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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
·集电极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V- BDW55
= 60V- BDW57
= 80V- BDW59
.Complement
到类型BDW56 /六十〇分之五十八
应用
·设计
用在专业设备如
电信等。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDW55
V
CBO
集电极 - 基
电压
BDW57
BDW59
BDW55
V
CER
集电极 - 发射极
目标电压r
BE
= 1kΩ
BDW57
BDW59
BDW55
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
BDW57
BDW59
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
45
60
100
45
60
100
45
60
80
5
1
1.5
8
175
-65~175
V
A
A
W
℃
℃
V
V
V
单位
BDW55/57/59
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
10
100
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDW55
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
BDW57
BDW59
V
CE
（SAT）
V
BE （
on
)
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
BDW55
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
BDW57
BDW59
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ;我
B
= 50毫安
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 2V
V
CB
= V
CBOMAX
;I
E
= 0
V
CB
= 30V ;我
E
=0;T
J
= 150℃
V
CB
= 45V ;我
E
=0;T
J
= 150℃
V
CB
= 70V ;我
E
=0;T
J
= 150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5V ; F
TEST
= 35MHz时
I
C
= 10毫安，我
B
=0
B
BDW55/57/59
条件
民
45
60
80
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.0
0.1
10
10
10
10
25
40
25
250
250
V
V
μA
μA
μA
兆赫
开关时间
t
d
t
r
t
英镑
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
30
30
500
80
ns
ns
ns
ns
I
C
= 0.15A ;我
B1
= -I
B2
= 15毫安;
V
CC
= 10.2V
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2
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    BDW57
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BDW57
PHI
2024
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