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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第169页 > BDW42_05
BDW42 - NPN , BDW46 ,
BDW47 - PNP
BDW42和BDW47的首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
该系列塑料,中等功率硅NPN和PNP的
达林顿晶体管被设计用于一般目的和低速
开关应用。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 2500 (典型值) @我
C
= 5.0 ADC。
集电极发射极耐受电压@ 30 MADC :
V
CEO ( SUS )
= 80伏直流(分钟) - BDW46
100伏(分钟) - BDW42 / BDW47
低集电极发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
= 2.0伏(最大) @我
C
= 5.0 ADC
3.0伏(最大值) @我
C
= 10.0 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻器
TO- 220AB封装紧凑
无铅包可用*
15 AMP达林顿
其他芯片
功率晶体管
80-100伏, 85瓦
记号
4
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BDW46
BDW42 , BDW47
集电极 - 基极电压
BDW46
BDW42 , BDW47
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
85
0.68
T
J
, T
英镑
-55到+150
W
W / ℃,
°C
V
CB
80
100
5.0
15
0.5
VDC
ADC
ADC
符号
V
首席执行官
80
100
VDC
价值
单位
VDC
1
2
3
TO220AB
CASE 221A -09
风格1
BDWxx
AYWWG
BDWxx =器件代码
X = 42 , 46或47
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
BDW42
BDW42G
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
热特性
特征
热阻,
结到外壳
符号
R
QJC
最大
1.47
单位
° C / W
BDW46
BDW46G
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
BDW47
BDW47G
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
首选
设备是安森美半导体推荐
以供将来使用和最佳的整体价值选择
2005年10月 - 12牧师
出版订单号:
BDW42/D
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比= 2.0 % 。
2.脉冲测试不重复:脉冲宽度= 250毫秒。
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
动态特性
第二击穿
(注2 )
基本特征
(注1 )
开关特性
小信号电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏, F = 1.0千赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0 , F = 0.1兆赫)
普通发射器的小信号短路电流传输比大小
(I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 3.0伏, F = 1.0兆赫)
第二击穿集电极
目前与基地正向偏置
BDW42
基射极电压ON
(I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 10 MADC )
(I
C
= 10位ADC ,我
B
= 50 MADC )
直流电流增益
(I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
(I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏,我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流,我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏,我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ,我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流,我
B
= 0)
集电极发射极耐受电压(注1 )
(I
C
= 30 MADC ,我
B
= 0)
BDW46/BDW47
特征
BDW42 - NPN , BDW46 , BDW47 - PNP
http://onsemi.com
BDW42
BDW46/BDW47
V
CE
= 28.4伏
V
CE
= 40 VDC
V
CE
= 22.5伏
V
CE
= 36 VDC
BDW46
BDW42/BDW47
BDW46
BDW42/BDW47
BDW46
BDW42/BDW47
V
CEO ( SUS )
符号
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
C
ob
h
FE
I
S / B
h
fe
f
T
1000
250
80
100
300
4.0
3.0
1.2
3.8
1.2
最大
200
300
3.0
2.0
3.0
2.0
1.0
1.0
2.0
2.0
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
ADC
VDC
VDC
VDC
pF
2
BDW42 - NPN , BDW46 , BDW47 - PNP
90
PD ,功耗(瓦)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图1.电源温度降额曲线
5.0
R
B
和R
C
变化,以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型,例如:
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
TUT
R
B
V
2
V
CC
30 V
R
C
3.0
2.0
范围
T, TIME (
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
t
s
t
f
+ 8.0 V
0
V
1
51
D
1
+ 4.0 V
[
8.0 k
[
150
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
0.2
0.3
12 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 %
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
ID断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
t
d
@ V
BE (OFF)的
= 0 V
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流( AMP )
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R(T )有效的瞬变
热电阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨,时间或脉冲宽度(毫秒)
20
30
P
( PK)
R
QJC
(吨)= R(T )R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
T
C
= P
( PK)
R
QJC
(t)
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
http://onsemi.com
3
BDW42 - NPN , BDW46 , BDW47 - PNP
有源区的安全工作区
50
IC ,集电极电流( AMP )
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
1.0
BDW42
20 30
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50 70 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
第二击穿极限
焊线LIMIT
热力有限公司
@ T
C
= 25°C (单脉冲)
dc
T
J
= 25°C
1.0毫秒
0.1毫秒
IC ,集电极电流( AMP )
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
1.0
BDW46
BDW47
20 30
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50 70 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
第二击穿极限
焊线LIMIT
热力有限公司
@ T
C
= 25°C (单脉冲)
T
J
= 25°C
1.0毫秒
0.1毫秒
0.5毫秒
0.5毫秒
dc
图5. BDW42
图6. BDW46和BDW47
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
范围
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
比曲线显示。图5和图6的数据是基于
T
J(下PK)
= 200_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。
其次,脉细数限制的有效期为占空比来
提供10 %T
J(下PK)
v
200_C 。牛逼
J(下PK)
可以由下式计算
在图4中的数据在高速情况下,热
限制将减少可处理到的值的功率
比二次击穿施加的限制较少。
*线性外推
10,000
的hFE ,小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
300
T
J
= + 25°C
200
C,电容(pF )
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 3.0 A
BDW46 , 47 ( PNP )
BDW42 ( NPN )
5.0
10
20
50 100
男,频率(KHz )
200
500 1000
100
70
50
C
ib
C
ob
BDW46 , 47 ( PNP )
BDW42 ( NPN )
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
,反向电压(伏)
50
100
30
0.1
图7.小信号电流增益
图8.电容
http://onsemi.com
4
BDW42 - NPN , BDW46 , BDW47 - PNP
BDW42 ( NPN )
20,000
V
CE
= 3.0 V
10,000
的hFE , DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
55
°C
T
J
= 150°C
10,000
的hFE , DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
20,000
BDW46 , 47 ( PNP )
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
25°C
55
°C
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
300
200
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流( AMP )
I
C
,集电极电流( AMP )
图9.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
,基极电流(毫安)
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
,基极电流(毫安)
20
30
图10.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V,电压(V )
V,电压(V )
2.5
2.5
3.0
T
J
= 25°C
2.0
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
1.0
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 250
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
2.0
1.5
1.5
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 250
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 250
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
I
C
,集电极电流( AMP )
1.0
0.5
I
C
,集电极电流( AMP )
图11. “开”电压
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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