【BDW42 * - NPN ， BDW46 ，BDW47 * - PNP首选设备达林顿互补硅功率晶】,IC型号BDW42,BDW42 PDF资料,BDW42经销商,ic,电子元器件-51电子网

BDW42 * - NPN ， BDW46 ，

BDW47 * - PNP

首选设备

达林顿互补

硅功率晶体管

该系列塑料，中等功率硅NPN和PNP的

达林顿晶体管被设计用于一般目的和低速

开关应用。

特点

http://onsemi.com

无铅包装是可用**

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 2500 （典型值） @我

C

= 5.0 ADC。

集电极发射极耐受电压@ 30 MADC ：

V

CEO （ SUS ）

= 80伏直流（分钟） - BDW46

100伏（分钟） - BDW42 / BDW47

低集电极发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 5.0 ADC

3.0伏（最大值） @我

C

= 10.0 ADC

整体结构与内置的基极发射极分流电阻器

TO- 220AB封装紧凑

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

集电极 - 基极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

85

0.68

T

J

, T

英镑

-55

+150

W

W / ℃，

°C

V

CB

80

100

5.0

15

0.5

VDC

ADC

符号

V

首席执行官

80

100

VDC

价值

单位

VDC

1

15达林顿

其他芯片

功率晶体管

80-100 V， 85W。

记号

图

4

TO220AB

CASE 221A

风格1

BDWxx

YYWW

2

3

XX = 42 ， 46或47

YY =年

WW =工作周

订购信息

设备

BDW42

BDW46

BDW47

BDW47G

包

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，

结到外壳

符号

R

QJC

最大

1.47

单位

° C / W

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*首选

设备是安森美半导体推荐

以供将来使用和最佳的整体价值选择

**对于我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，

请下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年6月 - 11牧师

出版订单号：

BDW42/D

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比= 2.0 ％。

2.脉冲测试不重复：脉冲宽度= 250毫秒。

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态特性

第二击穿

（注2 ）

基本特征

（注1 ）

开关特性

小信号电流增益

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

普通发射器的小信号短路电流传输比大小

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

第二击穿集电极

目前与基地正向偏置

BDW42

基射极电压ON

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 5.0 ADC ，我

B

= 10 MADC ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 50 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 5.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

BDW46/BDW47

特征

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

10

PD ，功耗（瓦）

20

30

40

50

60

70

80

90

0

图1.电源温度降额曲线

25

http://onsemi.com

T

C

，外壳温度（ ° C）

50

75

BDW42

BDW46/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

V

CE

= 28.4伏

V

CE

= 40 VDC

V

CE

= 22.5伏

V

CE

= 36 VDC

BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

100

125

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

C

ob

h

FE

I

S / B

h

fe

f

T

150

1000

250

民

80

100

300

4.0

3.0

1.2

3.8

1.2

最大

200

300

3.0

2.0

3.0

2.0

1.0

2.0

MADC

兆赫

单位

ADC

VDC

pF

2

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

5.0

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

[

百毫安

MSD6100下使用我

B

[

百毫安

TUT

R

B

V

2

约

V

CC

30 V

R

C

3.0

2.0

范围

T， TIME （

s)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

s

t

f

+ 8.0 V

0

V

1

约

51

D

1

+ 4.0 V

[

8.0 k

[

150

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

0.3

12 V

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

25

s

对于T

d

和T

r

, D

1

ID断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有极性

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图2.开关时间测试电路

图3.开关时间

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单脉冲

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

P

（ PK）

R

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 1.92 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

θJC

(t)

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

http://onsemi.com

3

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

有源区的安全工作区

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW42

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

20 30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

dc

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

IC ，集电极电流（ AMP ）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW46

BDW47

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

0.5毫秒

dc

图5. BDW42

图6. BDW46和BDW47

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

范围

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

比曲线显示。图5和图6的数据是基于

T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

是可变的取决于条件。

其次，脉细数限制的有效期为占空比来

提供10 ％T

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以由下式计算

在图4中的数据在高速情况下，热

限制将减少可处理到的值的功率

比二次击穿施加的限制较少。

*线性外推

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

300

T

J

= + 25°C

200

C，电容（pF ）

T

J

= 25°C

V

CE

= 3.0 V

I

C

= 3.0 A

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

100

70

50

C

ib

C

ob

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

30

0.1

图7.小信号电流增益

图8.电容

http://onsemi.com

4

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

BDW42 （ NPN ）

20,000

V

CE

= 3.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

0.1

55

°C

T

J

= 150°C

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

20,000

BDW46 ， 47 （ PNP ）

V

CE

= 3.0 V

T

J

= 150°C

25°C

55

°C

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

300

200

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

图10.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

V，电压（V ）

2.5

3.0

T

J

= 25°C

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

1.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

2.0

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

1.0

0.5

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11. “开”电压

http://onsemi.com

5

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BDW42

描述

·采用TO- 220封装

·补充输入BDW47

·达林顿

·高直流电流增益

·低集电极饱和电压

应用

·对于通用和低速

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流DC

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

100

5

15

0.5

85

150

-55~150

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

1.47

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 30mA时我

B

=0

I

C

= 5A ，我

B

=10mA

I

C

= 10A ，我

B

=50mA

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

V

CB

= 100V ，我

E

=0

V

CE

= 50V ，我

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V;f=1MHz

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=0.1MHz

1000

250

4.0

民

100

典型值。

BDW42

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

最大

单位

V

2.0

3.0

1.0

2.0

V

mA

兆赫

200

pF

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BDW42

图2外形尺寸

3

BDW42 * - NPN ， BDW46 ，

BDW47 * - PNP

首选设备

达林顿互补

硅功率晶体管

该系列塑料，中等功率硅NPN和PNP的

达林顿晶体管被设计用于一般目的和低速

开关应用。

特点

http://onsemi.com

无铅包装是可用**

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 2500 （典型值） @我

C

= 5.0 ADC。

集电极发射极耐受电压@ 30 MADC ：

V

CEO （ SUS ）

= 80伏直流（分钟） - BDW46

100伏（分钟） - BDW42 / BDW47

低集电极发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 5.0 ADC

3.0伏（最大值） @我

C

= 10.0 ADC

整体结构与内置的基极发射极分流电阻器

TO- 220AB封装紧凑

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

集电极 - 基极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

85

0.68

T

J

, T

英镑

-55

+150

W

W / ℃，

°C

V

CB

80

100

5.0

15

0.5

VDC

ADC

符号

V

首席执行官

80

100

VDC

价值

单位

VDC

1

15达林顿

其他芯片

功率晶体管

80-100 V， 85W。

记号

图

4

TO220AB

CASE 221A

风格1

BDWxx

YYWW

2

3

XX = 42 ， 46或47

YY =年

WW =工作周

订购信息

设备

BDW42

BDW46

BDW47

BDW47G

包

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，

结到外壳

符号

R

QJC

最大

1.47

单位

° C / W

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*首选

设备是安森美半导体推荐

以供将来使用和最佳的整体价值选择

**对于我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，

请下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年6月 - 11牧师

出版订单号：

BDW42/D

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比= 2.0 ％。

2.脉冲测试不重复：脉冲宽度= 250毫秒。

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态特性

第二击穿

（注2 ）

基本特征

（注1 ）

开关特性

小信号电流增益

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

普通发射器的小信号短路电流传输比大小

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

第二击穿集电极

目前与基地正向偏置

BDW42

基射极电压ON

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 5.0 ADC ，我

B

= 10 MADC ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 50 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 5.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

BDW46/BDW47

特征

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

10

PD ，功耗（瓦）

20

30

40

50

60

70

80

90

0

图1.电源温度降额曲线

25

http://onsemi.com

T

C

，外壳温度（ ° C）

50

75

BDW42

BDW46/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

V

CE

= 28.4伏

V

CE

= 40 VDC

V

CE

= 22.5伏

V

CE

= 36 VDC

BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

100

125

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

C

ob

h

FE

I

S / B

h

fe

f

T

150

1000

250

民

80

100

300

4.0

3.0

1.2

3.8

1.2

最大

200

300

3.0

2.0

3.0

2.0

1.0

2.0

MADC

兆赫

单位

ADC

VDC

pF

2

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

5.0

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

[

百毫安

MSD6100下使用我

B

[

百毫安

TUT

R

B

V

2

约

V

CC

30 V

R

C

3.0

2.0

范围

T， TIME （

s)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

s

t

f

+ 8.0 V

0

V

1

约

51

D

1

+ 4.0 V

[

8.0 k

[

150

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

0.3

12 V

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

25

s

对于T

d

和T

r

, D

1

ID断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有极性

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图2.开关时间测试电路

图3.开关时间

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单脉冲

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

P

（ PK）

R

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 1.92 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

θJC

(t)

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

http://onsemi.com

3

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

有源区的安全工作区

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW42

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

20 30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

dc

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

IC ，集电极电流（ AMP ）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW46

BDW47

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

0.5毫秒

dc

图5. BDW42

图6. BDW46和BDW47

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

范围

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

比曲线显示。图5和图6的数据是基于

T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

是可变的取决于条件。

其次，脉细数限制的有效期为占空比来

提供10 ％T

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以由下式计算

在图4中的数据在高速情况下，热

限制将减少可处理到的值的功率

比二次击穿施加的限制较少。

*线性外推

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

300

T

J

= + 25°C

200

C，电容（pF ）

T

J

= 25°C

V

CE

= 3.0 V

I

C

= 3.0 A

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

100

70

50

C

ib

C

ob

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

30

0.1

图7.小信号电流增益

图8.电容

http://onsemi.com

4

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

BDW42 （ NPN ）

20,000

V

CE

= 3.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

0.1

55

°C

T

J

= 150°C

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

20,000

BDW46 ， 47 （ PNP ）

V

CE

= 3.0 V

T

J

= 150°C

25°C

55

°C

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

300

200

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

图10.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

V，电压（V ）

2.5

3.0

T

J

= 25°C

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

1.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

2.0

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

1.0

0.5

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11. “开”电压

http://onsemi.com

5

BDW42 * - NPN ， BDW46 ，

BDW47 * - PNP

首选设备

达林顿互补

硅功率晶体管

该系列塑料，中等功率硅NPN和PNP的

达林顿晶体管被设计用于一般目的和低速

开关应用。

特点

http://onsemi.com

无铅包装是可用**

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 2500 （典型值） @我

C

= 5.0 ADC。

集电极发射极耐受电压@ 30 MADC ：

V

CEO （ SUS ）

= 80伏直流（分钟） - BDW46

100伏（分钟） - BDW42 / BDW47

低集电极发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 5.0 ADC

3.0伏（最大值） @我

C

= 10.0 ADC

整体结构与内置的基极发射极分流电阻器

TO- 220AB封装紧凑

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

集电极 - 基极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

85

0.68

T

J

, T

英镑

-55

+150

W

W / ℃，

°C

V

CB

80

100

5.0

15

0.5

VDC

ADC

符号

V

首席执行官

80

100

VDC

价值

单位

VDC

1

15达林顿

其他芯片

功率晶体管

80-100 V， 85W。

记号

图

4

TO220AB

CASE 221A

风格1

BDWxx

YYWW

2

3

XX = 42 ， 46或47

YY =年

WW =工作周

订购信息

设备

BDW42

BDW46

BDW47

BDW47G

包

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，

结到外壳

符号

R

QJC

最大

1.47

单位

° C / W

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*首选

设备是安森美半导体推荐

以供将来使用和最佳的整体价值选择

**对于我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，

请下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年6月 - 11牧师

出版订单号：

BDW42/D

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比= 2.0 ％。

2.脉冲测试不重复：脉冲宽度= 250毫秒。

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态特性

第二击穿

（注2 ）

基本特征

（注1 ）

开关特性

小信号电流增益

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

普通发射器的小信号短路电流传输比大小

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

第二击穿集电极

目前与基地正向偏置

BDW42

基射极电压ON

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 5.0 ADC ，我

B

= 10 MADC ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 50 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 5.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

BDW46/BDW47

特征

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

10

PD ，功耗（瓦）

20

30

40

50

60

70

80

90

0

图1.电源温度降额曲线

25

http://onsemi.com

T

C

，外壳温度（ ° C）

50

75

BDW42

BDW46/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

V

CE

= 28.4伏

V

CE

= 40 VDC

V

CE

= 22.5伏

V

CE

= 36 VDC

BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

100

125

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

C

ob

h

FE

I

S / B

h

fe

f

T

150

1000

250

民

80

100

300

4.0

3.0

1.2

3.8

1.2

最大

200

300

3.0

2.0

3.0

2.0

1.0

2.0

MADC

兆赫

单位

ADC

VDC

pF

2

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

5.0

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

[

百毫安

MSD6100下使用我

B

[

百毫安

TUT

R

B

V

2

约

V

CC

30 V

R

C

3.0

2.0

范围

T， TIME （

s)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

s

t

f

+ 8.0 V

0

V

1

约

51

D

1

+ 4.0 V

[

8.0 k

[

150

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

0.3

12 V

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

25

s

对于T

d

和T

r

, D

1

ID断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有极性

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图2.开关时间测试电路

图3.开关时间

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单脉冲

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

P

（ PK）

R

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 1.92 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

θJC

(t)

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

http://onsemi.com

3

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

有源区的安全工作区

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW42

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

20 30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

dc

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

IC ，集电极电流（ AMP ）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW46

BDW47

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

0.5毫秒

dc

图5. BDW42

图6. BDW46和BDW47

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

范围

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

比曲线显示。图5和图6的数据是基于

T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

是可变的取决于条件。

其次，脉细数限制的有效期为占空比来

提供10 ％T

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以由下式计算

在图4中的数据在高速情况下，热

限制将减少可处理到的值的功率

比二次击穿施加的限制较少。

*线性外推

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

300

T

J

= + 25°C

200

C，电容（pF ）

T

J

= 25°C

V

CE

= 3.0 V

I

C

= 3.0 A

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

100

70

50

C

ib

C

ob

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

30

0.1

图7.小信号电流增益

图8.电容

http://onsemi.com

4

BDW42 * - NPN ， BDW46 ， BDW47 * - PNP

BDW42 （ NPN ）

20,000

V

CE

= 3.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

0.1

55

°C

T

J

= 150°C

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

20,000

BDW46 ， 47 （ PNP ）

V

CE

= 3.0 V

T

J

= 150°C

25°C

55

°C

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

300

200

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

图10.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

V，电压（V ）

2.5

3.0

T

J

= 25°C

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

1.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

2.0

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

1.0

0.5

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11. “开”电压

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过BDW42 / D

达林顿互补

硅功率晶体管

。。。设计用于一般目的和低速开关应用。

高直流电流增益 - 的hFE = 2500（典型值） @ IC = 5.0 ADC。

集电极发射极耐受电压@ 30 MADC ：

VCEO （SUS ）= 80伏直流（分钟） - BDW46

VCEO （ SUS） =

100伏（分钟） - BDW42 / BDW47

低集电极发射极饱和电压

VCE （饱和） = 2.0伏（最大）@集成电路= 5.0 ADC

VCE （SAT） =

3.0伏（最大）@ IC = 10.0 ADC

整体结构与内置的基极发射极分流电阻器

TO- 220AB封装紧凑

最大额定值

BDW42*

BDW46

BDW47*

*摩托罗拉的首选设备

NPN

PNP

达林顿

15安培

补充

硅

功率晶体管

80 - 100伏

85 WATTS

PD ，功耗（瓦）

等级

符号

VCEO

VCB

VEB

IC

IB

BDW46

80

BDW42

BDW47

100

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

15

连续集电极电流 -

基极电流

0.5

器件总功耗

@ T = 25

_

C

减免上述25

_

C

PD

85

0.68

瓦

W/

_

C

工作和存储结

温度范围

TJ ， TSTG

- 55至+ 150

_

C

CASE 221A -06

TO–220AB

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

1.47

_

C / W

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

TC ，外壳温度（ ° C）

图1.电源温度降额曲线

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

第七版

3–212

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比= 2.0 ％。

（ 2 ）脉冲测试不重复：脉冲宽度= 250毫秒。

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

动态特性

二次击穿（ 2 ）

基本特征（ 1 ）

开关特性

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

V1

约

25

s

– 12 V

TR ， TF 10纳秒

占空比= 1.0 ％

Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平

D1必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用IB百毫安

MSD6100下使用IB 100毫安

TUT

RB

V2

约

+ 8.0 V

D1

51

8.0 k

150

0

小信号电流增益

（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）

普通发射器的小信号短路电流传输比大小

（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）

第二击穿集电极

目前与基地正向偏置

BDW42

基射极电压ON

（ IC = 10位ADC ， VCE = 4.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 ADC ， IB = 10 MADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 50 MADC ）

直流电流增益

（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）

（ IC = 10位ADC ， VCE = 4.0 V直流）

发射Cuto FF电流

（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）

（ VCB = 100伏， IE = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）

（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）

集电极发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）

BDW46/BDW47

v

图2.开关时间测试电路

对于TD和TR ， D1 ID断开

和V2 = 0

适用于NPN测试电路翻转所有极性

[

+ 4.0 V

特征

[

VCC

– 30 V

RC

范围

BDW41/BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

BDW42

BDW46/BDW47

VCE = 28.4伏

VCE = 40 VDC

VCE = 22.5伏

VCE = 36 VDC

0.1

0.07

0.05

0.1

0.2

0.3

T， TIME （

s)

0.7

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

VCC = 30 V

IC / IB = 250

IB1 = IB2

TJ = 25°C

0.2

ts

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

0.3

IC ，集电极电流（ AMP ）

图3.开关时间

ICBO

ICEO

IEBO

COB

的hFE

是/ B

的hFE

fT

TD @ VBE （关闭） = 0 V

BDW42 BDW46 BDW47

1000

250

民

80

100

300

4.0

3.0

1.2

3.8

1.2

—

tf

tr

最大

200

300

3.0

2.0

3.0

2.0

1.0

2.0

—

5.0 7.0 10

3–213

MADC

兆赫

单位

ADC

VDC

pF

BDW42 BDW46 BDW47

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.05

0.02

t1

单脉冲

t2

P（ PK）

R

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 1.92 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R

θJC

(t)

50

100

200 300

500

1000

D = 0.5

0.2

占空比D = T1 / T2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

图4.热响应

有源区的安全工作区

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW42

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ TC = 25°C （单脉冲）

dc

TJ = 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW46

BDW47

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ TC = 25°C （单脉冲）

TJ = 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

0.5毫秒

dc

图5. BDW42

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - 的VCE限制

晶体管必须为可靠操作而观察到即，在

晶体管不能经受比大于耗散

曲线显示。图2的数据。图5和6是根据TJ （ pk）的=

200

_

℃; TC是可变根据条件。第二个突破性

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

图6. BDW46和BDW47

下脉冲限制是有效的占空比为10％的规定

TJ （ PK）

200

_

C. TJ （ pk）的可从数据计算

图。 4.在高温情况下，热限制将重新

达斯可处理到的值小于俪电源

mitations通过二次击穿的罚款。

v

*线性外推

300

TJ = + 25°C

200

C，电容（pF ）

TJ = 25°C

VCE = 3.0 V

IC = 3.0阿

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

100

70

50

兴业银行

COB

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

20

VR ，反向电压（伏）

50

100

30

0.1

图7.小信号电流增益

3–214

图8.电容

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

BDW42 BDW46 BDW47

BDW40 ， 41 ， 42 （ NPN ）

20,000

VCE = 3.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

0.1

– 55°C

TJ = 150℃

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

0.1

– 55°C

25°C

TJ = 150℃

20,000

VCE = 3.0 V

BDW45 ， 46 ， 47 （ PNP ）

25°C

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0 10

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0 10

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

TJ = 25°C

2.6

IC = 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

TJ = 25°C

2.6

IC = 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

IB ，基极电流（毫安）

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

IB ，基极电流（毫安）

20

30

图10.集电极饱和区

BDW40 ， 41 ， 42 （ NPN ）

3.0

TJ = 25°C

V，电压（V ）

2.5

3.0

TJ = 25°C

BDW45 ， 46 ， 47 （ PNP ）

2.0

VBE （星期六） @ IC / IB = 250

VBE @ VCE = 4.0 V

1.0

VCE （SAT） @ IC / IB = 250

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

2.0

1.5

VBE @ VCE = 4.0 V

VBE （星期六） @ IC / IB = 250

VCE （SAT） @ IC / IB = 250

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

1.0

0.5

IC ，集电极电流（ AMP ）

图11. “开”电压

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3–215

BDW42 BDW46 BDW47

θ

V，温度系数（毫伏/

°

C)

+ 4.0

+ 3.0

+ 2.0

+ 1.0

0

– 1.0

– 2.0

25 ℃150 ℃的

– 3.0

– 4.0

– 5.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

θ

VB的VBE

- 55 ° C至25°C时

2.0 3.0

5.0

7.0 10

* θVC FOR VCE （SAT）

- 55 ° C至25°C时

* IC / IB

v

250

25 ℃150 ℃的

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+ 5.0

+ 4.0

+ 3.0

+ 2.0

+ 1.0

0

– 1.0

– 2.0

– 3.0

– 4.0

– 5.0

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

5.0

10

* θVC FOR VCE （SAT）

- 55 °C至+ 25°C

θ

VB的VBE

+ 25 ℃至150 ℃的

- 55 ° C至+ 25°C

* IC / IB

v

250

+ 25 ℃至150 ℃的

IC ，集电极电流（ AMP ）

图12.温度系数

105

IC ，集电极电流（

A)

IC ，集电极电流（

A)

104

103

102

101

100

10– 1

+ 0.6 + 0.4

TJ = 150℃

100°C

25°C

+ 0.2

0

– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 – 1.0 – 1.2 – 1.4

反向

VCE = 30 V

前锋

105

104

103

102

TJ = 150℃

101

100

100°C

反向

VCE = 30 V

前锋

25°C

10– 1

– 0.6 – 0.4 – 0.2

0

+ 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8

+ 1.0 + 1.2 + 1.4

VBE ，基极发射极电压（伏）

图13.集电极截止区

NPN

BDW42

集热器

PNP

BDW46

BDW47

集热器

BASE

[

8.0 k

[

60

辐射源

[

8.0 k

[

60

辐射源

图14.达林顿示意图

3–216

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

BDW42 - NPN ， BDW46 ，

BDW47 - PNP

BDW42和BDW47的首选设备

达林顿互补

硅功率晶体管

该系列塑料，中等功率硅NPN和PNP的

达林顿晶体管被设计用于一般目的和低速

开关应用。

特点

http://onsemi.com

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 2500 （典型值） @我

C

= 5.0 ADC。

集电极发射极耐受电压@ 30 MADC ：

V

CEO （ SUS ）

= 80伏直流（分钟） - BDW46

100伏（分钟） - BDW42 / BDW47

低集电极发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 5.0 ADC

3.0伏（最大值） @我

C

= 10.0 ADC

整体结构与内置的基极发射极分流电阻器

TO- 220AB封装紧凑

无铅包可用*

15 AMP达林顿

其他芯片

功率晶体管

80-100伏， 85瓦

记号

图

4

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

集电极 - 基极电压

BDW46

BDW42 ， BDW47

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

85

0.68

T

J

, T

英镑

-55到+150

W

W / ℃，

°C

V

CB

80

100

5.0

15

0.5

VDC

ADC

符号

V

首席执行官

80

100

VDC

价值

单位

VDC

1

2

3

TO220AB

CASE 221A -09

风格1

BDWxx

AYWWG

BDWxx =器件代码

X = 42 ， 46或47

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

订购信息

设备

BDW42

BDW42G

包

TO220AB

（无铅）

TO220AB

（无铅）

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

热特性

特征

热阻，

结到外壳

符号

R

QJC

最大

1.47

单位

° C / W

BDW46

BDW46G

50单位/铁

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

BDW47

BDW47G

50单位/铁

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

首选

设备是安森美半导体推荐

以供将来使用和最佳的整体价值选择

2005年10月 - 12牧师

出版订单号：

BDW42/D

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2.0 ％。

2.脉冲测试不重复：脉冲宽度= 250毫秒。

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态特性

第二击穿

（注2 ）

基本特征

（注1 ）

开关特性

小信号电流增益

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

普通发射器的小信号短路电流传输比大小

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏， F = 1.0兆赫）

第二击穿集电极

目前与基地正向偏置

BDW42

基射极电压ON

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 5.0 ADC ，我

B

= 10 MADC ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 50 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 5.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

BDW46/BDW47

特征

BDW42 - NPN ， BDW46 ， BDW47 - PNP

http://onsemi.com

BDW42

BDW46/BDW47

V

CE

= 28.4伏

V

CE

= 40 VDC

V

CE

= 22.5伏

V

CE

= 36 VDC

BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

BDW46

BDW42/BDW47

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

C

ob

h

FE

I

S / B

h

fe

f

T

1000

250

民

80

100

300

4.0

3.0

1.2

3.8

1.2

最大

200

300

3.0

2.0

3.0

2.0

1.0

2.0

MADC

兆赫

单位

ADC

VDC

pF

2

BDW42 - NPN ， BDW46 ， BDW47 - PNP

90

PD ，功耗（瓦）

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图1.电源温度降额曲线

5.0

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

[

百毫安

MSD6100下使用我

B

[

百毫安

TUT

R

B

V

2

约

V

CC

30 V

R

C

3.0

2.0

范围

T， TIME （

μ

s)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

s

t

f

+ 8.0 V

0

V

1

约

51

D

1

+ 4.0 V

[

8.0 k

[

150

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

0.3

12 V

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

25

ms

对于T

d

和T

r

, D

1

ID断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有极性

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图2.开关时间测试电路

图3.开关时间

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单脉冲

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 1.92 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

http://onsemi.com

3

BDW42 - NPN ， BDW46 ， BDW47 - PNP

有源区的安全工作区

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW42

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

dc

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

IC ，集电极电流（ AMP ）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0

BDW46

BDW47

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

50 70 100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

第二击穿极限

焊线LIMIT

热力有限公司

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

T

J

= 25°C

1.0毫秒

0.1毫秒

0.5毫秒

dc

图5. BDW42

图6. BDW46和BDW47

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

范围

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

比曲线显示。图5和图6的数据是基于

T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

是可变的取决于条件。

其次，脉细数限制的有效期为占空比来

提供10 ％T

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以由下式计算

在图4中的数据在高速情况下，热

限制将减少可处理到的值的功率

比二次击穿施加的限制较少。

*线性外推

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

300

T

J

= + 25°C

200

C，电容（pF ）

T

J

= 25°C

V

CE

= 3.0 V

I

C

= 3.0 A

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

100

70

50

C

ib

C

ob

BDW46 ， 47 （ PNP ）

BDW42 （ NPN ）

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

30

0.1

图7.小信号电流增益

图8.电容

http://onsemi.com

4

BDW42 - NPN ， BDW46 ， BDW47 - PNP

BDW42 （ NPN ）

20,000

V

CE

= 3.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

0.1

55

°C

T

J

= 150°C

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

20,000

BDW46 ， 47 （ PNP ）

V

CE

= 3.0 V

T

J

= 150°C

25°C

55

°C

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

300

200

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

图10.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

V，电压（V ）

2.5

3.0

T

J

= 25°C

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

1.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

2.0

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

1.0

0.5

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11. “开”电压

http://onsemi.com

5