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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
BDX78F
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -80V （最小值）
.Complement
到类型BDX77F
应用
·设计
用于Hi-Fi设备提供输出
15至15瓦到4Ωor 8Ωload 。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值s
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-100
-80
-5
-8
-12
-3
32
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
6.3
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE （ SAT ）
V
BE （
on
)
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= -0.2A ;我
B
= 0
B
BDX78F
民
-80
-100
-5
最大
单位
V
V
V
I
C
= -1mA ，我
E
= 0
I
E
= -1mA ，我
C
= 0
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.0
-1.5
-2.0
-1.5
-0.2
-0.1
-1.0
-0.5
30
7.0
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= -6A ;我
B
= -0.6A
B
I
C
= -6A ;我
B
= -0.6A
B
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
V
CE
= 40V ;我
B
= 0
B
V
CB
= V
CBO
;I
E
= 0
1
V
CB
= /
2
V
CBO
;I
E
= 0; T
J
= 150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ; V
CE
= -2V
I
C
= -0.3A ; V
CE
= -3V ，女
TEST
= 1.0MHz的
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -2A ;我
B1
= -I
B2
= -0.2A
打开-O FF时间
2
μs
1
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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B45196H1226K506
B1047AS-151M
BU61583D1-110
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BDX78F
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