飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道单栅MOS - FET的
特点
无电流RF开关。
应用
各个射频开关应用如:
- 通过对VCR的调谐器无源环路
- 收发器的开关。
描述
的BF1107和BF1107W是耗尽型场效应
分别采用SOT23晶体管和SOT323封装。
这样做的低损耗和高隔离能力
MOS -FET提供优异的RF开关的功能。
栅极和源极之间和之间的集成二极管
栅极和漏极防止过高的输入电压
浪涌。漏极和源是可以互换的。
钉扎
描述
针
BF1107
1
2
3
漏
来源
门
漏
来源
门
BF1107W
标记代号: W3 。
标记代号: S3P 。
1
手册, halfpage
BF1107 ; BF1107W
3
2
MSB003
顶视图
Fig.1简化外形SOT23 ( BF1107 ) 。
手册, halfpage
3
3
1
2
1
顶视图
2
MAM062
图2简体外形SOT323 ( BF1107W ) 。
快速参考数据
符号
S
21(on)
2
S
21(off)
2
R
DSON
V
GSoff
参数
损耗(导通状态)
隔离( OFF状态)
漏源导通电阻
捏-O FF电压
V
GS
= 0; I
D
= 1毫安
I
D
= 20
A;
V
DS
= 1 V
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息,请参阅飞利浦规格: SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
条件
R
S
= R
L
= 50
;
F = 50至860兆赫
分钟。
30
典型值。
12
3
马克斯。
2.5
20
4.5
单位
dB
dB
V
1999年5月14日
2