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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第518页 > BF1005R
BF1005...
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1 GHz
工作电压5V
集成的偏置网络
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
漏
AGC
RF
输入
G2
G1
RF输出
+ DC
GND
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF1005
BF1005R
包
SOT143
SOT143R
1=S
1=D
2=D
2=S
引脚配置
3=G2
3=G1
4=G1
4=G2
-
-
-
-
记号
MZS
MZS
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
1号门（外部偏置）
总功耗
T
S
≤
76 °C
储存温度
通道温度
1
含有铅，
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
合计
T
英镑
T
ch
价值
8
25
10
3
200
-55 ... 150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
包可能是可根据特殊要求
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
1
2007-04-20
BF1005...
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
符号
R
thChS
价值
≤
370
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 650 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
V
（ BR ） DS
单位
马克斯。
-
12
13
-
50
1.5
16
-
V
A
nA
mA
V
典型值。
-
-
-
100
-
-
10
1
12
8
8
-
-
-
8
-
GATE1源击穿电压
+
I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 V
+
V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+
I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
2号门源漏电流
±
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 100 A
1
为
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
2007-04-20
BF1005...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
（通过随机抽样核实）
g
fs
C
g1ss
C
DSS
G
p
F
G
p
20
-
-
17
-
40
24
2.1
1.3
19
1.6
50
-
2.5
-
-
2.5
-
dB
dB
mS
pF
正向跨导
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4.5 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 10 MHz的
输出电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 10 MHz的
功率增益（自偏置）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
噪声系数
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4V ...0V,
f
= 800 GHz的
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-04-20
BF1005...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005 ， BF1005R
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005W
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(V
G2S
)
插入功率增益
|S
21
| =
(V
G2S
)
12
mA
10
dB
0
-5
10
9
|S
21
|
V
8
-10
-15
-20
I
D
7
6
-25
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
-30
-35
-40
-45
-50
-55
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G2S
V
G2S
4
2007-04-20
BF1005...
正向转移导纳
|Y
21
| =
(V
G2S
)
26
mS
22
20
2.4
1号门的输入电容
C
g1ss
=
(V
g2s
)
F = 200MHz的
3
pF
|Y
21
|
18
16
14
12
10
8
6
C
g1ss
V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
0.4
0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
5.5
V
G2S
V
G2S
输出电容
C
DSS
=
(V
G2S
)
f
= 200MHz的
3
pF
2.4
2.2
C
DSS
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G2S
5
2007-04-20
BF1005...
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1 GHz
工作电压5V
集成的偏置网络
漏
AGC
HF
输入
G2
G1
高频输出
+ DC
GND
EHA07215
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BF1005
BF1005R
BF1005W*
*仅应要求
最大额定值
参数
包
SOT143
SOT143R
SOT343
1=S
1=D
1=D
2=D
2=S
2=S
引脚配置
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
记号
MZS
MZS
MZ
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
合计
价值
8
25
10
3
200
200
单位
V
mA
V
mW
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
1号门（外部偏置）
总功耗
T
S
≤
76 ° C， BF1005 ， BF1005R
T
S
≤
94 ° C， BF1005W
储存温度
通道温度
T
英镑
T
ch
-55 ... 150
150
°C
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
1
Feb-18-2004
BF1005...
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
BF1005 ， BF1005R
BF1005W
符号
R
thChS
≤
370
≤
280
价值
单位
K / W
电气特性
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 650 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
±I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 V
2号门源漏电流
±V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 100 A
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
分钟。
V
（ BR ） DS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
12
8
8
-
-
-
8
-
值
典型值。
-
-
-
100
-
-
10
1
马克斯。
-
12
13
-
50
1.5
16
-
单位
V
A
nA
mA
V
2
Feb-18-2004
BF1005...
电气特性
参数
AC特性
符号
分钟。
（通过随机抽样核实）
g
fs
C
g1ss
C
DSS
G
p
F
G
p
20
-
-
17
-
40
24
2.1
1.3
19
1.6
50
-
2.5
-
-
2.5
-
dB
dB
mS
pF
正向跨导
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4.5 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 100兆赫
功率增益（自偏置）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
噪声系数
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4V ...0V,
f
= 800 GHz的
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Feb-18-2004
BF1005...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005 ， BF1005R
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005W
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(V
G2S
)
插入功率增益
|S
21
| =
(V
G2S
)
12
mA
10
dB
0
-5
10
9
|S
21
|
V
8
-10
-15
-20
I
D
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G2S
V
G2S
4
Feb-18-2004
BF1005...
正向转移导纳
|Y
21
| =
(V
G2S
)
26
mS
22
20
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
1号门的输入电容
C
g1ss
=
(V
g2s
)
F = 200MHz的
pF
3
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
C
g1ss
|Y
21
|
18
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
5.5
V
G2S
V
G2S
输出电容
C
DSS
=
(V
G2S
)
f
= 200MHz的
pF
3
2.4
2.2
C
DSS
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G2S
5
Feb-18-2004
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B43896F2106M008
B43508A2827M000
BSP297
BS616LV1611FC
BC818-40LT1G
BD-A432ND
BL-S4137A
BP3008
BW0405XC
BUL65A
B37931K0105K072
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    BF1005R
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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BF1005R
Infineon Technologies
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SOT-143-4
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BF1005R
INFINEON
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79600
SOT-143
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
BF1005R
SIEMENS
21+
14505
SOT143
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
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INFINDEON
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全新原装正品现货热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
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联系人：朱
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