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分立半导体
数据表
BF1100WR
双栅极的MOS- FET的
产品speci fi cation
在分离式半导体文件， SC07
1995年4月25日
飞利浦半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双栅极的MOS- FET的
特点
特别是在9到12 V的电源电压设计使用
具有较高的正向传输短沟道晶体管
纳输入电容比
低噪声增益控制放大器高达1 GHz
AGC在优越的交叉调制性能。
应用
VHF和UHF应用，例如电视调谐器和
专业的通讯设备。
描述
在一个塑料增强型场效应晶体管
超小型SOT343R包。晶体管
由一个放大器MOS -FET与源
衬底互连的和内部的偏置电路，以
确保AGC在良好的交叉调制性能。
小心
该器件采用防静电包装中提供。该
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
标识代码：
μF的。
手册， halfpage
BF1100WR
钉扎
针
1
2
3
4
符号
S，B
d
g
2
g
1
来源
漏
门2
门1
描述
d
4
3
g2
g1
2
1
顶视图
MAM192
S，B
Fig.1简化外形（ SOT343R ）和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
y
fs
C
ig1-s
C
rs
F
漏电流
总功耗
工作结温
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
参数
漏源电压
条件
24
分钟。
28
2.2
25
2
典型值。
马克斯。
14
30
280
150
33
2.6
35
单位
V
mA
mW
°C
mS
pF
fF
dB
1995年4月25日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双栅极的MOS- FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一个印刷电路板。
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
见图2 ;最多至T
AMB
= 50
°C;
注1
条件
65
分钟。
BF1100WR
马克斯。
14
30
±10
±10
280
+150
+150
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
MLD180
MLD156
手册， halfpage
300
40
FS
（女士）
30
P合计
（ mW）的
200
20
100
10
0
0
50
100
150
200
o
TAMB （ C）
0
50
0
50
100
150
T J （ C）
o
Fig.3
图2功率降额曲线。
正向转移导纳的功能
结温;典型值。
1995年4月25日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双栅极的MOS- FET的
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板。
2. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
静态特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
(BR)G1-SS
V
(BR)G2-SS
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
参数
1号门 - 源极击穿电压
2号门 - 源极击穿电压
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
条件
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
G1-S
= 1毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 1毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 9 V;
I
D
= 20
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 12 V;
I
D
= 20
A
V
G2-S(th)
2号门源阈值电压
V
G1-S
= 4 V; V
DS
= 9 V;
I
D
= 20
A
V
G1-S
= 4 V; V
DS
= 12 V;
I
D
= 20
A
I
DSX
漏 - 源电流
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 9 V;
R
G1
= 180 kΩ的;注1
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 12 V;
R
G1
= 250 kΩ的;注意2
I
G1-SS
I
G2-SS
笔记
1. R
G1
到V连接门1
GG
= 9 V ;看到图26 。
2. R
G1
到V连接门1
GG
= 12 V ;看到图26 。
门1的截止电流
门2的截止电流
V
G2-S
= V
DS
= 0; V
G1-S
= 12 V
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 12 V
分钟。
13.2
13.2
0.5
0.5
0.3
0.3
0.3
0.3
8
8
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
T
s
= 91
°C;
注2
BF1100WR
价值
350
210
单位
K / W
K / W
马克斯。
20
20
1.5
1.5
1
1
1.2
1.2
13
13
50
50
V
V
V
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
nA
nA
1995年4月25日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双栅极的MOS- FET的
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
G2-S
= 4 V ;我
D
= 10毫安;除非另有规定。
符号
y
fs
参数
正向转移导纳
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
V
DS
= 9 V
V
DS
= 12 V
C
ig1-s
在1号门的输入电容
F = 1 MHz的
V
DS
= 9 V
V
DS
= 12 V
C
ig2-s
在2号门的输入电容
F = 1 MHz的
V
DS
= 9 V
V
DS
= 12 V
C
os
漏 - 源电容
F = 1 MHz的
V
DS
= 9 V
V
DS
= 12 V
C
rs
反向传输电容F = 1兆赫
V
DS
= 9 V
V
DS
= 12 V
F
噪音科幻gure
F = 800 MHz的;
S
= G
SOPT
; B
S
= B
SOPT
V
DS
= 9 V
V
DS
= 12 V
2
2
25
25
1.4
1.1
1.6
1.4
2.2
2.2
24
24
28
28
分钟。
典型值。
BF1100WR
马克斯。
33
33
2.6
2.6
1.8
1.5
35
35
2.8
2.8
单位
mS
mS
pF
pF
pF
pF
pF
pF
fF
fF
dB
dB
MLD157
0
手册， halfpage
收益
减少
（ dB）的
10
手册， halfpage
120
MLD158
Vunw
（ dBμV为单位）
110
(1)
(2)
20
100
30
90
40
50
0
1
2
3
VAGC （ V）
4
80
0
10
20
30
40
50
增益衰减（ dB）的
(1) R
G
= 250 kΩ到V
GG
= 12 V.
(2) R
G
= 180 kΩ到V
GG
= 9 V.
F = 50MHz的。
T
j
= 25
°C.
f
w
= 50 MHz的; F
UNW
= 60 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
Fig.4
增益衰减为AGC的功能
电压;典型值。
不想要的电压为1％的交叉调制
作为增益减小的函数;典型
值;看到图26 。
1995年4月25日
5
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