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分立半导体
数据表
BF1107 ; BF1107W
N沟道单栅MOS - FET的
产品speci fi cation
取代1998年的数据06月22日
1999年5月14日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道单栅MOS - FET的
特点
无电流RF开关。
应用
各个射频开关应用如:
- 通过对VCR的调谐器无源环路
- 收发器的开关。
描述
的BF1107和BF1107W是耗尽型场效应
分别采用SOT23晶体管和SOT323封装。
这样做的低损耗和高隔离能力
MOS -FET提供优异的RF开关的功能。
栅极和源极之间和之间的集成二极管
栅极和漏极防止过高的输入电压
浪涌。漏极和源是可以互换的。
钉扎
描述
BF1107
1
2
3
来源
来源
BF1107W
标记代号: W3 。
标记代号: S3P 。
1
手册, halfpage
BF1107 ; BF1107W
3
2
MSB003
顶视图
Fig.1简化外形SOT23 ( BF1107 ) 。
手册, halfpage
3
3
1
2
1
顶视图
2
MAM062
图2简体外形SOT323 ( BF1107W ) 。
快速参考数据
符号
S
21(on)
2
S
21(off)
2
R
DSON
V
GSoff
参数
损耗(导通状态)
隔离( OFF状态)
漏源导通电阻
捏-O FF电压
V
GS
= 0; I
D
= 1毫安
I
D
= 20
A;
V
DS
= 1 V
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息,请参阅飞利浦规格: SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
条件
R
S
= R
L
= 50
;
F = 50至860兆赫
分钟。
30
典型值。
12
3
马克斯。
2.5
20
4.5
单位
dB
dB
V
1999年5月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道单栅MOS - FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DS
V
SD
V
DG
V
SG
I
D
T
英镑
T
j
漏源电压
源 - 漏电压
漏极 - 栅极电压
源极 - 栅极电压
漏电流
储存温度
结温
参数
BF1107 ; BF1107W
分钟。
65
3
3
7
7
马克斯。
V
V
V
V
单位
10
+150
150
mA
°C
°C
热特性
符号
R
第j个-S
1.焊接点的栅极引线。
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) GSS
V
GSoff
I
DSX
I
GSS
参数
栅源击穿电压
门源夹断电压
漏极 - 源极漏电流
栅极截止电流
条件
V
DS
= 0; I
GS
- 0.1毫安
V
DS
= 1V ;我
D
= 20
A
V
GS
=
5
V; V
DS
= 2 V
V
GS
=
5
V; V
DS
= 0
分钟。
7
典型值。
3
马克斯。
4.5
10
100
单位
V
V
A
nA
参数
从结点到焊接点的热阻抗;注1
价值
260
单位
K / W
动态特性
常见的门;牛逼
AMB
= 25°C.
符号
S
21(on)
2
参数
损耗(导通状态)
条件
V
SG
= V
DG
= 0; R
S
= R
L
= 50
;
F = 50至860兆赫
V
SG
= V
DG
= 0; R
S
= R
L
= 75
;
F = 50至860兆赫
S
21(off)
2
隔离( OFF状态)
V
SG
= V
DG
= 5 V ;
S
= R
L
= 50
;
F = 50至860兆赫
V
SG
= V
DG
= 5 V ;
S
= R
L
= 75
;
F = 50至860兆赫
R
DSON
C
ig
C
og
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
V
GS
= 0; I
D
= 1毫安
V
SG
= V
DG
= 5 V ; F = 1 MHz的
V
SG
= V
DG
= 0; F = 1 MHz的
V
SG
= V
DG
= 5 V ; F = 1 MHz的
V
SG
= V
DG
= 0; F = 1 MHz的
1999年5月14日
3
分钟。
30
30
典型值。
12
0.9
1.5
0.9
1.5
马克斯。
2.5
3.5
20
2
2
单位
dB
dB
dB
dB
pF
pF
pF
pF
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道单栅MOS - FET的
BF1107 ; BF1107W
手册, halfpage
2
S
0
MBK831
21(on)
( dB)的
1
手册, halfpage
2
S
(2)
0
MBK832
21(off)
( dB)的
(1)
20
2
3
40
(2)
4
(1)
5
10
10
2
F(兆赫)
10
3
60
10
10
2
F(兆赫)
10
3
V
SG
= V
DG
= 0.
(1) R
S
= R
L
= 50
.
(2) R
S
= R
L
= 75
.
V
SG
= V
DG
= 5 V.
(1) R
S
= R
L
= 50
.
(2) R
S
= R
L
= 75
.
Fig.3
损耗(接通状态),为的函数
频率;典型值。
Fig.4
隔离(关断状态),为的函数
频率;典型值。
手册, halfpage
RL
0
MBK833
( dB)的
5
10
15
(1)
20
(2)
25
10
10
2
F(兆赫)
10
3
V
SG
= V
DG
= 0.
(1) R
S
= R
L
= 50
.
(2) R
S
= R
L
= 75
.
Fig.5
输入和输出回波损耗(导通状态)
作为频率的函数;典型值。
1999年5月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道单栅MOS - FET的
包装纲要
塑料表面贴装封装; 3引线
BF1107 ; BF1107W
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月14日
5
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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SOT-23
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联系人:刘经理
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