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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
BDW39
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 1000 （最小值） @I
C
= 5A
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= 2.0V （最大值） @我
C
= 5.0A
= 3.0V （最大值） @我
C
= 10A
.Complement
到类型BDW44
应用
·设计
用于通用和低速切换
应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
45
单位
V
45
5
V
V
15
A
0.5
85
150
-55~150
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.47
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BDW39
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
45
V
V
CE（
SAT
)-1
V
CE（
SAT
)-2
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 10毫安
B
2.0
V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
= 50毫安
3.0
V
基射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
= 4V
3.0
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 45V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
f
T
直流电流增益
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CE
= 22.5V ;我
B
= 0
B
2.0
mA
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
2.0
mA
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
1000
I
C
= 10A ; V
CE
= 4V
250
I
C
= 3A ; V
CE
= 3V ; F
TEST
= 1MHz的
4
兆赫
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=为0.1MHz
200
pF
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
BDW39
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 1000 （最小值） @I
C
= 5A
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= 2.0V （最大值） @我
C
= 5.0A
= 3.0V （最大值） @我
C
= 10A
.Complement
到类型BDW44
应用
·设计
用于通用和低速切换
应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
45
45
5
15
0.5
85
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.47
单位
℃/W
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BDW39
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
45
V
V
CE（
SAT
)-1
V
CE（
SAT
)-2
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 10毫安
B
2.0
V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
= 50毫安
3.0
V
基射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
= 4V
3.0
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 45V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 22.5V ;我
B
= 0
B
2.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
2.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
1000
h
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f
T
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
= 4V
250
电流增益带宽积
I
C
= 3A ; V
CE
= 3V ; F
TEST
= 1MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=为0.1MHz
4
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输出电容
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B66361-G500-X1
B37941X1332K072
B43305E2188M062
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数量
封装
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操作
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    联系人：杨小姐
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