分立半导体
数据表
BF1109 ; BF1109R ; BF1109WR
N沟道双栅极的MOS- FET的
产品speci fi cation
取代1997年的数据9月3日
在分离式半导体文件， SC07
1997年12月8日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
特点
具有较高的短沟道晶体管
向前转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
高达1 GHz
内部自偏电路，以
保证良好的交叉调制
AGC和良好的业绩时
DC稳定。
应用
VHF和UHF应用与9 V
电源电压，如电视
调谐器和专业
通信设备。
4
3
BF1109 ; BF1109R ; BF1109WR
钉扎
针
1
2
3
4
描述
来源
漏
门2
门1
顶视图
MSB035
手册， 2列
3
4
2
1
BF1109R标记的代码：
NBP 。
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
fpage
3
4
描述
增强型N沟道
与源极的场效应晶体管和
基板互连。集成
门和源极之间的二极管
防止过高的输入
电压浪涌。该BF1109 ，
BF1109R和BF1109WR是
封装在SOT143B ，
SOT143R和SOT343R塑料
分别包。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
工作结温
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
T
AMB
≤
80
°C
条件
分钟。
典型值。
30
2.2
25
1.5
马克斯。
11
30
200
2.7
40
2.5
150
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB842
BF1109标记的代码：
NFP 。
BF1109WR标记的代码：
NB 。
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
输入电平为K = 1 ％时40分贝AGC 100
1997年12月8日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一个印刷电路板。
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
T
AMB
≤
80
°C;
注1
BF1109 ; BF1109R ; BF1109WR
条件
分钟。
马克斯。
11
30
±10
±10
200
+150
+150
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
65
MGM243
手册， halfpage
250
P合计
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
TAMB （ ° C）
图4功率降额曲线。
1997年12月8日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板。
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
参数
从结点到环境的热阻在自由空气
热阻结到焊接点
BF1109 ; BF1109R ; BF1109WR
条件
注1
价值
350
200
单位
K / W
K / W
条件
V
G1-S
= V
G2-S
= 0; I
D
= 10
A
V
G2-S
= 0; I
G1-S
= 10
A;
I
D
= 0
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 10
A
V
G1-S
= 9 V; V
DS
= 9 V ;我
D
= 20
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 9 V
V
G1-S
= 9 V; V
G2-S
= 0; I
D
= 0
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 9 V
分钟。
11
11
11
0.3
8
马克斯。
1.2
16
20
20
单位
V
V
V
V
mA
nA
nA
V
(BR)G1-SS
1号门 - 源极击穿电压
V
(BR)G2-SS
2号门 - 源极击穿电压
V
G2 -S （ TH）
I
DSX
I
G1-SS
I
G2-SS
2号门源阈值电压
自偏置漏电流
门1的截止电流
门2的截止电流
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 9 V ;自偏置电流;除非另有规定。
符号
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
OSS
C
RSS
F
G
p
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
输出电容
噪音科幻gure
功率增益
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的;
S
= Y
S选择
G
S
= 2毫秒; B
S
= B
S选择
; G
L
= 0.5毫秒;
B
L
= B
L选择
; F = 200 MHz的;见图16
G
S
= 3.3毫秒; B
S
= B
S选择
; G
L
= 1毫秒;
B
L
= B
L选择
; F = 800 MHz的;见图17
X
MOD
交叉调制
输入电平为K = 1在0dB AGC ％ ;
f
w
= 50 MHz的; F
UNW
= 60 MHz的;见图18
输入电平为K = 1时40分贝AGC ％ ;
f
w
= 50 MHz的; F
UNW
= 60 MHz的;见图18
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
24
85
100
典型值。
30
2.2
1.5
1.3
25
1.5
38
20
马克斯。
2.7
40
2.5
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
dB
dBμV的
dBμV的
反向传输电容F = 1兆赫
1997年12月8日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1109 ; BF1109R ; BF1109WR
手册， halfpage
25
MDA613
手册， halfpage
40
MDA614
ID
（MA ）
20
VG1 = 1.6 V
1.5 V
15
1.4 V
10
1.3 V
1.2 V
5
1.1 V
1V
0
0
2
4
6
8
10
VDS （ V）
ID
（MA ）
30
VG2 -S = 4 V
3.5 V
3V
2.5 V
20
2V
10
1.5 V
0
0
0.5
1
1.5
2
1V
2.5
VG1 （ V）
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°C.
V
DS
= 9 V.
T
j
= 25
°C.
图5输出特性;典型值。
图6传输特性;典型值。
MDA615
手册， halfpage
40
手册， halfpage
16
MDA616
YFS
（女士）
30
VG2 -S = 4 V
3.5 V
ID
（MA ）
12
(1) (2) (3)
3V
20
8
(4)
10
4
2V
0
0
10
20
2.5 V
0
ID （MA ）
30
0
1
2
3
4
5
VG2 -S （V）的
V
DS
= 9 V.
T
j
= 25
°C.
(1) V
DS
= 9 V.
(2) V
DS
= 7 V.
(3) V
DS
= 5 V.
(4) V
DS
= 3 V.
Fig.7
正向转移导纳的功能
漏电流;典型值。
Fig.8
漏电流作为栅2的函数
电压;典型值。
1997年12月8日
5
QQ：2881677436 复制
