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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第52页 > BDV67C
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入BDV66 / 66A / 66B / 66C / 66D
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
在音频输出级和一般用途
放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDV67/67A/67B/67C/67D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
BDV67
BDV67A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67
BDV67A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
140
160
60
80
100
120
150
5
16
20
0.5
200
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
BDV67
BDV67A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
C
V
F
t
on
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
二极管的正向电压
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= 10A ，我
B
=40mA
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 30mA时我
B
=0
BDV67/67A/67B/67C/67D
条件
民
60
80
100
120
150
典型值。
最大
单位
V
2.0
2.5
1.0
4.0
1
5
3000
1000
1000
300
3.0
1.0
3.5
V
V
mA
mA
mA
V
CB
=V
CBOMAX
, I
E
=0
V
CB
=1/2V
CBOmax ;
T
j
=150℃
V
CE
=1/2V
CEOMAX
, I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 16A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
=10A
pF
V
μs
μs
I
C
= 10 A，I
B1
=-I
B2
= 40毫安
V
CC
= 12V
热特性
符号
R
日J- MB
参数
热阻结到安装底座
最大
0.625
单位
K / W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDV67/67A/67B/67C/67D
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
BDV67A ， B，C ，D
NPN硅DARLINGTONS电源
晶体管
该BDV67是外延基地达林顿晶体管音频输出级
和一般的放大器和开关应用。
互补是BDV66A ， B，C ，D。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
I
C
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
I
CM
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
@ T
mb
= 25° C
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
价值
80
100
120
150
100
120
140
160
5.0
单位
V
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
16
I
C
集电极电流
A
20
I
B
基极电流
0.5
A
P
T
功耗
200
瓦
T
J
结温
150
°C
-65到+150
T
S
储存温度
半导体COMSET
1/5
BDV67A ， B，C ，D
热特性
符号
R
THJ - MB
评级
热阻，结到
安装底座
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
价值
0.625
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
V
CE
=40 V
测试条件（S ）
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
-
-
1
mA
5
mA
3
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=50 V
V
CE
=60 V
V
CE
=75 V
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
=5 V
T
j
= 25 ° C，V
CB
= V
CBO
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
T
j
= 150℃ ，V
CB
= V
CBO
-
-
半导体COMSET
2/5
BDV67A ， B，C ，D
M
单位
x
-
-
-
2
-
符号
h
FE
评级
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
测试条件（S ）
V
CE
= 3 V，I
C
=1 A
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
V
CE
= 3 V，I
C
=16 A
I
C
= 10 A，I
B
= 40毫安
民
-
1000
-
典型值
3000
-
1000
-
V
CE （ SAT ）
V
BE
基射极电压（ 1&2 ）
V
CE
= 3 V，I
C
=10 A
V
F
二极管的正向电压
I
F
=10 A
C
c
I
E
= 0 ，V
CB
=10V
t
on
开关时间
V
CC
= 12V，我
C
=-10 A
I
B1
=-I
B2
=0.04 A
t
关闭
f
的hFE
V
CE
= -3 V，I
C
=-5 A
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
-
V
-
-
2,5
V
-
-
3
V
-
300
-
pF
-
1
-
s
-
3.5
-
-
60
-
千赫
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
额定通过辅助电路
半导体COMSET
3/5
BDV67A ， B，C ，D
机械数据案例TO- 3P （ TO247 ）
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
BASE
集热器
辐射源
半导体COMSET
4/5
BDV67A ， B，C ，D
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知
半导体COMSET
5/5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入BDV66 / 66A / 66B / 66C / 66D
·达林顿
·高直流电流增益
应用
·对于音频输出级和一般用途
放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDV67/67A/67B/67C/67D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
BDV67
BDV67A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
BDV67
BDV67A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
140
160
60
80
100
120
150
5
16
20
0.5
200
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
BDV67
BDV67A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
C
V
F
t
on
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
二极管的正向电压
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= 10A ，我
B
=40mA
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 30mA时我
B
=0
符号
BDV67/67A/67B/67C/67D
条件
民
60
80
100
120
150
典型值。
最大
单位
V
2.0
2.5
1.0
4.0
1
5
3000
1000
1000
300
3.0
1.0
3.5
V
V
mA
mA
mA
V
CB
=V
CBOMAX
, I
E
=0
V
CB
=1/2V
CBOmax ;
T
j
=150
V
CE
=1/2V
CEOMAX
, I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 16A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
=10A
I
C
= 10 A，I
B1
=-I
B2
= 40毫安
V
CC
= 12V
pF
V
s
s
热特性
符号
R
日J- MB
参数
热阻结到安装底座
最大
0.625
单位
K / W
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDV67/67A/67B/67C/67D
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入BDV66 / 66A / 66B / 66C / 66D
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
在音频输出级和一般用途
放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDV67/67A/67B/67C/67D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
BDV67
BDV67A
BDV67B
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
BDV67C
BDV67D
BDV67
BDV67A
BDV67B
BDV67C
BDV67D
发射极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
80
100
120
140
160
60
80
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
100
120
150
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
集电极开路
5
16
20
0.5
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
200
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
BDV67
BDV67A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDV67B
BDV67C
BDV67D
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
C
V
F
t
on
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
I
C
= 10A ，我
B
=40mA
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 30mA时我
B
=0
BDV67/67A/67B/67C/67D
条件
民
60
80
100
120
150
典型值。
最大
单位
V
2.0
2.5
1.0
4.0
1
V
V
mA
mA
mA
V
CB
=V
CBOMAX
, I
E
=0
V
CB
=1/2V
CBOmax ;
T
j
=150℃
V
CE
=1/2V
CEOMAX
, I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
电半
固
IN
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
导½
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
集电极电容
二极管的正向电压
开启时间
打开-O FF时间
的HAn
C
ES
G
I
C
= 16A ; V
CE
=3V
ND
ICO
EM
1000
OR
UCT
5
3000
1000
300
3.0
1.0
3.5
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
=10A
pF
V
μs
μs
I
C
= 10 A，I
B1
=-I
B2
= 40毫安
V
CC
= 12V
热特性
符号
R
日J- MB
参数
热阻结到安装底座
最大
0.625
单位
K / W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDV67/67A/67B/67C/67D
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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B41868W3108M001
B41303J7338M007
BA823F
BZD27-C33
BD0826J50200A00
供货商
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数量
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单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    BDV67C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BDV67C
ST/PH
2443+
23000
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一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳诚思涵科技有限公司
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电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BDV67C
ST
24+
9850
TO-3P
官方授权代理商入驻
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BDV67C
ST/意法
22+
96032
TO-3P
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BDV67C
ST
24+
32000
TO-3P
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BDV67C
ST/PH
2024
20918
TO-3P
原装现货上海库存，欢迎查询
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BDV67C
ST
21+
15360
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