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> BDT64CF
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
= -
12A
高
直流电流增益-H
FE
= 1000 (最小值) @我
C
= -5A
.Complement
到类型BDT65F / AF / BF / CF
应用
·设计
用于音频输出级和通用
扩增fi er应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
BDT64F
集电极 - 发射极
电压
BDT64AF
BDT64BF
BDT64CF
BDT64F
集电极 - 发射极
电压
BDT64AF
BDT64BF
BDT64CF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT64F/AF/BF/CF
价值
-60
-80
单位
V
CER
V
-100
-120
-60
-80
V
-100
-120
-5
-12
-20
-0.5
39
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
5.7
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT64F
BDT64AF
I
C
= -30mA ;我
B
=0
B
BDT64F/AF/BF/CF
条件
民
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
-100
-120
BDT64BF
BDT64CF
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE (
on
)
V
ECF
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
C- ê二极管正向电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
I
C
= -5A ;我
B
= -20mA
B
-2.0
-3.0
-2.5
-2.0
-1
-0.4
-2
-5
4000
1000
800
200
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= -10A ;我
B
= -100mA
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
I
F
= -5A
V
CE
=
1
/
2
V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
CB
= V
CBOMAX
;I
E
= 0
V
CB
=
1
/
2
V
CBOMAX
;I
E
= 0;T
C
= 150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
I
C
= -12A ; V
CE
= -4V
I
E
= 0 ; V
CB
= -10V ; F
TEST
=1MHz
pF
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
0.5
2.5
2
5
μs
μs
I
C
= -5A ;我
B1
= -I
B2
= -20mA ;
V
CC
= -30V
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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BDT64CF
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B43305B5477M080
B481E-2T
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