飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道双栅MOS - FET的
特点
在一个单一的两个低噪声增益控制放大器
包
专为5 V应用
AGC在优越的交叉调制性能
高正向转移导纳
高正向转移导纳输入电容
比。
应用
增益控制的低噪声放大器，用于VHF和UHF
应用，例如电视调谐器和专业
通信设备。
描述
该BF1102和BF1102R都是两个相等的双门
MOS- FET的其中有一个共同的源极引脚和一个共享
门2针。这两种设备都相互连接的源和
基板;内部偏置电路使DC稳定
和很好的交叉调制性能在5伏
电源电压;门之间的集成二极管
源防止过高的输入电压浪涌。
这两款器件具有SOT363微小型塑料
封装。
快速参考数据
符号
参数
条件
钉扎 - SOT363
BF1102 ; BF1102R
描述
针
BF1102
1
2
3
4
5
6
栅1（1）
门2（ 1和2）
漏（1）
漏（2）
栅1（2）
BF1102R
栅1（1）
源（ 1和2）
漏（1）
漏（2）
栅1（2）
源（ 1和2）门2（ 1和2）
手册， halfpage
g2 (1, 2)
6
5
4
g1 (1)
AMP1
d (1)
g1 (2)
1
2
3
BF1102标记的代码：
W1.
BF1102R标记的代码：
W2-.
AMP2
d (2)
s (1, 2)
MBL029
Fig.1简化外形和符号。
分钟。
典型值。
43
2.8
30
2
马克斯。
单位
每个MOS -FET ，除非另有规定编
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-s
C
RSS
F
X
MOD
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
2000年04月11
2
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
工作结温
T
s
≤
102
°C;
注1
I
D
= 15毫安
I
D
= 15毫安
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
7
40
200
3.6
50
2.8
150
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
36
输入电平为K = 1 ％时40分贝AGC 100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道双栅MOS - FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
s
≤
102
°C
BF1102 ; BF1102R
分钟。
马克斯。
单位
每个MOS -FET ，除非另有规定编
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏电流（ DC ）
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
7
40
±10
±10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
65
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
240
单位
K / W
手册， halfpage
250
MGS359
P合计
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
图2功率降额曲线。
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道双栅MOS - FET的
特点
在一个单一的两个低噪声增益控制放大器
包
专为5 V应用
AGC在优越的交叉调制性能
高正向转移导纳
高正向转移导纳输入电容
比。
应用
增益控制的低噪声放大器，用于VHF和UHF
应用，例如电视调谐器和专业
通信设备。
描述
该BF1102和BF1102R都是两个相等的双门
MOS- FET的其中有一个共同的源极引脚和一个共享
门2针。这两种设备都相互连接的源和
基板;内部偏置电路使DC稳定
和很好的交叉调制性能在5伏
电源电压;门之间的集成二极管
源防止过高的输入电压浪涌。
这两款器件具有SOT363微小型塑料
封装。
快速参考数据
符号
参数
条件
钉扎 - SOT363
BF1102 ; BF1102R
描述
针
BF1102
1
2
3
4
5
6
栅1（1）
门2（ 1和2）
漏（1）
漏（2）
栅1（2）
BF1102R
栅1（1）
源（ 1和2）
漏（1）
漏（2）
栅1（2）
源（ 1和2）门2（ 1和2）
手册， halfpage
g2 (1, 2)
6
5
4
g1 (1)
AMP1
d (1)
g1 (2)
1
2
3
BF1102标记的代码：
W1.
BF1102R标记的代码：
W2-.
AMP2
d (2)
s (1, 2)
MBL029
Fig.1简化外形和符号。
分钟。
典型值。
43
2.8
30
2
马克斯。
单位
每个MOS -FET ，除非另有规定编
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-s
C
RSS
F
X
MOD
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
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漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
工作结温
T
s
≤
102
°C;
注1
I
D
= 15毫安
I
D
= 15毫安
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
7
40
200
3.6
50
2.8
150
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
36
输入电平为K = 1 ％时40分贝AGC 100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道双栅MOS - FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
T
s
≤
102
°C
BF1102 ; BF1102R
分钟。
马克斯。
单位
每个MOS -FET ，除非另有规定编
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏电流（ DC ）
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
7
40
±10
±10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
65
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
240
单位
K / W
手册， halfpage
250
MGS359
P合计
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
图2功率降额曲线。
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