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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第468页 > BDX65
BDX65
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 12A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
12
单位
V
A
-
@ 3/5 (V
CE
/ I
C
)
1000
7M
117
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
BDX 65 ， A，B ，C
NPN硅DARLINGTONS
通用达林顿设计的功率放大器和开关
应用程序。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
价值
60
80
100
120
80
100
120
120
5.0
单位
V
V
CEV
集电极 - EmitterVoltage
V
BE
=-1.5 V
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C（ RMS）
I
C
集电极电流
12
A
16
I
CM
I
B
基极电流
0.2
A
P
T
功耗
@ T
C
= 25°
117
瓦
W / ℃，
T
J
T
S
结温
储存温度
-55到+200
°C
半导体COMSET
1/4
BDX 65 ， A，B ，C
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
价值
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
最小典型单位的Mx
BDX65
60
-
-
BDX65A
80
-
-
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
I
C
= 0.1 A，I
B
= 0， L = 25mH
BDX65B
100
-
-
BDX65C
120
-
-
V
CE
=30 V
BDX65
-
-
V
CE
=40 V
BDX65A
-
-
1
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=50 V
BDX65B
-
-
V
CE
=60 V
BDX65C
-
-
半导体COMSET
2/4
BDX 65 ， A，B ，C
符号
评级
发射Cuto FF电流
测试条件（S ）
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
最小典型单位的Mx
I
EBO
V
BE
=5 V
-
-
5.0
mA
V
CBO
=60 V
-
BDX65
-
0.4
V
CBO
=60 V
T
例
=150°C
-
-
3
V
CBO
=80 V
-
BDX65A
-
0.4
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
V
CBO
=80 V
T
例
=150°C
-
-
3
mA
V
CBO
=100 V
-
BDX65B
-
0.4
V
CBO
=100 V
T
例
=150°C
-
-
3
V
CBO
=120 V
-
BDX65C
-
-
0.4
V
CBO
=120 V
T
例
=150°
-
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
3
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
I
C
= 5.0 A，I
B
= 20毫安
-
-
2
V
V
F
正向电压（脉冲
法）
I
F
=3 A
-
1.8
-
V
V
BE
基射极电压（ * ）
I
C
= 5.0 A，V
CE
=3V
-
-
3
V
F
h21e
正向电流传输
比截止频率
V
CE
= 3 V，I
C
=5 A
-
60
-
千赫
半导体COMSET
3/4
BDX 65 ， A，B ，C
符号
评级
测试条件（S ）
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
最小典型单位的Mx
f
T
跃迁频率
V
CE
= 3 V，I
C
= 5 A， F = 1兆赫
-
7
-
兆赫
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
-
1500
-
h
21E
静态正向电流
传输比（ * ）
V
CE
= 3 V，I
C
=5 A
1000
-
-
-
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
-
1500
-
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
额定通过辅助电路
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
集热器
辐射源
半导体COMSET
4/4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX65
描述
·带
TO- 3封装
·达林顿
.Complement
输入BDX64
应用
·设计
进行功率放大并
开关应用。
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
60
5
12
16
0.2
117
-55~200
-55~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX65
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
F
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
二极管的正向电压
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=20mA
I
C
=5A;V
CE
=3V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CE
= 30V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
F
=3A
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=3V;f=1MHz
1000
1500
7
兆赫
1.8
1500
民
60
2
3
0.4
3
1
5
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDX65
图2外形尺寸
3
BDX65
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 12A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
12
单位
V
A
-
@ 3/5 (V
CE
/ I
C
)
1000
7M
117
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX65B
描述
·采用TO-3封装
·达林顿
·补键入BDX64B
应用
·设计用于功率放大和
开关应用。
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
100
5
12
16
0.2
117
-55~200
-55~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDX65B
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
二极管的正向电压
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=20mA
I
C
=5A;V
CE
=3V
V
CB
= 100V ;我
E
=0
T
C
=150
V
CE
= 50V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
F
=3A
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
1000
1500
7
兆赫
1.8
1500
民
100
2
3
0.4
3
1
5
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
F
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDX65B
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
=
12A
高
直流电流增益-H
FE
= 1000 （最小值） @我
C
= 5A
.Complement
到类型BDX64 / A / B / C
应用
·设计
音频输出级和一般放大器
和切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDX65
集电极 - 基
电压
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
集电极 - 发射极
电压
BDX65A
BDX65B
BDX65C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDX65/A/B/C
价值
80
100
单位
V
CBO
V
120
140
60
80
V
100
120
5
12
16
0.2
117
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDX65
BDX65A
I
C
= 100毫安，我
B
=0
BDX65B
BDX65C
V
CE （ SAT ）
V
BE （
on
)
V
ECF
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
C- ê二极管正向电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
I
C
= 5A ;我
B
= 20mA下
B
BDX65/A/B/C
条件
民
60
80
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
100
120
2
2.5
1.2
0.2
0.4
3
5
3300
1000
3700
200
pF
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 5A ; V
CE
= 3V
I
F
= 5A
V
CE
=
1
/
2
V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
CB
= V
CEOMAX
;I
E
= 0
V
CB
=
1
/
2
V
CBOMAX
;I
E
= 0;T
J
= 200℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
= 3V
I
C
= 5A ; V
CE
= 3V
I
C
= 12A ; V
CE
= 3V
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 20mA下
打开-O FF时间
6
μs
1
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
NPN硅DARLINGTONS
通用达林顿设计的功率放大器和开关
应用程序。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
价值
60
80
100
120
80
100
120
140
5.0
单位
V
V
CBO
集电极 - BaseVoltage
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C（ RMS）
I
C
集电极电流
12
A
16
I
CM
I
B
基极电流
0.2
A
P
T
T
J
T
S
功耗
@ T
C
= 25°
117
瓦
W / ℃，
结温
储存温度
-55到+200
°C
第1页4
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
价值
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
最小典型单位的Mx
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
I
C
= 0.1 A，I
B
= 0， L = 25mH
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=30 V
V
CE
=40 V
V
CE
=50 V
V
CE
=60 V
V
BE
=5 V
V
CBO
=60 V
V
CBO
=40 V
T
例
=200°C
V
CBO
=50 V
V
CBO
=80 V
T
例
=200°C
V
CBO
=100 V
V
CBO
=60 V
T
例
=200°C
V
CBO
=120 V
V
CBO
=70 V
T
例
=200°
1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
5.0
0.4
3
0.4
3
0.4
3
0.4
3
mA
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
-
BDX65C
-
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
I
C
= 5.0 A，I
B
= 20毫安
V
F
正向电压（脉冲
法）
I
F
=3 A
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
-
-
2
V
-
1.8
-
V
第2页4
V
BE
基射极电压（ * ）
I
C
= 5.0 A，V
CE
=3V
f
的hFE
截止频率
V
CE
= 3 V，I
C
=5 A
f
T
跃迁频率
V
CE
= 3 V，I
C
= 5 A， F = 1兆赫
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
h
FE
直流电流增益（*）
V
CE
= 3 V，I
C
=5 A
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
-
-
2.5
V
-
50
-
千赫
-
7
-
兆赫
-
3300
-
1000
-
-
-
-
3700
-
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
辅助电路
评分
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
第3页4
第4页4
BDX 65 ， A，B ，C
NPN硅DARLINGTONS
通用达林顿设计的功率放大器和开关
应用程序。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
价值
60
80
100
120
80
100
120
120
5.0
单位
V
V
CEV
集电极 - EmitterVoltage
V
BE
=-1.5 V
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C（ RMS）
I
C
集电极电流
12
A
16
I
CM
I
B
基极电流
0.2
A
P
T
功耗
@ T
C
= 25°
117
瓦
W / ℃，
T
J
T
S
结温
储存温度
-55到+200
°C
半导体COMSET
1/4
BDX 65 ， A，B ，C
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
价值
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
最小典型单位的Mx
BDX65
60
-
-
BDX65A
80
-
-
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
I
C
= 0.1 A，I
B
= 0， L = 25mH
BDX65B
100
-
-
BDX65C
120
-
-
V
CE
=30 V
BDX65
-
-
V
CE
=40 V
BDX65A
-
-
1
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=50 V
BDX65B
-
-
V
CE
=60 V
BDX65C
-
-
半导体COMSET
2/4
BDX 65 ， A，B ，C
符号
评级
发射Cuto FF电流
测试条件（S ）
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
最小典型单位的Mx
I
EBO
V
BE
=5 V
-
-
5.0
mA
V
CBO
=60 V
-
BDX65
-
0.4
V
CBO
=60 V
T
例
=150°C
-
-
3
V
CBO
=80 V
-
BDX65A
-
0.4
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
V
CBO
=80 V
T
例
=150°C
-
-
3
mA
V
CBO
=100 V
-
BDX65B
-
0.4
V
CBO
=100 V
T
例
=150°C
-
-
3
V
CBO
=120 V
-
BDX65C
-
-
0.4
V
CBO
=120 V
T
例
=150°
-
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
3
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
I
C
= 5.0 A，I
B
= 20毫安
-
-
2
V
V
F
正向电压（脉冲
法）
I
F
=3 A
-
1.8
-
V
V
BE
基射极电压（ * ）
I
C
= 5.0 A，V
CE
=3V
-
-
3
V
F
h21e
正向电流传输
比截止频率
V
CE
= 3 V，I
C
=5 A
-
60
-
千赫
半导体COMSET
3/4
BDX 65 ， A，B ，C
符号
评级
测试条件（S ）
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
最小典型单位的Mx
f
T
跃迁频率
V
CE
= 3 V，I
C
= 5 A， F = 1兆赫
-
7
-
兆赫
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
-
1500
-
h
21E
静态正向电流
传输比（ * ）
V
CE
= 3 V，I
C
=5 A
1000
-
-
-
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
-
1500
-
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
额定通过辅助电路
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
集热器
辐射源
半导体COMSET
4/4
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推荐型号
BZV85/C160
BL-BEG204-B
BUS-61570-810Y
BD176
B43508B9477M060
B37942J5224M001
B16B-XADSS-N-A
BU1923
BU-61581G6-110
BQ3285LQN
BXA40-48S12
B32682-A2152-K289
BZT55C16
BZX55B15
BZX55-B15
BZT55C9V1
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