分立半导体
数据表
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
N沟道双栅极的MOS- FET的
产品speci fi cation
2003年11月14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
特点
具有较高的正向传输短沟道晶体管
纳输入电容比
低噪声增益控制放大器
出色的低频噪声性能
部分内部自偏置电路，以确保良好的
AGC和好时的交叉调制性能
DC稳定。
应用
增益控制的低噪声VHF和UHF放大器
5 V数字和模拟电视调谐器的应用程序。
描述
增强型与N沟道场效应晶体管
源和基体相互关联的。集成的二极管
门和源极之间防止过高的输入
电压浪涌。该BF1212 ， BF1212R和BF1212WR
被封装在所述SOT143B ， SOT143R和
SOT343R塑料封装分别。
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
钉扎
针
1
2
3
4
来源
漏
门2
门1
描述
手册， 2列
4
3
1
顶视图
2
MSB014
BF1212 ;标记代码：
LGP
Fig.1简化外形（ SOT143B ） 。
手册， 2列
3
4
手册， halfpage
3
4
2
顶视图
BF1212R ;标记代码：
LKP
1
2
MSB035
1
MSB842
顶视图
BF1212WR ;标记代码：
ML
图2简体外形（ SOT143R ） 。
图3简体外形（ SOT343R ） 。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
结温
2
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
输入电平对于k = 1 ％
40分贝AGC
条件
28
100
分钟。
33
1.7
15
1.1
104
典型值。
6
30
180
43
2.2
30
1.8
150
马克斯。
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
2003年11月14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
订购信息
包
类型编号
名字
BF1212
BF1212R
BF1212WR
描述
塑料表面贴装封装; 4引线
塑料表面贴装封装;反向牵制; 4引线
塑料表面贴装封装;反向牵制; 4引线
VERSION
SOT143B
SOT143R
SOT343R
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
门1电流
门2的电流
总功耗
BF1212 ; BF1212R
BF1212WR
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
BF1212 ; BF1212R
BF1212WR
参数
热阻结到焊接点
185
155
K / W
K / W
价值
单位
储存温度
结温
T
s
≤
116
°C;
注1
T
s
≤
122
°C;
注1
65
180
180
+150
150
mW
mW
°C
°C
条件
分钟。
6
30
±10
±10
马克斯。
V
mA
mA
mA
单位
2003年11月14
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
手册， halfpage
250
MDB828
P合计
（ mW）的
200
150
(2)
(1)
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
（1） BF1212WR 。
（2） BF1212 ; BF1212R 。
图4功率降额曲线。
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
G1-S
= V
G2-S
= 0 V ;我
D
= 10
A
V
G2-S
= V
DS
= 0 V ;我
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0 V ;我
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0 V ;我
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0 V ;我
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G1-S
= 5 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;
G1
= 150 k;
注1
V
G2-S
= V
DS
= 0 V; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0 V; V
G2-S
= 4 V
分钟。
6
6
6
0.5
0.5
0.3
0.35
8
马克斯。
10
10
1.5
1.5
1.0
1.0
16
50
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
nA
nA
V
(BR)G1-SS
1号门 - 源极击穿电压
V
(BR)G2-SS
2号门 - 源极击穿电压
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
I
G1-S
I
G2-S
记
1. R
G1
连接摹
1
到V
GG
= 5 V.
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
2号门源阈值电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
2003年11月14
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 12毫安;除非另有规定ED 。
符号
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
OSS
C
RSS
F
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
输出电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 11 MHz的;
S
= 20毫秒; B
S
= 0
F = 400 MHz的;
S
= Y
S（ OPT ）
F = 800 MHz的;
S
= Y
S（ OPT ）
G
tr
功率增益
F = 200 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
S（ OPT ）
;
G
L
= 0.5毫秒; B
L
= B
L（ OPT ）
F = 400 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
S（ OPT ）
;
G
L
= 1毫秒; B
L
= B
L（ OPT ）
F = 800 MHz的;
S
= 3.3毫秒; B
S
= B
S（ OPT ）
;
G
L
= 1毫秒; B
L
= B
L（ OPT ）
X
MOD
交叉调制
输入电平对于k = 1％ ; F
w
= 50 MHz的;
f
UNW
= 60 MHz的;注1
在0dB的AGC
在10分贝AGC
在40分贝AGC
记
1.测量测试电路图21 。
90
100
89
104
dBμV的
dBμV的
dBμV的
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
28
典型值。
33
1.7
1.1
0.9
15
4
0.9
1.1
35
30
25
马克斯。
43
2.2
30
1.6
1.8
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
反向传输电容F = 1兆赫
2003年11月14
5
分立半导体
数据表
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
N沟道双栅极的MOS- FET的
产品speci fi cation
2003年11月14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
特点
具有较高的正向传输短沟道晶体管
纳输入电容比
低噪声增益控制放大器
出色的低频噪声性能
部分内部自偏置电路，以确保良好的
AGC和好时的交叉调制性能
DC稳定。
应用
增益控制的低噪声VHF和UHF放大器
5 V数字和模拟电视调谐器的应用程序。
描述
增强型与N沟道场效应晶体管
源和基体相互关联的。集成的二极管
门和源极之间防止过高的输入
电压浪涌。该BF1212 ， BF1212R和BF1212WR
被封装在所述SOT143B ， SOT143R和
SOT343R塑料封装分别。
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
钉扎
针
1
2
3
4
来源
漏
门2
门1
描述
手册， 2列
4
3
1
顶视图
2
MSB014
BF1212 ;标记代码：
LGP
Fig.1简化外形（ SOT143B ） 。
手册， 2列
3
4
手册， halfpage
3
4
2
顶视图
BF1212R ;标记代码：
LKP
1
2
MSB035
1
MSB842
顶视图
BF1212WR ;标记代码：
ML
图2简体外形（ SOT143R ） 。
图3简体外形（ SOT343R ） 。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
结温
2
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
输入电平对于k = 1 ％
40分贝AGC
条件
28
100
分钟。
33
1.7
15
1.1
104
典型值。
6
30
180
43
2.2
30
1.8
150
马克斯。
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
2003年11月14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
订购信息
包
类型编号
名字
BF1212
BF1212R
BF1212WR
描述
塑料表面贴装封装; 4引线
塑料表面贴装封装;反向牵制; 4引线
塑料表面贴装封装;反向牵制; 4引线
VERSION
SOT143B
SOT143R
SOT343R
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
门1电流
门2的电流
总功耗
BF1212 ; BF1212R
BF1212WR
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
BF1212 ; BF1212R
BF1212WR
参数
热阻结到焊接点
185
155
K / W
K / W
价值
单位
储存温度
结温
T
s
≤
116
°C;
注1
T
s
≤
122
°C;
注1
65
180
180
+150
150
mW
mW
°C
°C
条件
分钟。
6
30
±10
±10
马克斯。
V
mA
mA
mA
单位
2003年11月14
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
手册， halfpage
250
MDB828
P合计
（ mW）的
200
150
(2)
(1)
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
（1） BF1212WR 。
（2） BF1212 ; BF1212R 。
图4功率降额曲线。
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
G1-S
= V
G2-S
= 0 V ;我
D
= 10
A
V
G2-S
= V
DS
= 0 V ;我
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0 V ;我
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0 V ;我
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0 V ;我
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G1-S
= 5 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;
G1
= 150 k;
注1
V
G2-S
= V
DS
= 0 V; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0 V; V
G2-S
= 4 V
分钟。
6
6
6
0.5
0.5
0.3
0.35
8
马克斯。
10
10
1.5
1.5
1.0
1.0
16
50
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
nA
nA
V
(BR)G1-SS
1号门 - 源极击穿电压
V
(BR)G2-SS
2号门 - 源极击穿电压
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
I
G1-S
I
G2-S
记
1. R
G1
连接摹
1
到V
GG
= 5 V.
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
2号门源阈值电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
2003年11月14
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1212 ; BF1212R ; BF1212WR
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 12毫安;除非另有规定ED 。
符号
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
OSS
C
RSS
F
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
输出电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 11 MHz的;
S
= 20毫秒; B
S
= 0
F = 400 MHz的;
S
= Y
S（ OPT ）
F = 800 MHz的;
S
= Y
S（ OPT ）
G
tr
功率增益
F = 200 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
S（ OPT ）
;
G
L
= 0.5毫秒; B
L
= B
L（ OPT ）
F = 400 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
S（ OPT ）
;
G
L
= 1毫秒; B
L
= B
L（ OPT ）
F = 800 MHz的;
S
= 3.3毫秒; B
S
= B
S（ OPT ）
;
G
L
= 1毫秒; B
L
= B
L（ OPT ）
X
MOD
交叉调制
输入电平对于k = 1％ ; F
w
= 50 MHz的;
f
UNW
= 60 MHz的;注1
在0dB的AGC
在10分贝AGC
在40分贝AGC
记
1.测量测试电路图21 。
90
100
89
104
dBμV的
dBμV的
dBμV的
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
28
典型值。
33
1.7
1.1
0.9
15
4
0.9
1.1
35
30
25
马克斯。
43
2.2
30
1.6
1.8
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
反向传输电容F = 1兆赫
2003年11月14
5
QQ：2880707522 复制
