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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDY74
描述
优秀
安全工作区
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 120V (最小)。
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE( SAT
) = 1.0V (最大值) @我
C
= 3A
应用
·设计
用于工业和商业设备的使用
包括高保真音频放大器,串联和并联
稳压器和功率开关。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
150
单位
V
120
7
V
V
10
A
15
7
117
200
-65~200
A
A
W
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
1
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
BDY74
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 200毫安;我
B
= 0; L = 25mH
120
V
V
CEX ( SUS)的
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安; V
BE
= -1.5V
150
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.0
V
V
BE (
on
)
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
1.7
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 130V ;我
E
= 0
V
CE
= 130V; V
BE (
关闭
)
= 1.5V
V
CE
= 130V; V
BE (
关闭
)
= 1.5V ,T
C
= 150℃
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
1.0
1.0
10
5.0
mA
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
I
C
= 1A ; V
CE
= 10V
mA
mA
50
150
0.8
兆赫
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
BDY74
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 120V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
10
单位
V
A
-
Hz
@ 4/3 (V
CE
/ I
C
)
50
150
117
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
BDY74
描述
优秀
安全工作区
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 120V (最小)。
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE( SAT
) = 1.0V (最大值) @我
C
= 3A
应用
·设计
用于工业和商业设备的使用
包括高保真音频放大器,串联和并联
稳压器和功率开关。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
150
120
7
10
15
7
117
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
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1
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
BDY74
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 200毫安;我
B
= 0; L = 25mH
120
V
V
CEX ( SUS)的
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安; V
BE
= -1.5V
150
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.0
V
V
BE (
on
)
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
1.7
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 130V ;我
E
= 0
V
CE
= 130V; V
BE (
关闭
)
= 1.5V
V
CE
= 130V; V
BE (
关闭
)
= 1.5V ,T
C
= 150℃
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
1.0
1.0
10
5.0
mA
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
50
150
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 1A ; V
CE
= 10V
0.8
兆赫
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