BDX53B ， BDX53C （ NPN ）
BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
塑料中功率
其他芯片
晶体管
这些器件是专为通用放大器和
低速开关的应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极发射极耐受电压 - @ 100 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 80伏直流（最小值） - BDX53B ， 54B
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） - BDX53C ， 54C
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
V
CE （ SAT ）
= 4.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
达林顿
8安培
其他芯片
功率晶体管
80-100伏， 65沃茨
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
价值
80
100
80
100
5.0
8.0
12
0.2
单位
VDC
1
TO220AB
CASE 221A
风格1
2
3
集电极 - 发射极电压
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
集电极 - 基极电压
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
CB
VDC
V
EB
I
C
I
B
VDC
ADC
ADC
- 连续
- 山顶
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
65
0.48
W
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
-65到+150
标记图
＆放大器;引脚分配
4
集热器
BDX5xyG
AY WW
1
BASE
3
辐射源
2
集热器
热特性
特征
符号
R
qJA
最大
70
单位
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
° C / W
° C / W
R
QJC
1.92
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
BDX5xy =器件代码
X = 3或4的
Y = B或C
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
1
2006年2月， - 12牧师
出版订单号：
BDX53B/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
小信号电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
C
= 12 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 12 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
特征
PD ，功耗（瓦）
1.0
2.0
3.0
T
A
4.0
20
40
60
T
C
80
0
0
20
http://onsemi.com
40
图1.功率降额
T
A
T，温度（ ° C）
60
2
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
T
C
BDX53B ， 53C
BDX54B ， 54C
80
100
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
首席执行官
C
ob
h
FE
h
fe
140
160
民
750
80
100
4.0
最大
300
200
2.5
2.0
4.0
0.2
0.2
0.5
0.5
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
TUT
R
B
V
2
约
V
CC
30 V
R
C
5.0
3.0
2.0
范围
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
0.2
t
r
t
f
t
s
+ 8.0 V
0
V
1
约
51
D
1
+ 4.0 V
[
8.0 k
[
120
25
ms
12 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
单脉冲
t
2
单身
脉冲
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
50
100
200 300
500
1000
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
图4.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
500
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50
20 30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
0.05
0.02
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150
°
℃;吨
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
t
150
°
C.吨
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
http://onsemi.com
3
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
300
T
J
= + 25°C
200
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 3.0 A
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500
1000
100
70
50
PNP
NPN
30
0.1
0.2
C
ib
C
ob
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
NPN
BDX53B ， 53C
20,000
V
CE
= 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
55
°C
500
300
200
0.1
T
J
= 150°C
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
25°C
T
J
= 150°C
20,000
PNP
BDX54B ， 54C
V
CE
= 4.0 V
25°C
55
°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
30
图9.集电极饱和区
http://onsemi.com
4
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
2.0
1.5
1.5
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
0.5
0.1
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
NPN
BDX53B ， BDX53C
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
+4.0
+3.0
+2.0
+1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
-55 ℃150℃
2.0 3.0
5.0
7.0 10
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
+5.0
*I
C
/I
B
v
h
FE/3
+5.0
+4.0
+3.0
+2.0
+1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.1
0.2 0.3
q
VB
对于V
BE
PNP
BDX54B ， BDX54C
*I
C
/I
B
v
h
FE/3
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
-55 ℃150℃
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0
7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图11.温度系数
10
5
IC ，集电极电流（
μ
A)
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
4
10
3
10
2
T
J
= 150°C
10
1
10
0
100°C
反向
V
CE
= 30 V
前锋
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
+0.6 +0.4
T
J
= 150°C
100°C
25°C
+0.2
0
0.2 0.4
0.6 0.8
1.0
1.2 1.4
反向
V
CE
= 30 V
前锋
25°C
10
1
0.6 0.4 0.2
0
+0.2 +0.4 +0.6
+0.8
+1.0 +1.2 + 1.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
V
BE
，基极发射极电压（伏）
图12.集电极截止区
http://onsemi.com
5
BDX53B ， BDX53C （ NPN ）
BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
塑料中功率
其他芯片
晶体管
这些器件是专为通用放大器和
低速开关的应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极发射极耐受电压 - @ 100 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 80伏直流（最小值） - BDX53B ， 54B
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） - BDX53C ， 54C
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
V
CE （ SAT ）
= 4.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
无铅包可用*
达林顿
8安培
其他芯片
功率晶体管
80-100伏， 65沃茨
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
价值
80
100
80
100
5.0
8.0
12
0.2
单位
VDC
集电极 - 发射极电压
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
集电极 - 基极电压
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
CB
VDC
V
EB
I
C
I
B
VDC
ADC
ADC
- 连续
- 山顶
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
65
0.48
W
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
-65到+150
1
TO-220AB
CASE 221A
风格1
2
3
标记图
＆放大器;引脚分配
4
集热器
BDX5xyG
AY WW
1
BASE
3
辐射源
2
集热器
器件代码
X = 3或4的
Y = B或C
大会地点
YEAR
工作周
无铅封装
热特性
特征
符号
R
qJA
最大
70
单位
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
° C / W
° C / W
R
QJC
1.92
BDX5xy =
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
Y
WW
G
=
=
=
=
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 13牧师
出版订单号：
BDX53B/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
小信号电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
C
= 12 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 12 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
特征
PD ，功耗（瓦）
1.0
2.0
3.0
T
A
4.0
20
40
60
T
C
80
0
0
20
http://onsemi.com
40
图1.功率降额
T
A
T，温度（ ° C）
60
2
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
T
C
BDX53B ， 53C
BDX54B ， 54C
80
100
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
首席执行官
C
ob
h
FE
h
fe
140
160
民
750
80
100
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
200
2.5
2.0
4.0
0.2
0.2
0.5
0.5
-
-
-
-
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
-
-
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
TUT
R
B
V
2
约
V
CC
- 30 V
R
C
5.0
3.0
2.0
范围
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
0.2
t
r
t
f
t
s
+ 8.0 V
0
V
1
约
51
D
1
+ 4.0 V
[
8.0 k
[
120
25
ms
-12 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
单脉冲
t
2
单身
脉冲
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
50
100
200 300
500
1000
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
图4.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
500
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BDX53B ， BDX54B
BDX53C ， BDX54C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50
20 30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
0.05
0.02
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
-V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150
°
℃;吨
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
t
150
°
C.吨
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
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3
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
C，电容（pF ）
300
T
J
= + 25°C
200
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 3.0 A
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500
1000
100
70
50
PNP
NPN
30
0.1
0.2
C
ib
C
ob
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
NPN
BDX53B ， 53C
20,000
V
CE
= 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
- 55°C
500
300
200
0.1
T
J
= 150°C
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
- 55°C
25°C
T
J
= 150°C
20,000
PNP
BDX54B ， 54C
V
CE
= 4.0 V
25°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
30
图9.集电极饱和区
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4
BDX53B ， BDX53C （ NPN ） ， BDX54B ， BDX54C （ PNP ）
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
2.0
1.5
1.5
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.0
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
NPN
BDX53B ， BDX53C
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
+ 4.0
+ 3.0
+ 2.0
+ 1.0
0
- 1.0
- 2.0
- 3.0
- 4.0
- 5.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
- 55 150℃下
2.0 3.0
5.0
7.0 10
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
+ 5.0
*I
C
/I
B
v
h
FE/3
+ 5.0
+ 4.0
+ 3.0
+ 2.0
+ 1.0
0
- 1.0
- 2.0
- 3.0
- 4.0
- 5.0
0.1
0.2 0.3
q
VB
对于V
BE
PNP
BDX54B ， BDX54C
*I
C
/I
B
v
h
FE/3
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
- 55 150℃下
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0
7.0 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图11.温度系数
10
5
IC ，集电极电流（
μ
A)
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
4
10
3
10
2
T
J
= 150°C
10
1
10
0
100°C
反向
V
CE
= 30 V
前锋
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
T
J
= 150°C
100°C
25°C
0
- 0.2 - 0.4 - 0.6 - 0.8 - 1.0 - 1.2 - 1.4
反向
V
CE
= 30 V
前锋
25°C
10
- 1
- 0.6 - 0.4 - 0.2
0
+ 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8
+ 1.0 + 1.2 + 1.4
10
- 1
+ 0.6 + 0.4 + 0.2
V
BE
，基极发射极电压（伏）
V
BE
，基极发射极电压（伏）
图12.集电极截止区
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5
