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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 25 （分钟） @我
C
= -
1.0A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= -40V （最小值） - BDT32 ; -60V （最小值） - BDT32A
-80V （最小值） - BDT32B ; -100V （最小值） - BDT32C
.Complement
到类型BDT31 / A / B / C
应用
·设计
在音频输出级和一般放大器的使用
和切换应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
参数
BDT32
BDT 32A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDT 32B
BDT 32C
BDT32
BDT 32A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDT 32B
BDT 32C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT32/A/B/C
价值
-80
-100
单位
V
-120
-140
-40
-60
V
-80
-100
-5
-3
-5
-1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
3.12
70
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT32
BDT 32A
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
BDT 32B
BDT 32C
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CES
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
BDT32/A
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
BDT 32B / C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
B
BDT32/A/B/C
条件
民
-40
-60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-100
I
C
= -3A ;我
B
= -0.375A
B
-1.2
-1.8
-0.2
V
V
mA
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
V
CE
= V
CEOMAX
; V
BE
= 0
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
-0.1
mA
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -10V
25
10
3
-0.2
mA
50
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -1.0A ;我
B1
= -I
B2
= -0.1A
打开-O FF时间
1.0
μs
0.3
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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