【INCHANGE半导体ISC产品speci fi cationISC硅NPN达林顿功率晶体管描述-c】,IC型号BDT63B,BDT63B PDF资料,BDT63B经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

描述

-collector

目前-I

10A

高

直流电流增益-H

= 1000 （最小值） @我

= 3A

.Complement

到类型BDT62 / A / B / C

应用

·设计

用于音频输出级和通用

扩增fi er应用

绝对最大额定值（T

=25

℃)

符号

参数

BDT63

集电极 - 发射极

电压

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

集电极 - 发射极

电压

BDT63A

BDT63B

BDT63C

EBO

BDT63/A/B/C

价值

单位

CER

100

120

100

120

0.25

150

-65~150

℃

首席执行官

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流连续

集电极耗散功率

@ T

=25℃

结温

存储温度范围

英镑

热特性

符号

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.39

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

电气特性

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

BDT63

BDT63A

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BDT63B

BDT63C

CE(sat)-1

CE(sat)-2

BE （

)

ECF

首席执行官

CBO

EBO

FE-1

FE-2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

C- ê二极管正向电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

输出电容

= 3A ;我

= 12毫安

BDT63/A/B/C

条件

民

典型值。

最大

单位

= 30毫安，我

100

120

2.0

2.5

2.0

0.5

0.2

2.0

1000

3000

100

= 8A ;我

= 80毫安

= 3A ; V

= 3V

= 3A

CEOMAX

; I

= 0

= V

CBOMAX

= 0

CBOMAX

= 0;T

= 150℃

= 5V ;我

= 3A ; V

= 3V

= 10A ; V

= 3V

= 0 ; V

= 10V ; F

TEST

= 1MHz的

开关时间

关闭

开启时间

打开-O FF时间

1.0

5.0

2.5

μs

= 3A ;我

= -I

= 12毫安;

= 10V

ISC的网站： www.iscsemi.cn

半导体

BDT63-A-B-C

硅达林顿功率晶体管

在单片Dalrington电路NPN型外延基区晶体管和容纳在一个TO -220

信封。它们被设计用于音频设备，一般的放大器的输出级，并

模拟开关应用。

PNP补充是BDT62 -A -B -C

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

评级

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

价值

100

120

100

120

单位

CBO

集电极 - 基极电压

首席执行官

集电极 - 发射极电压

EBO

发射极 - 基极电压

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

集电极电流

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

集电极电流峰值

BDT63B

BDT63C

26/09/2012

半导体COMSET

1|5

半导体

BDT63-A-B-C

绝对最大额定值

符号

评级

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

价值

单位

基极电流

250

功耗

@ T

< 25 °

结温

150

°C

-65到+150

存储温度范围

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

热特性

符号

评级

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

价值

单位

THJ - MB

从结点到安装基座

1.39

K / W

THJ -A

从结点到环境中的自由空气

K / W

26/09/2012

半导体COMSET

2|5

半导体

BDT63-A-B-C

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

民

典型值

最大

单位

= 0, V

= V

CBO

最大

CBO

集电极截止

当前

= 0, V

=1/2

CBO

最大

= 150 °C

= 0, V

= 1/2

首席执行官

最大

首席执行官

集电极截止

当前

EBO

发射极截止

当前

= 5 V，I

= 0

首席执行官

集电极 - 发射极

击穿电压

= 30 mA时，我

= 0

= 3 A，I

= 12毫安

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

= 8 A，I

± 80毫安

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

0.2

0.5

100

120

5.0

2.5

26/09/2012

半导体COMSET

3|5

半导体

BDT63-A-B-C

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

BDT63

BDT63A

BDT63B

BDT63C

民

典型值

最大

单位

BE（上）

基射极电压

= 3 A，V

= 3 V

(*)

2.5

= 3.0 V，I

= 3 A

直流电流增益（ * ）

= 3.0 V，I

= 10 A

1000

3000

ECF

C- ê二极管正向

电压

= 3 A

输出电容

= 0, V

= 10 V

TEST

= 1MHz的

100

开关时间

符号

关闭

评级

开启时间

打开-O FF时间

测试条件（S ）

= 3 A，V

= 10 V

= -I

= 12毫安

民

典型值

最大

2.5

单位

（ * ）脉冲宽度

≈

300

占空比

∠

2.0%

26/09/2012

半导体COMSET

4|5

半导体

BDT63-A-B-C

机械数据案例TO- 220

外形尺寸（mm ）

分钟。

9,90

15,65

13,20

6,45

4,30

2,70

2,60

15,75

1,15

3,50

0,46

2,50

4,98

2.49

0,70

马克斯。

10,30

15,90

13,40

6,65

4,50

3,15

3,00

17.15

1,40

3,70

1,37

0,55

2,70

5,08

2.54

0,90

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

包

BASE

集热器

辐射源

集热器

修订后的2012年8月

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在生命支持设备或系统中的关键组件。

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26/09/2012

半导体COMSET

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