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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第102页 > BDT60A
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
专为配套使用带
BDT61 , BDT61A , BDT61B和BDT61C
在25 ° C的温度, 50瓦
4将连续集电极电流
最低
FE
750在1.5 V ,3A
B
C
E
的TO-220封装
( TOP VIEW )
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值(除非另有说明)
等级
BDT60
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
BDT60A
BDT60B
BDT60C
BDT60
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
BDT60A
BDT60B
BDT60C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散(或低于) 25 ℃的外壳温度(见注1 )
在(或低于) 25℃自由空气温度连续设备损耗(见注2 )
工作结温范围
存储温度范围
工作自由空气的温度范围内
注释:1.减额直线到150℃情况下,以0.4的速率的W / ℃。
2.减额直线到150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-60
-80
-100
-120
-60
-80
-100
-120
-5
-4
-0.1
50
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
V
单位
1993年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BDT60
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
(见注3 )
BDT60A
BDT60B
BDT60C
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -30 V
V
CB
= -40 V
V
CB
= -50 V
V
CB
= -60 V
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
I
E
=
-5 V
-3 V
-6毫安
-3 V
-1.5 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
B
= 0
-1.5 A
-1.5 A
-1.5 A
(见注3和4)
(见注3和4)
(见注3和4)
750
-2.5
-2.5
-2.0
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-2.0
-2.0
-2.0
-2.0
-5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注: 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -2 A
V
BE (OFF)的
= 5 V
I
B(上)
= -8毫安
R
L
= 20
I
B(关闭)
= 8毫安
t
p
= 20
s,
dc
2%
典型值
1
4.5
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1993年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
20000
10000
h
FE
- 典型的直流电流增益
TCS115AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
I
B
= I
C
/ 100
-1·5
TCS115AB
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
-1·0
1000
-0·5
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
0
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-5·0
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-5·0
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE ( SAT )
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS115AC
-2·5
-2·0
-1·5
-1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-5·0
网络连接gure 3 。
1993年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-10
SAS115AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
-0·1
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
-0.01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
60
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS110AA
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
4
1993年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形,并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时,清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意:C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注:A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1993年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年,创新动力有限公司, UK
1993年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
BDT61 , BDT61A , BDT61B和BDT61C
在25 ° C的温度, 50瓦
4将连续集电极电流
最低
FE
750在1.5 V ,3A
B
C
E
q
q
q
的TO-220封装
( TOP VIEW )
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度(除非另有说明)
等级
BDT60
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
BDT60A
BDT60B
BDT60C
BDT60
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
BDT60A
BDT60B
BDT60C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散(或低于) 25 ℃的外壳温度(见注1 )
在(或低于) 25℃自由空气温度连续设备损耗(见注2 )
工作结温范围
存储温度范围
工作自由空气的温度范围内
注释:1.减额直线到150℃情况下,以0.4的速率的W / ℃。
2.减额直线到150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-60
-80
-100
-120
-60
-80
-100
-120
-5
-4
-0.1
50
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
V
单位
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BDT60
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
(见注3 )
BDT60A
BDT60B
BDT60C
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -30 V
V
CB
= -40 V
V
CB
= -50 V
V
CB
= -60 V
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
I
E
=
-5 V
-3 V
-6毫安
-3 V
-1.5 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
B
= 0
-1.5 A
-1.5 A
-1.5 A
(见注3和4)
(见注3和4)
(见注3和4)
750
-2.5
-2.5
-2.0
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-2.0
-2.0
-2.0
-2.0
-5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注: 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -2 A
V
BE (OFF)的
= 5 V
I
B(上)
= -8毫安
R
L
= 20
I
B(关闭)
= 8毫安
t
p
= 20
s,
dc
2%
典型值
1
4.5
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
20000
10000
h
FE
- 典型的直流电流增益
TCS115AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
I
B
= I
C
/ 100
-1·5
TCS115AB
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
-1·0
1000
-0·5
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
0
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-5·0
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-5·0
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE ( SAT )
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS115AC
-2·5
-2·0
-1·5
-1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-5·0
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-10
SAS115AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
-0·1
BDT60
BDT60A
BDT60B
BDT60C
-0.01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
60
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS110AA
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
BDT60 , BDT60A , BDT60B , BDT60C
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形,并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时,清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意:C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注:A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
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信息
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BDT60A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
BDT60A
PHILIPS
24+
4000
TO-220
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BDT60A
ST
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BDT60A
ST
24+
9850
TO-220
官方授权代理商入驻
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BDT60A
ST/意法
22+
99117
TO-220
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507162 复制

电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
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