分立半导体
数据表
BF1201 ; BF1201R ; BF1201WR
N沟道双栅POLO
MOS- FET的
产品speci fi cation
取代1999年的数据12月1日
2000年03月29
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
特点
具有较高的短沟道晶体管
向前转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
部分内部自偏置电路
保证良好的交叉调制
AGC和良好的业绩时
DC稳定。
应用
VHF和UHF应用
3至9伏的电源电压，如
数字和模拟电视
调谐器和专业
通信设备。
手册， 2列
4
BF1201 ; BF1201R ;
BF1201WR
钉扎
针
1
2
3
4
描述
来源
漏
门2
门1
顶视图
MSB035
手册， 2列
3
4
2
1
BF1201R标记的代码：
LBP
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
3
页面
3
4
描述
增强型N沟道
与源极的场效应晶体管和
基板互连。集成
门和源极之间的二极管
防止过高的输入
电压浪涌。该BF1201 ，
BF1201R和BF1201WR是
封装在SOT143B ，
SOT143R和SOT343R塑料
分别包。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
工作结温
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
2000年03月29
2
F = 1 MHz的
F = 400 MHz的
输入电平对于k = 1 ％
40分贝AGC
条件
23
105
分钟。
28
2.6
15
1
典型值。
马克斯。
10
30
200
35
3.1
30
1.8
150
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB842
BF1201标记的代码：
一圈。
BF1201WR标记的代码：
LA
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS POLO - FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
门1电流
门2的电流
总功耗
BF1201 ; BF1201R
BF1201WR
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
BF1201 ; BF1201R
BF1201WR
参数
热阻结到焊接点
储存温度
工作结温
T
s
≤
113
°C;
注1
T
s
≤
109
°C;
注1
条件
BF1201 ; BF1201R ;
BF1201WR
分钟。
马克斯。
10
30
±10
±10
200
200
+150
150
V
单位
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
65
价值
185
155
单位
K / W
K / W
250
手册， halfpage
P合计
（ mW）的
200
MCD934
(2)
(1)
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
（1） BF1201WR 。
（2） BF1201和BF1201R 。
图4功率降额曲线。
2000年03月29
3
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