分立半导体
数据表
BF1101 ; BF1101R ; BF1101WR
N沟道双栅极的MOS- FET的
产品speci fi cation
取代1999年的数据2月1日
1999年5月14日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
特点
具有较高的短沟道晶体管
向前转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
高达1 GHz
部分内部自偏置电路
保证良好的交叉调制
AGC和良好的业绩时
DC稳定。
应用
VHF和UHF应用
3到7V的电源电压，如
电视调谐器和专业
通信设备。
手册， 2列
4
BF1101 ; BF1101R ; BF1101WR
钉扎
针
1
2
3
4
描述
来源
漏
门2
门1
顶视图
MSB035
手册， 2列
3
4
2
1
BF1101R标记的代码：
NCP 。
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
3
fpage
3
4
描述
增强型N沟道
与源极的场效应晶体管和
基板互连。集成
门和源极之间的二极管
防止过高的输入
电压浪涌。该BF1101 ，
BF1101R和BF1101WR是
封装在SOT143B ，
SOT143R和SOT343R塑料
分别包。
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB842
BF1101标记的代码：
NDP 。
BF1101WR标记的代码：
NC 。
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
X
MOD
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
交叉调制
工作结温
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
1999年5月14日
2
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
输入电平对于k = 1 ％
40分贝AGC
条件
25
100
分钟。
30
2.2
25
1.7
典型值。
7
30
200
2.7
35
2.5
150
马克斯。
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
dBμV的
°C
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
T
s
≤
110
°C;
注1
BF1101 ; BF1101R ; BF1101WR
条件
分钟。
7
马克斯。
V
30
±10
±10
200
+150
+150
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
65
价值
200
单位
K / W
MGL615
手册， halfpage
250
P合计
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
图4功率降额曲线。
1999年5月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
BF1101 ; BF1101R ; BF1101WR
条件
V
G1-S
= V
G2-S
= 0; I
D
= 10
A
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G1-S
= 5 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 100
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;
G1
= 120 k;
注1
V
G2-S
= V
DS
= 0; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 4 V
分钟。
7
7
7
0.5
0.5
0.3
0.3
8
马克斯。
16
16
1.5
1.5
1.0
1.2
16
50
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
nA
nA
V
(BR)G1-SS
1号门 - 源极击穿电压
V
(BR)G2-SS
2号门 - 源极击穿电压
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1 -S （ TH）
V
G2 -S （ TH）
I
DSX
I
G1-SS
I
G2-SS
记
1. R
G1
连接摹
1
到V
GG
= 5 V ;看到图21 。
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
2号门源阈值电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 12毫安;除非另有规定ED 。
符号
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
OSS
C
RSS
F
X
MOD
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
输出电容
噪音科幻gure
交叉调制
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的;
S
= Y
S选择
输入电平为K = 1在0dB AGC ％ ;
f
w
= 50 MHz的; F
UNW
= 60 MHz的;注1
输入电平为K = 1时40分贝AGC ％ ;
f
w
= 50 MHz的; F
UNW
= 60 MHz的;注1
记
1.测量图21的测试电路。
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
25
85
100
典型值。
30
2.2
1.6
1.2
25
1.7
马克斯。
40
2.7
35
2.5
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dBμV的
dBμV的
反向传输电容F = 1兆赫
1999年5月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF1101 ; BF1101R ; BF1101WR
MGS299
MGS300
手册， halfpage
20
ID
（MA ）
16
VG2 -S = 4 V
3.5 V
3V
手册， halfpage
20
ID
（MA ）
16
VG1 -S = 1.6 V
2.5 V
1.5 V
12
2V
8
8
12
1.4 V
1.3 V
1.2 V
4
1.5 V
4
1.1 V
1V
1V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VG1 -S （V）的
2
0
0
2
4
6
VDS （ V）
8
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°C.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°C.
图5传输特性;典型值。
图6输出特性;典型值。
MGS301
手册， halfpage
100
我G1
(A)
80
VG2 -S = 4 V 3.5 V
3V
手册， halfpage
40
MGS302
FS
（女士）
30
VG2 -S = 4 V
3.5 V
3V
60
2.5 V
40
2V
20
2.5 V
10
20
0
0
0.5
1
1.5
2
VG1 -S （V）的
2.5
0
0
4
8
12
2V
16
20
I D （毫安）
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°C.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°C.
Fig.7
1号门电流门1的功能
电压;典型值。
Fig.8
正向转移导纳为
漏电流的函数;典型值。
1999年5月14日
5
QQ：2880707522 复制
