分立半导体
数据表
BF1202 ; BF1202R ; BF1202WR
N沟道双栅POLO
MOS- FET的
产品speci fi cation
取代1999年的数据12月1日
2000年03月29
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
特点
具有较高的短沟道晶体管
向前转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
部分内部自偏置电路
保证良好的交叉调制
AGC和良好的业绩时
DC稳定。
应用
VHF和UHF应用
3至9伏的电源电压，如
数字和模拟电视
调谐器和专业
通信设备。
手册， 2列
4
BF1202 ; BF1202R ;
BF1202WR
钉扎
针
1
2
3
4
描述
来源
漏
门2
门1
顶视图
MSB035
手册， 2列
3
4
2
1
BF1202R标记的代码：
LEP
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
3
页面
3
4
描述
增强型N沟道
与源极的场效应晶体管和
基板互连。集成
门和源极之间的二极管
防止过高的输入
电压浪涌。该BF1202 ，
BF1202R和BF1202WR是
封装在SOT143B ，
SOT143R和SOT343R塑料
分别包。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
工作结温
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
2000年03月29
2
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
输入电平对于k = 1 ％
40分贝AGC
条件
25
100
分钟。
30
1.7
15
1.1
105
典型值。
马克斯。
10
30
200
40
2.2
30
1.8
150
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB842
BF1202标记的代码：
LDP
BF1202WR标记的代码：
LE
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
BF1202 ; BF1202R
BF1202WR
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
BF1202 ; BF1202R
BF1202WR
参数
热阻结到焊接点
储存温度
工作结温
T
s
≤
113
°C;
注1
T
s
≤
119
°C;
注1
条件
BF1202 ; BF1202R ;
BF1202WR
分钟。
马克斯。
10
30
±10
±10
200
200
+150
150
V
单位
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
65
价值
185
155
单位
K / W
K / W
250
手册， halfpage
P合计
（ mW）的
200
MCD951
(2)
(1)
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
（1） BF1202WR 。
（2） BF1202 ; BF1202R 。
图4功率降额曲线。
2000年03月29
3
分立半导体
数据表
BF1202 ; BF1202R ; BF1202WR
N沟道双栅POLO
MOS- FET的
产品speci fi cation
取代2000年的数据03月29日
2010年09月16
恩智浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
特点
具有较高的短沟道晶体管
向前转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
部分内部自偏置电路
保证良好的交叉调制
AGC和良好的业绩时
DC稳定。
应用
VHF和UHF应用
3至9伏的电源电压，如
数字和模拟电视
调谐器和专业
通信设备。
描述
增强型N沟道
与源极的场效应晶体管和
基板互连。集成
门和源极之间的二极管
防止过高的输入
电压浪涌。该BF1202 ，
BF1202R和BF1202WR是
封装在SOT143B ，
SOT143R和SOT343R塑料
分别包。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪声系数
交叉调制
工作结温
小心
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
钉扎
针
1
2
3
4
BF1202 ; BF1202R ; BF1202WR
描述
来源
漏
门2
门1
手册， 2列
3
4
2
顶视图
1
MSB035
标识代码的传说：
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
BF1202R标记的代码：
LE *
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
手册， 2列
4
3
lfpage
3
4
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB842
BF1202标记的代码：
LD *
BF1202WR标记的代码：
LE *
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
30
200
40
2.2
30
1.8
150
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
C
25
100
30
1.7
15
1.1
105
输入电平对于k = 1 ％
40分贝AGC
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。
2010年09月16
2
恩智浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
BF1202 ; BF1202R ; BF1202WR
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
BF1202 ; BF1202R
BF1202WR
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
BF1202 ; BF1202R
BF1202WR
参数
热阻结到焊接点
185
155
K / W
K / W
价值
单位
储存温度
工作结温
T
s
113
C;
注1
T
s
119
C;
注1
65
200
200
+150
150
mW
mW
C
C
条件
分钟。
马克斯。
10
30
10
10
V
mA
mA
mA
单位
250
手册， halfpage
P合计
（ mW）的
200
MCD951
(2)
(1)
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
（1） BF1202WR 。
（2） BF1202 ; BF1202R 。
图4功率降额曲线。
2010年09月16
3
恩智浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
静态特性
T
j
= 25
C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
BF1202 ; BF1202R ; BF1202WR
条件
V
G1-S
= V
G2-S
= 0; I
D
= 10
A
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G1-S
= 5 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;
G1
= 120 k;
注1
V
G2-S
= V
DS
= 0; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 4 V
分钟。
10
6
6
0.5
0.5
0.3
0.3
8
马克斯。
1.5
1.5
1.0
1.2
16
50
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
nA
nA
V
(BR)G1-SS
1号门 - 源极击穿电压
V
(BR)G2-SS
2号门 - 源极击穿电压
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
I
G1-SS
I
G2-SS
记
1. R
G1
连接摹
1
到V
GG
= 5 V.
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
2号门源阈值电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
C;
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 12毫安;除非另有规定ED 。
符号
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
OSS
C
RSS
F
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
输出电容
噪声系数
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 10.7兆赫;
S
= 20毫秒; B
S
= 0
F = 400 MHz的;
S
= Y
S选择
F = 800 MHz的;
S
= Y
S选择
G
tr
功率增益
F = 200 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
S选择
;
G
L
= 0.5毫秒; B
L
= B
L选择
F = 400 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
S选择
;
G
L
= 1毫秒; B
L
= B
L选择
F = 800 MHz的;
S
= 3.3毫秒; B
S
= B
S选择
;
G
L
= 1毫秒; B
L
= B
L选择
X
MOD
交叉调制
输入电平对于k = 1％ ; F
w
= 50 MHz的;
f
UNW
= 60 MHz的;注1
在0dB的AGC
在10分贝AGC
在40分贝AGC
记
1.测量图21测试电路。
90
100
92
105
dBμV的
dBμV的
dBμV的
条件
脉冲;吨
j
= 25
C
分钟。
25
典型值。
30
1.7
1
0.85
15
9
0.9
1.1
34.5
30.5
26.5
马克斯。
40
2.2
30
11
1.5
1.8
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
反向传输电容F = 1兆赫
2010年09月16
4
恩智浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
BF1202 ; BF1202R ; BF1202WR
手册， halfpage
20
MCD952
ID
VG2-S
=
4 V
3.5 V
3V
2.5 V
手册， halfpage
24
MCD953
（MA ）
16
2V
ID
（MA ）
16
VG1-S
=
1.5 V
1.4 V
1.3 V
12
8
1.5 V
8
1.2 V
1.1 V
1V
4
1V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
VG1 -S （V）的
0
0
2
4
6
8
0.9 V
10
VDS （ V）
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
图5传输特性;典型值。
图6输出特性;典型值。
手册， halfpage
100
MCD954
IG1
(μA)
VG2-S
=
4 V
3.5 V
3V
手册， halfpage
40
MCD955
YFS
（女士）
30
VG2-S
=
4 V
3.5 V
80
3V
60
2.5 V
20
2.5 V
40
2V
10
20
1.5 V
0
0
0.5
1
1.5
1V
2V
0
2
2.5
VG1 -S （V）的
0
4
8
12
16
20
ID （MA ）
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
Fig.7
1号门电流门1的功能
电压;典型值。
Fig.8
正向转移导纳的功能
漏电流;典型值。
2010年09月16
5
QQ：2880707522 复制
