【BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64DPNP硅功率DAR】,IC型号BDW64A,BDW64A PDF资料,BDW64A经销商,ic,电子元器件-51电子网

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

●

专为配套使用带

BDW63 ， BDW63A ， BDW63B ， BDW63C和

BDW63D

在25 ° C的温度， 60瓦

B

的TO-220封装

（ TOP VIEW ）

●

1

2

3

6的连续集电极电流

最低

FE

750在3V ，2 A

C

E

销2与安装底座的电接触。

MDTRACA

在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）

等级

BDW64

BDW64A

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0 ）（见注1 ）

BDW64B

BDW64C

BDW64D

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

连续基极电流

连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）

在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）

非钳位电感负载的能量（见注4 ）

工作结温范围

工作温度范围

工作自由空气的温度范围内

注：1 。

2.

3.

4.

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

P

合计

½LI

C

T

j

T

英镑

T

A

2

符号

价值

-45

-60

单位

V

CBO

-80

-100

-120

-45

-60

V

首席执行官

-80

-100

-120

-5

-6

-0.1

60

2

50

-65到+150

V

A

W

mJ

°C

这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。

降额直线到150℃的情况下的温度以0.48的比率W / ℃。

线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。

此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我

B（上）

= -5毫安，R

BE

= 100

,

V

BE （OFF）的

= 0, R

S

= 0.1

,

V

CC

= -20 V.

1978年8月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

NOITAMROFNI

TCUDORP

1

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）

参数

测试条件

BDW64

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BDW64A

I

C

= -30毫安

I

B

= 0

（见注5 ）

BDW64B

BDW64C

BDW64D

V

CE

= -30 V

I

首席执行官

集电极 - 发射极

截止电流

V

CE

= -30 V

V

CE

= -40 V

V

CE

= -50 V

V

CE

= -60 V

V

CB

= -45 V

V

CB

= -60 V

V

CB

= -80 V

V

CB

= -100 V

I

CBO

集电极截止

当前

V

CB

= -120 V

V

CB

= -45 V

V

CB

= -60 V

V

CB

= -80 V

V

CB

= -100 V

V

CB

= -120 V

I

EBO

h

FE

V

BE（上）

V

CE （ SAT ）

V

EC

发射极截止

当前

正向电流

传输比

基射

电压

集电极 - 发射极

饱和电压

并联二极管

正向电压

V

EB

=

V

CE

=

V

CE

=

V

CE

=

I

B

=

I

B

=

I

E

=

-5 V

-3 V

-12毫安

-60毫安

-6 A

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

C

= 0

I

C

= -2 A

I

C

= -6 A

I

C

= -2 A

I

C

= -2 A

I

C

= -6 A

I

B

= 0

（见注5和6）

750

100

-2.5

-4

-3.5

V

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

民

-45

-60

-80

-100

-120

-0.5

-0.2

-5

-2

20000

mA

V

典型值

最大

单位

注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T

p

= 300微秒，占空比

≤

2%.

6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。

热特性

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳热阻

结到自由空气的热阻

民

典型值

最大

2.08

62.5

单位

° C / W

在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性

参数

t

on

t

关闭

测试条件

I

C

= -3 A

V

BE （OFF）的

= 4.5 V

I

B（上）

= -12毫安

R

L

= 10

民

I

B（关闭）

= 12毫安

t

p

= 20

s,

dc

≤

2%

典型值

1

5

最大

单位

s

开启时间

打开-O FF时间

显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。

2

1978年8月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

NOITAMROFNI

TCUDORP

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

典型特征

典型的直流电流增益

vs

集电极电流

V

CE （ SAT ）

- 集电极 - 发射极饱和电压 - V

40000

TCS125AD

集电极 - 发射极饱和电压

vs

集电极电流

-2·0

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

I

B

= I

C

/ 100

-1·5

TCS125AE

h

FE

- 典型的直流电流增益

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

10000

-1·0

1000

-0·5

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

0

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

V

CE

= -3 V

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

100

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

图1 。

图2中。

基射极饱和电压

vs

集电极电流

-3·0

V

BE （ SAT ）

- 基射极饱和电压 - V

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

TCS125AF

-2·0

-2·5

-1·0

-1·5

I

B

= I

C

/ 100

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

网络连接gure 3 。

1978年8月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

NOITAMROFNI

TCUDORP

3

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

最大安全工作区

最大正向偏置

安全工作区

-10

SAS125AC

I

C

- 集电极电流 - 一个

-1·0

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

-0·1

-1·0

-10

-100

-1000

V

CE

- 集电极 - 发射极电压 - V

图4中。

热信息

最大功率耗散

vs

外壳温度

80

P

合计

- 最大功耗 - W

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度 - C

TIS120AB

图5中。

4

1978年8月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

NOITAMROFNI

TCUDORP

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

机械数据

TO-220

3 - pin塑料法兰安装型封装

此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的

化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能

当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的

在钎焊组件中使用时，清洗或处理。

TO220

4,70

4,20

3,96

3,71

10,4

10,0

2,95

2,54

6,6

6,0

15,90

14,55

1,32

1,23

见注释B

另请注意：C

6,1

3,5

0,97

0,61

1

2

3

1,70

1,07

14,1

12,7

2,74

2,34

5,28

4,88

2,90

2,40

0,64

0,41

第1版

第2版

以毫米为单位所有长度

注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。

B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。

据包版本C.典型固定孔中心站开高。

第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。

MDXXBE

5

1978年8月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

NOITAMROFNI

TCUDORP

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

1978年8月 - 修订1997年3月

q

专为配套使用带

BDW63 ， BDW63A ， BDW63B ， BDW63C和

BDW63D

在25 ° C的温度， 60瓦

B

的TO-220封装

（ TOP VIEW ）

q

1

2

3

6的连续集电极电流

最低

FE

750在3 V ，2 A

C

E

销2与安装底座的电接触。

MDTRACA

绝对最大额定值

在25℃的情况下的温度（除非另有说明）

等级

BDW64

BDW64A

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0 ）（见注1 ）

BDW64B

BDW64C

BDW64D

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

连续基极电流

连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）

在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）

非钳位电感负载的能量（见注4 ）

工作结温范围

工作温度范围

工作自由空气的温度范围内

注：1 。

2.

3.

4.

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

P

合计

½LI

C

2

T

j

T

英镑

T

A

V

首席执行官

V

CBO

符号

价值

-45

-60

-80

-100

-120

-45

-60

-80

-100

-120

-5

-6

-0.1

60

2

50

-65到+150

V

A

W

mJ

°C

V

单位

这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。

降额直线到150℃的情况下的温度以0.48的比率W / ℃。

线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。

此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我

B（上）

= -5毫安，R

BE

= 100

,

V

BE （OFF）的

= 0, R

S

= 0.1

,

V

CC

= -20 V.

产品

信息

信息为出版日期。产品符合根据规格

随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

1

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

1978年8月 - 修订1997年3月

在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）

参数

测试条件

BDW64

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BDW64A

I

C

= -30毫安

I

B

= 0

（见注5 ）

BDW64B

BDW64C

BDW64D

V

CE

= -30 V

I

首席执行官

集电极 - 发射极

截止电流

V

CE

= -30 V

V

CE

= -40 V

V

CE

= -50 V

V

CE

= -60 V

V

CB

= -45 V

V

CB

= -60 V

V

CB

= -80 V

V

CB

= -100 V

I

CBO

集电极截止

当前

V

CB

= -120 V

V

CB

= -45 V

V

CB

= -60 V

V

CB

= -80 V

V

CB

= -100 V

V

CB

= -120 V

I

EBO

h

FE

V

BE（上）

V

CE （ SAT ）

V

EC

发射极截止

当前

正向电流

传输比

基射

电压

集电极 - 发射极

饱和电压

并联二极管

正向电压

V

EB

=

V

CE

=

V

CE

=

V

CE

=

I

B

=

I

B

=

I

E

=

-5 V

-3 V

-12毫安

-60毫安

-6 A

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

C

= 0

I

C

= -2 A

I

C

= -6 A

I

C

= -2 A

I

C

= -2 A

I

C

= -6 A

I

B

= 0

（见注5和6）

750

100

-2.5

-4

-3.5

V

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

T

C

= 150°C

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

民

-45

-60

-80

-100

-120

-0.5

-0.2

-5

-2

20000

mA

V

典型值

最大

单位

注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T

p

= 300微秒，占空比

≤

2%.

6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。

热特性

参数

R

θ

JC

R

θ

JA

结到外壳热阻

结到自由空气的热阻

民

典型值

最大

2.08

62.5

单位

° C / W

在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性

参数

t

on

t

关闭

测试条件

I

C

= -3 A

V

BE （OFF）的

= 4.5 V

I

B（上）

= -12毫安

R

L

= 10

民

I

B（关闭）

= 12毫安

t

p

= 20

s,

dc

≤

2%

典型值

1

5

最大

单位

s

开启时间

打开-O FF时间

显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。

产品

信息

2

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

1978年8月 - 修订1997年3月

典型特征

典型的直流电流增益

vs

集电极电流

V

CE （ SAT ）

- 集电极 - 发射极饱和电压 - V

40000

TCS125AD

集电极 - 发射极饱和电压

vs

集电极电流

-2·0

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

I

B

= I

C

/ 100

-1·5

TCS125AE

h

FE

- 典型的直流电流增益

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

10000

-1·0

1000

-0·5

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

0

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

V

CE

= -3 V

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

100

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

图1 。

图2中。

基射极饱和电压

vs

集电极电流

-3·0

V

BE （ SAT ）

- 基射极饱和电压 - V

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

TCS125AF

-2·0

-2·5

-1·0

-1·5

I

B

= I

C

/ 100

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

网络连接gure 3 。

产品

信息

3

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

1978年8月 - 修订1997年3月

最大安全工作区

最大正向偏置

安全工作区

-10

SAS125AC

I

C

- 集电极电流 - 一个

-1·0

BDW64

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

-0·1

-1·0

-10

-100

-1000

V

CE

- 集电极 - 发射极电压 - V

图4中。

热信息

最大功率耗散

vs

外壳温度

80

P

合计

- 最大功耗 - W

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度 - C

TIS120AB

图5中。

产品

信息

4

BDW64 ， BDW64A ， BDW64B ， BDW64C ， BDW64D

PNP硅功率DARLINGTONS

1978年8月 - 修订1997年3月

机械数据

TO-220

3 - pin塑料法兰安装型封装

此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的

化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能

当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的

在钎焊组件中使用时，清洗或处理。

TO220

4,70

4,20

3,96

3,71

10,4

10,0

2,95

2,54

6,6

6,0

15,90

14,55

1,32

1,23

见注释B

另请注意：C

6,1

3,5

0,97

0,61

1

2

3

1,70

1,07

14,1

12,7

2,74

2,34

5,28

4,88

2,90

2,40

0,64

0,41

第1版

第2版

以毫米为单位所有长度

注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。

B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。

据包版本C.典型固定孔中心站开高。

第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。

MDXXBE

产品

信息

5

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP达林顿功率晶体管

描述

-collector

目前-I

C

= -

6A

高

直流电流增益-H

FE

= 750 （分钟） @我

C

= -2A

.Complement

到类型BDW63 / A / B / C / D

应用

·设计

音频输出级和一般放大器

和切换应用程序

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

BDW64

BDW64A

V

CBO

集电极 - 基

电压

BDW64B

价值

-45

-60

-80

V

单位

BDW64/A/B/C/D

V

首席执行官

集电极 - 发射极

电压

w

.CN

i

em

cs

。是

w

BDW64C

-100

BDW64D

BDW64

-120

-45

BDW64A

BDW64B

-60

-80

V

BDW64C

BDW64D

-100

-120

-5

-6

-0.1

2

W

60

150

-65~150

℃

V

A

V

EBO

I

C

I

B

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

基极电流连续

集电极耗散功率

@ T

a

=25℃

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

结温

存储温度范围

P

C

T

J

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

RTH J-

参数

热阻，结到外壳

最大

2.08

62.5

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP达林顿功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

BDW64

BDW64A

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BDW64B

BDW64C

BDW64D

V

CE(sat)-1

V

CE(sat)-2

V

BE （

on

)

V

ECF

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

I

C

= -2A ;我

B

= -12mA

B

BDW64/A/B/C/D

条件

民

-45

-60

典型值。

最大

单位

I

C

= -30mA ;我

B

= 0

-80

-100

-120

-2.5

-4.0

-2.5

-3.5

V

I

C

= -6A ;我

B

= -60mA

B

C- ê二极管正向电压

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

w

.CN

i

em

cs

。是

w

I

F

= -6A

BDW64

V

CE

= -30V ;我

B

= 0

B

I

C

= -2A ; V

CE

= -3V

BDW64A

BDW64B

V

CE

= -30V ;我

B

= 0

B

V

CE

= -40V ;我

B

= 0

B

-0.5

mA

BDW64C

V

CE

= -50V ;我

B

= 0

V

CE

= -60V ;我

B

= 0

B

BDW64D

BDW64

BDW64A

I

CBO

收藏家Cuto FF电流

BDW64B

BDW64C

BDW64D

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射Cuto FF电流

直流电流增益

V

CB

= -45V ;我

E

= 0

V

CB

= -45V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -60V ;我

E

= 0

V

CB

= -60V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -80V ;我

E

= 0

V

CB

= -80V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -100V ;我

E

= 0

V

CB

= -100V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -120V ;我

E

= 0

V

CB

= -120V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

EB

= -5V ;我

C

= 0

I

C

= -2A ; V

CE

= -3V

I

C

= -6A ; V

CE

= -3V

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-2.0

mA

750

100

20000

开关时间

t

on

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

I

C

= -3A ;我

B1

= -I

B2

= -12mA ;

V

BE （OFF）的

= -4.5V ，R

L

=10Ω

1.0

5.0

μs

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP达林顿功率晶体管

描述

-collector

目前-I

C

= -

6A

高

直流电流增益-H

FE

= 750 （分钟） @我

C

= -2A

.Complement

到类型BDW63 / A / B / C / D

应用

·设计

音频输出级和一般放大器

和切换应用程序

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

BDW64

BDW64A

V

CBO

集电极 - 基

电压

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

V

首席执行官

集电极 - 发射极

电压

BDW64B

BDW64C

BDW64D

V

EBO

I

C

I

B

BDW64/A/B/C/D

价值

-45

-60

-80

-100

-120

-45

-60

-80

-100

-120

-5

-6

-0.1

2

单位

V

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

基极电流连续

集电极耗散功率

@ T

a

=25℃

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

结温

存储温度范围

V

A

P

C

W

60

150

-65~150

℃

T

J

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

RTH J-

参数

热阻，结到外壳

最大

2.08

62.5

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP达林顿功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

BDW64

BDW64A

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BDW64B

BDW64C

BDW64D

V

CE(sat)-1

V

CE(sat)-2

V

BE （

on

)

V

ECF

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

C- ê二极管正向电压

BDW64

BDW64A

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

BDW64A

I

CBO

收藏家Cuto FF电流

BDW64B

BDW64C

BDW64D

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射Cuto FF电流

直流电流增益

I

C

= -2A ;我

B

= -12mA

B

BDW64/A/B/C/D

条件

民

-45

-60

典型值。

最大

单位

I

C

= -30mA ;我

B

= 0

-80

-100

-120

-2.5

-4.0

-2.5

-3.5

V

I

C

= -6A ;我

B

= -60mA

B

I

C

= -2A ; V

CE

= -3V

I

F

= -6A

V

CE

= -30V ;我

B

= 0

B

V

CE

= -30V ;我

B

= 0

B

V

CE

= -40V ;我

B

= 0

B

-0.5

mA

V

CE

= -50V ;我

B

= 0

B

V

CE

= -60V ;我

B

= 0

B

V

CB

= -45V ;我

E

= 0

V

CB

= -45V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -60V ;我

E

= 0

V

CB

= -60V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -80V ;我

E

= 0

V

CB

= -80V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -100V ;我

E

= 0

V

CB

= -100V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

CB

= -120V ;我

E

= 0

V

CB

= -120V ;我

E

= 0; T

J

= 150℃

V

EB

= -5V ;我

C

= 0

I

C

= -2A ; V

CE

= -3V

I

C

= -6A ; V

CE

= -3V

750

100

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-0.2

-5.0

-2.0

20000

mA

开关时间

t

on

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

I

C

= -3A ;我

B1

= -I

B2

= -12mA ;

V

BE （OFF）的

= -4.5V ，R

L

=10Ω

1.0

5.0

μs

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2