【PNP BDX45 - BDX46 - BDX47NPN BDX42 - BDX43- BDX44硅】,IC型号BDX47,BDX47 PDF资料,BDX47经销商,ic,电子元器件-51电子网

PNP BDX45 - BDX46 - BDX47

NPN BDX42 - BDX43- BDX44

硅平面达林顿

晶体管

该BDX45 ， BDX46和BDX47是PNP硅平面达林顿晶体管和

安装在JEDEC的TO -126塑料封装。

它们intented用于工业开关应用中使用。

互补NPN类型是BDX42 ，分别BDX43和BDX44 。

绝对最大额定值

符号

- V

CBO

集电极 - 基极电压

评级

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

价值

60

80

90

45

60

80

5

单位

V

- V

CER

集电极 - EmitterVoltage

V

- V

EBO

发射极 - 基极电压

V

- I

C

- I

C

集电极电流

1

A

2

- I

CM

- I

B

P

T

J

T

S

基极电流

0.1

A

瓦

功耗

@ T

C

= 25°

1.25

150

结温

°C

-65到+150

储存温度

半导体COMSET

1/3

PNP BDX45 - BDX46 - BDX47

NPN BDX42 - BDX43- BDX44

热特性

符号

R

THJ -A

R

THJ - MB

评级

BDX45

热阻，结到环境

BDX46

BDX47

BDX45

热阻，结到

BDX46

安装底座

BDX47

价值

100

单位

K / W

10

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

- I

CES

- I

EBO

评级

集电极截止电流

测试条件（S ）

V

BE

= 0 ; -V

CE

= 45V

V

BE

= 0 ; -V

CE

= 60V

V

BE

= 0 ; -V

CE

= 80V

I

C

=0 ; V

EB

= 4V

最小典型单位的Mx

-

1000

2000

发射极截止电流

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX46

BDX45

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX46

BDX45

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX46

BDX45

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

2/3

-

10

1.3

1.6

1.3

1.8

1.6

1.9

2.2

-

A

-I

C

= 500毫安， -I

B

-0.5毫安

-I

C

= 1.0 A， -I

B

= 1.0毫安

- V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

-I

C

= 1.0 A， -I

B

-4.0毫安

-I

C

= 500毫安， -I

B

-0.5毫安

TJ = 150℃

-I

C

= 1.0 A， -I

B

= 1.0毫安

TJ = 150℃

-I

C

= 1.0 A， -I

B

-4.0毫安

TJ = 150℃

-I

C

= 500毫安， -I

B

-0.5毫安

V

- V

BE （ SAT ）

基射极饱和

电压（*）

-I

C

= 1.0 A， -I

B

= 1.0毫安

-I

C

= 1.0 A， -I

B

-4.0毫安

-V

CE

= 10.0 V ， -I

C

-150毫安

V

h

FE

直流电流增益

-V

CE

= 10.0 V ， -I

C

± 500毫安

-

半导体COMSET

PNP BDX45 - BDX46 - BDX47

NPN BDX42 - BDX43- BDX44

符号

评级

测试条件（S ）

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

-I

C

= 500毫安， -I

BON

= I

B关

-0.5毫安

BDX45

BDX46

BDX47

BDX45

BDX46

BDX47

-I

C

= 1 ， -I

BON

= I

B关

= 1.0毫安

BDX45

BDX46

BDX47

-V

CE

= 5.0 V ， -I

C

= 500毫安，

f=35MHz

最小值典型值

-

MX单位

-

h

fe

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

小信号电流增益

开启时间

打开-O FF时间

开启时间

打开-O FF时间

-

10

400

1500

400

1500

-

ns

机械数据案例TO- 126

尺寸

mm

民

A

B

C

D

E

F

G

H

L

M

N

P

引脚1 ：

引脚2 ：

案例：

最大

民

7.4

7.8

10.5

10.8

2.4

2.7

0.7

0.9

2.2典型。

0.49

0.75

4.4典型。

2.54 TYP 。

15.7 TYP 。

1.2典型。

3.8典型。

3.0

3.2

辐射源

集热器

BASE

英寸

最大

0.295

0.307

0.413

0.425

0.094

0.106

0.027

0.035

0.087 （典型值）。

0.019

0.029

0.173 （典型值）。

0.100 TYP 。

0.618典型。

0.047 TYP 。

0.149 （典型值）。

0.118

0.126

半导体COMSET

3/3

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D100

BDX45 ; BDX47

PNP达林顿晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年7月2日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

特点

大电流（最大1 A）

低电压（最大80 V）

集成的二极管和电阻。

应用

工业开关应用中，例如：

- 打印锤

手册， halfpage

BDX45 ; BDX47

钉扎

针

1

2

3

辐射源

集电极，连接到的金属部分

安装面

BASE

描述

螺线管

- 继电器和灯驱动器。

描述

PNP达林顿晶体管采用TO -126 ; SOT32塑料

封装。 NPN补充： BDX42和BDX44 。

1

2

3

顶视图

1

2

3

MAM350

Fig.1

简化外形（ TO- 126 ; SOT32 ）

和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BDX45

BDX47

V

CES

集电极 - 发射极电压

BDX45

BDX47

I

C

P

合计

h

FE

f

T

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

T

AMB

≤

25

°C

T

mb

≤

100

°C

I

C

=

150

毫安; V

CE

=

10

V

I

C

=

500

毫安; V

CE

=

10

V

I

C

=

500

毫安; V

CE

=

5

V ; F = 100 MHz的

V

BE

= 0

1000

2000

200

45

80

1

1.25

5

兆赫

V

A

W

发射极开路

60

90

V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1997年7月2日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BDX45

BDX47

V

CES

集电极 - 发射极电压

BDX45

BDX47

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

T

mb

≤

100

°C

集电极开路

V

BE

= 0

65

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BDX45 ; BDX47

分钟。

马克斯。

60

90

45

80

5

1

2

100

1.25

5

+150

150

+150

V

A

单位

mA

W

°C

热特性

符号

R

日J-一

R

日J- MB

参数

从结点到环境的热阻

从结热阻安装基座

条件

在自由空气

价值

100

10

单位

K / W

1997年7月2日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

参数

集电极截止电流

BDX45

BDX47

I

CES

集电极截止电流

BDX45

BDX47

I

EBO

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

V

BE

= 0; V

CE

=

45

V

BE

= 0; V

CE

=

80

V

I

C

= 0; V

EB

=

4

V

CE

=

10

V ;参照图2

I

C

=

150

mA

I

C

=

500

mA

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和

电压

I

C

=

500

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

500

毫安;我

B

=

0.5

毫安;牛逼

j

= 150

°C

I

C

=

1

A;我

B

=

4

mA

I

C

=

1

A;我

B

=

4

毫安;牛逼

j

= 150

°C

V

BESAT

f

T

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

基射极饱和电压

跃迁频率

I

C

=

500

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

1

A;我

B

=

4

mA

I

C

=

500

毫安; V

CE

=

5

V ; F = 100 MHz的

I

CON

=

500

毫安;我

BON

=

0.5

毫安;

I

B关

- 0.5毫安

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

看科幻G.3

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

E

= 0; V

CB

=

60

V

I

E

= 0; V

CB

=

90

V

条件

BDX45 ; BDX47

分钟。

典型值。

200

MAX 。 UNIT

100

50

1.3

1.6

1.9

2.2

V

兆赫

nA

1000

2000

500

200

300

700

550

150

ns

1997年7月2日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

BDX45 ; BDX47

手册，全页宽

6000

MGD839

的hFE

5000

4000

3000

2000

1000

0

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

V

CE

=

10

V.

图2直流电流增益;典型值。

andbook ，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MGD624

V

i

=

10

V ; T = 200

s;

t

p

= 6

s;

t

r

= t

f

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 10 kΩ的;

B

= 10 kΩ的;

C

= 18

.

V

BB

= 1.8 V; V

CC

=

10.7

V.

示波器的输入阻抗Z

i

= 50

.

图3测试电路的开关时间。

1997年7月2日

5