mS
4V
165
150
135
3.5V
35
30
25
20
2.5V
3.5V
3V
2.5V
2V
I
G1
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
2V
3V
g
fs
15
10
5
0
0
3.2
4
8
12
16
20
24
28
32
mA
40
V
G1S
I
D
漏电流
I
D
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
28
mA
24
22
20
4V
3V
漏电流
I
D
=
(V
GG
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V,
R
G1
= 80k
（连接到
V
GG,
V
GG = GATE1电源电压）
16
mA
12
I
D
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
V
1.5V
2V
I
D
18
10
8
6
4
2
2
0
0
1
2
3
V
5
V
G1S
V
GG
5
Feb-25-2004
BF 2040W
硅N沟道MOSFET四极管
初步数据
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压5V
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范
TYPE
订购代码标识
Q62702-F1776
引脚配置
1=D
2=S
3 = G1
4 = G2
包
SOT-343
BF 2040W纳米晶
最大额定值
参数
漏源电压
符号
价值
14
40
10
7
200
-55 ...+150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
V
DS
I
D
±
I
G1/2SM
+
V
G1SE
连续的漏电流
门1 /门2的峰值电流源
1号门（外部偏置）
总功耗，
T
S
= 94 °C
储存温度
通道温度
P
合计
T
英镑
T
ch
热阻
道 - 焊接点
R
thChS
≤280
K / W
半导体集团
半导体集团
1
1
Jun-05-1998
1998-11-01
BF 2040W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
典型值。
12
8.5
8.5
-
-
-
15
0.6
0.7
马克斯。
-
-
-
50
50
-
-
-
-
单位
V
（ BR ） DS
+V
(BR)G1SS
+V
(BR)G2SS
+
I
G1SS
+I
G2SS
-
-
-
-
-
-
-
0.3
0.3
V
I
D
= 650 μA ， -V
G1S
= 4 V, -
V
G2S
= 4 V
1号门 - 源极击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
=
V
DS
= 0
1号门源电流
nA
V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= 0 V
2号门源漏电流
V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
I
DSS
I
DSX
V
G2S(p)
V
G1S(p)
A
mA
V
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 4 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 40 k
2号门源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
1号门源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
AC特性
正向跨导
g
fs
C
g1ss
-
-
45
3.7
-
-
mS
pF
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V
1号门的输入电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
输出电容
C
DSS
-
2.3
-
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
-
2
-
dB
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
f
= 800兆赫
半导体集团
半导体集团
2
2
Jun-05-1998
1998-11-01
BF2040...
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压5 V
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF2040
BF2040R
BF2040W
包
SOT143
SOT143R
SOT343
1=S
1=D
1=D
2=D
2=S
2=S
引脚配置
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
记号
NFS
NFS
NFS
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
1号门（外部偏置）
总功耗
T
S
≤
76 ° C， BF2040 ， BF2040R
T
S
≤
94 ° C， BF2040W
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
BF2040 ， BF2040R
BF2040W
1
为
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
合计
价值
8
40
10
7
200
200
单位
V
mA
V
mW
T
英镑
T
ch
符号
R
thChS
-55 ... 150
150
°C
价值
≤
370
≤
280
单位
K / W
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
1
2007-06-01
BF2040...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 20 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源漏电流
V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 100 k
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
V
G2S(p)
0.3
0.7
-
V
G1S(p)
0.3
0.6
-
V
I
DSX
-
15
-
mA
I
DSS
-
-
50
A
+I
G2SS
-
-
50
+I
G1SS
-
-
50
nA
+V
(BR)G2SS
6
-
15
+V
(BR)G1SS
6
-
15
V
（ BR ） DS
10
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
2007-06-01
BF2040...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
- （通过随机抽样核实）
正向跨导
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 10 MHz的
输出电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 10 MHz的
功率增益
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
噪声系数
V
DS
= 5 V,
I
D
= 15毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 ...0 V ,
f
= 800 GHz的
G
p
45
50
-
F
-
1.6
2.2
dB
G
p
20
23
-
dB
C
DSS
-
1.6
-
C
g1ss
-
2.9
3.4
pF
g
fs
37
42
-
mS
值
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-06-01
BF2040...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF2040 ， BFD2040R
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF2040W
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
28
mA
24
22
20
输出特性
I
D
=
(V
DS
)
V
G2S
= 4 V
V
G1S
=参数
26
mA
22
20
18
1.3V
1.4V
I
D
I
D
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
A
16
14
12
10
8
6
4
2
1V
1.1V
1.2V
90
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
I
G1
V
DS
4
2007-06-01
BF2040...
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
195
A
4V
1号门正向跨导
g
fs
=
(I
D
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
45
mS
4V
165
150
135
3.5V
35
30
25
20
2.5V
3.5V
3V
2.5V
2V
I
G1
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
2V
3V
g
fs
15
10
5
0
0
3.2
4
8
12
16
20
24
28
32
mA
40
V
G1S
I
D
漏电流
I
D
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
28
mA
24
22
20
4V
3V
漏电流
I
D
=
(V
GG
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V,
R
G1
= 80k
（连接到
V
GG,
V
GG = GATE1电源电压）
16
mA
12
I
D
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
V
1.5V
2V
I
D
18
10
8
6
4
2
2
0
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1
2
3
V
5
V
G1S
V
GG
5
2007-06-01
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