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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第465页 > BDT65C
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BDT65C
描述
·采用TO- 220封装
·高直流电流增益
·达林顿
·补键入BDT64C
应用
·对于音频输出级和一般
目的放大器和开关
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
120
5
12
125
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
正向二极管电压
正向二极管电压
集电极电容
开启时间
I
C
= 5A ，我
BON
=-I
B关
=20mA
t
关闭
打开-O FF时间
6.0
条件
I
C
= 30mA时我
B
=0
I
C
= 5A ，我
B
=20mA
I
C
= 10A ，我
B
=100mA
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0;T
j
=150
V
CE
= 60V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 12A ; V
CE
=4V
I
F
=5A
I
F
=12A
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
2.0
200
1.0
1000
1000
1500
民
120
典型值。
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
V
F-1
V
F-2
C
C
t
on
BDT65C
最大
单位
V
2.0
3.0
2.5
0.4
2.0
0.2
5
V
V
V
mA
mA
mA
2.0
V
V
pF
2.5
10
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDT65C
图2外形尺寸
3
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
=
12A
高
直流电流增益-H
FE
= 1000 （最小值） @我
C
= 5A
.Complement
到类型BDT64 / A / B / C
应用
·设计
用于音频输出级和通用
扩增fi er应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDT65
集电极 - 发射极
电压
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
集电极 - 发射极
电压
BDT65A
BDT65B
BDT65C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT65/A/B/C
价值
60
80
单位
V
CER
V
100
120
60
80
V
100
120
5
12
20
0.5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT65
BDT65A
I
C
= 30毫安，我
B
=0
B
BDT65/A/B/C
条件
民
60
80
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
100
120
BDT65B
BDT65C
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE （
on
)
V
ECF-1
V
ECF-2
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
C- ê二极管正向电压
C- ê二极管正向电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
I
C
= 5A ;我
B
= 20mA下
B
2.0
3.0
2.5
2.0
2.0
0.2
0.4
2.0
5
1500
1000
1000
200
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 10A ;我
B
= 100毫安
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
I
F
= 5A
I
F
= 12A
V
CE
=
1
/
2
V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
CB
= V
CBOMAX
;I
E
= 0
V
CB
=
1
/
2
V
CBOMAX
;I
E
= 0;T
C
= 150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
I
C
= 5A ; V
CE
= 4V
I
C
= 12A ; V
CE
= 4V
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
=1MHz
pF
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
1
6.0
2.5
10
μs
μs
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 20mA下;
V
CC
= 30V
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
半导体
BDT65-A-B-C
硅达林顿功率晶体管
在单片Dalrington电路NPN型外延基区晶体管和容纳在一个TO -220
ENVELOPPE 。它们被设计用于音频设备，一般的放大器的输出级，并
模拟开关应用。
PNP补充是BDT64 -A -B -C
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
评级
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
价值
60
80
100
120
60
80
100
120
5
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C
集电极电流
12
A
I
CM
集电极电流峰值
20
A
26/09/2012
半导体COMSET
1|5
半导体
BDT65-A-B-C
绝对最大额定值
符号
评级
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
价值
单位
I
B
基极电流
500
mA
P
T
功耗
@ T
mb
< 25 °
125
瓦
T
J
结温
150
°C
-65到+150
T
s
存储温度范围
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
价值
1
单位
° C / W
26/09/2012
半导体COMSET
2|5
半导体
BDT65-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
民
典型值
最大
单位
I
E
= 0
V
CB
= V
CBO
最大
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
E
= 0
V
CB
= 1/2 V
CBO
最大
T
J
= 150 °C
I
E
= 0
V
CE
= 1/2 V
首席执行官
最大
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5 V
I
C
= 0
V
首席执行官
集电极 - 发射极
击穿电压
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
I
C
= 5 A
I
B
= 20毫安
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ * ）
I
C
= 10 A
I
B
= 100毫安
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
-
-
0.4
mA
-
-
2
mA
-
-
0.2
mA
-
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
2
mA
V
V
-
-
3
26/09/2012
半导体COMSET
3|5
半导体
BDT65-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
BE（上）
基射极电压（ * ）
评级
I
C
= 5 A，V
CE
= 4 V
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
BDT65
BDT65A
BDT65B
BDT65C
民
-
典型值
-
最大
2.5
单位
V
I
F
= 5 A
V
ECF
C- ê二极管正向
电压
I
F
= 12 A
-
2
V
-
2
-
V
CE
= 4 V，I
C
= 1 A
-
1500
-
h
FE
直流电流增益（ * ）
V
CE
= 4 V，I
C
= 5 A
1000
-
-
-
V
CE
= 4 V，I
C
= 12 A
-
1000
-
C
OB
输出电容
I
E
= 0, V
CB
= 10 V
f
TEST
= 1MHz的
-
200
-
pF
开关时间
符号
t
on
t
关闭
评级
开启时间
打开-O FF时间
测试条件（S ）
I
C
= 5 A，V
CC
= 30 V
I
B1
= -I
B2
= 20毫安
民
-
-
典型值
1
6
最大
2.5
10
单位
s
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
26/09/2012
半导体COMSET
4|5
半导体
BDT65-A-B-C
机械数据案例TO- 220
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
9,90
15,65
13,20
6,45
4,30
2,70
2,60
15,75
1,15
3,50
-
0,46
2,50
4,98
2.49
0,70
马克斯。
10,30
15,90
13,40
6,65
4,50
3,15
3,00
17.15
1,40
3,70
1,37
0,55
2,70
5,08
2.54
0,90
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
包
BASE
集热器
辐射源
集热器
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何
和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
info@comsetsemi.com
26/09/2012
半导体COMSET
5|5
查看更多BDT65CPDF信息
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BC501
B5J620E
B41821A4107M003
BR24L02FJ-WE2
B66396A1022T001
B72590T7900V060
BZX384-B3V3
BZX384B3V3
BAR6006S
B560
B43858C9226M012
BUS-61569-410Q
B43510B9128M007
BS62LV2006DCP55
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BDT65C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京杰创宏达电子有限公司
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电话：010-61190909
联系人：伊小姐
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
BDT65C
原厂原装
25+
2500
TO220
授权代理商
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BDT65C
ST/意法
21+
18600
TO-220
全新原装正品/质量有保证
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
BDT65C
ST/MOT/ON+
2015+
5800
TO-220
香港原装现货 3-5天
深圳诚思涵科技有限公司
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电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BDT65C
ST
24+
9850
TO-220
官方授权代理商入驻
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
BDT65C
ST/正品
13+
25800
TO-220
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BDT65C
ST
25+
4500
TO-220
全新原装现货特价销售！
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BDT65C
ST
24+
1480
TO-220
100%原装正品，只做原装正品
锦迅科技(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
BDT65C
IR
21+
12000
TO-220
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
BDT65C
ST
24+
13740
TO-220
全新原装正品现货特价
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BDT65C
ST/意法
2410+
15300
TO-220
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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