PNP BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
硅功率晶体管
该BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88处于TO- 220塑料外壳PNP外延基地晶体管。
它们用于在音频输出级和一般的放大器和开关appications使用。
NPN互补的BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87 。
绝对最大额定值
符号
-V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
-I
B
= 0
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
价值
60
80
100
120
60
80
100
120
7
单位
V
-V
CBO
集电极 - 基极电压
-I
E
= 0
V
-V
EBO
发射极 - 基极电压
-I
C
= 0
V
-I
C
集电极电流
15
A
-I
CM
集电极电流峰值
20
A
-I
B
基极电流
4
A
P
t
总功耗
@ T
C
= 25°
125
瓦
半导体COMSET
1/3
PNP BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
符号
T
J
结温
评级
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
价值
150
单位
°C
T
英镑
储存温度
-65到+150
°C
热特性
符号
R
thJA
R
thJMB
评级
热阻，结到环境
热阻，结到安装底座
价值
70
1
单位
K / W
K / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
-I
CB0
评级
收藏家Cuto FF电流
测试条件（S ）
-I
E
=0A , -
V
CB
=60 V
-I
E
=0A , -
V
CB
=80 V
-I
E
=0A , -
V
CB
=100 V
-I
E
=0A , -
V
CB
=120 V
-V
BE
=0 , -V
CE
= 60V
-V
BE
=0 , -V
CE
= 80V
-V
BE
=0 , -V
CE
= 100V
-V
BE
=0 , -V
CE
= 120V
-V
EB
= 7.0 V， -I
C
=0
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
1
1
1
1
0.1
mA
-I
CES
收藏家Cuto FF电流
-I
EBO
发射Cuto FF电流
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
mA
mA
-I
C
= 50微米的， -V
CE
=10 V
40
-
-
-
H
FE
直流电流增益（ 1 ）
-I
C
= 5 A， -V
CE
=4.0 V
40
-
-
-I
C
= 5 A， -I
B
=0.5 A
-
-
1
V
-V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ 1）
-I
C
= 7 A， -I
B
=0.7 A
-
-
1.6
半导体COMSET
2/3
PNP BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
-V
BE
基极 - 发射极电压（1）
-I
C
= 5 A， -V
CE
=4 V
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
-
-
1.5
V
符号
-I
S / B
f
T
t
on
T
关闭
评级
第二击穿集电极
当前
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
测试条件（S ）二段
-V
CE
= 50 V，T
P
= 100毫秒
-V
CE
= 10 V ， -I
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
-I
C
= 7 A， -I
B1
= I
B2
=0.7 A
-I
C
= 7 A， -I
B1
= I
B2
=0.7 A
最小典型单位的Mx
2.5
-
-
-
-
20
-
-
-
-
1
2
A
兆赫
s
（ 1 ）脉冲宽度= 300
s, δ
< = 2 ％
机械数据案例TO- 220
尺寸
mm
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
9,86
15,73
13,37
6,67
4,44
4,21
2,99
17,21
1,29
3,6
1,36
0,46
2,1
5
2,52
0,79
英寸
0,39
0,62
0,52
0,26
0,17
0,16
0,11
0,68
0,05
0,14
0,05
0,02
0,08
0,19
0,098
0,03
BASE
集热器
辐射源
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 40 （分） @我
C
=
5A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 60V （最小值） - BDT81 ; 80V （最小值） - BDT83 ;
100V （最小） - BDT85 ; 120V （最小） - BDT87
.Complement
到类型BDT82 / 84 / 88分之86
应用
·设计
在音频输出级和一般用途放大器
和切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
BDT81
BDT83
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDT85
BDT87
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT81/83/85/87
价值
60
80
单位
V
100
120
60
80
V
100
120
7
15
20
4
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
1
70
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
硅功率晶体管
该BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87是外延基地的晶体管采用TO -220塑料
信封。
它们设计用于音频输出级和一般放大器和开关的使用
appications 。
PNP互补的BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88 。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
评级
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
价值
60
80
100
120
60
80
100
120
7
15
20
4
125
150
-65到+150
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
I
B
= 0
V
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
t
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
I
E
= 0
I
C
= 0
V
V
A
A
A
W
°C
°C
@ TC = 25 °
热特性
符号
R
thJA
R
thJMB
评级
热阻，结到环境
热阻，结到安装底座
半导体COMSET
价值
70
1
单位
K / W
K / W
1|4
09/11/2012
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
I
E
= 0A ，V
CB
= 60 V
I
E
= 0A ，V
CB
= 80 V
I
E
= 0A ，V
CB
= 100 V
I
E
= 0A ，V
CB
= 120 V
V
BE
=0, V
CE
= 60V
V
BE
=0, V
CE
= 80V
V
BE
=0, V
CE
= 100V
V
BE
=0, V
CE
= 120V
V
EB
= 7 V
I
C
=0
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
BDT81
BDT83
BDT85
BDT87
民
典型值
最大
单位
I
CB0
收藏家Cuto FF电流
-
-
0.2
mA
I
CES
收藏家Cuto FF电流
-
-
1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
-
-
0.1
mA
I
C
= 50毫安
V
CE
= 10V
h
FE
直流电流增益（ * ）
I
C
= 5A
V
CE
= 4V
40
-
-
-
40
-
-
I
C
= 5A
I
B
= 0.5A
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ * ）
I
C
= 5A
I
B
= 0.5A
-
-
1
V
-
-
1.6
V
BE
基射极电压（ * ）
I
C
= 7A
I
B
= 0.7A
-
-
1.5
V
09/11/2012
半导体COMSET
2|4
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
S / B
f
T
t
on
T
关闭
评级
第二击穿
集电极电流
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
测试条件（S ）二段
V
CE
= 50 V ，T
P
= 100毫秒
V
CE
= 10 V，I
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
I
C
= -7 A
I
B1
= -I
B2
= 0.7 A
民
2.5
-
-
-
典型值
-
20
-
-
最大
-
-
1
2
单位
A
兆赫
s
（ * ）脉冲宽度= 300微秒，
δ
< = 2 ％
09/11/2012
半导体COMSET
3|4
NPN BDT81 - BDT83 - BDT85 - BDT87
机械数据案例TO- 220
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
包
9,90
15,65
13,20
6,45
4,30
2,70
2,60
15,75
1,15
3,50
-
0,46
2,50
4,98
2.49
0,70
马克斯。
10,30
15,90
13,40
6,65
4,50
3,15
3,00
17.15
1,40
3,70
1,37
0,55
2,70
5,08
2.54
0,90
BASE
集热器
辐射源
集热器
修订后的2012年10月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担使用后果不承担任何责任
这类信息也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有更改，恕不
通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不
不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键部件
生命支持设备或系统。
www.comsetsemi.com
09/11/2012
info@comsetsemi.com
半导体COMSET
4|4
QQ：2880707522 复制
