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INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BDY46

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 300V （最小）。

ΔDC

目前GAIN-

: h

FE

=20(Min.)@I

C

= 2A

-collector极 - 发射极

饱和电压 -

: V

CE（ SAT

） = 1.5V （最大值） @我

C

= 15A

高

开关速度

应用

●电压

调节器

-Inverter

切换

模式电源

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率@ T

C

≤45℃

结温

储存温度

w

.CN

i

em

cs

。是

w

w

价值

600

单位

V

600

300

7

V

V

V

15

17

5

95

175

-65~175

A

A

A

W

℃

℃

P

C

T

J

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.37

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

1

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

BDY46

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 200毫安;我

B

= 0

300

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 1毫安;我

E

= 0

600

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 2毫安;我

C

= 0

7

V

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

= 5A

1.5

V

V

BE

（SAT）

I

CBO

基射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

= 5A

V

CB

= 600V ;我

E

= 0

V

CB

= 600V ;我

E

= 0, T

C

=150℃

I

C

= 2A ; V

CE

= 2V

2.0

0.2

2.5

20

V

收藏家Cuto FF电流

h

FE-1

直流电流增益

h

FE-2

直流电流增益

f

T

电流增益带宽积

开关时间

t

on

开启时间

w

.CN

i

em

cs

。是

w

w

I

C

= 10A ; V

CE

= 2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

= 10V

I

C

= 5A ;我

B1

= -I

B2

= 1A

mA

5

10

兆赫

0.5

μs

t

f

下降时间

1.0

μs

t

关闭

打开-O FF时间

3.5

μs

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2

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BDY46

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 300V （最小）。

ΔDC

目前GAIN-

: h

FE

=20(Min.)@I

C

= 2A

-collector极 - 发射极

饱和电压 -

: V

CE（ SAT

） = 1.5V （最大值） @我

C

= 15A

高

开关速度

应用

●电压

调节器

-Inverter

切换

模式电源

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率@ T

C

≤45℃

结温

储存温度

价值

600

600

300

7

15

17

5

95

175

-65~175

单位

V

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

P

C

T

J

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.37

单位

℃/W

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ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

BDY46

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 200毫安;我

B

= 0

300

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 1毫安;我

E

= 0

600

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 2毫安;我

C

= 0

7

V

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

= 5A

1.5

V

V

BE

（SAT）

I

CBO

基射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

= 5A

V

CB

= 600V ;我

E

= 0

V

CB

= 600V ;我

E

= 0, T

C

=150℃

I

C

= 2A ; V

CE

= 2V

20

2.0

0.2

2.5

V

收藏家Cuto FF电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 10A ; V

CE

= 2V

5

f

T

电流增益带宽积

I

C

= 0.5A ; V

CE

= 10V

10

兆赫

开关时间

μs

t

on

开启时间

0.5

t

f

下降时间

I

C

= 5A ;我

B1

= -I

B2

= 1A

1.0

μs

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联系人：连

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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