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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 25 (分钟) @我
C
=
1.0A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 40V (最小值) - BDT31F ; 60V (最小值) - BDT31AF
80V (最小值) - BDT31BF ; 100V (最小) - BDT31CF
120V (最小) - BDT31DF
.Complement
到类型BDT32F / AF / BF / CF / DF
应用
·设计
在音频放大器输出级使用,一般
目的放大器和高速开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25
)
符号
参数
BDT31F
BDT31AF
V
CBO
集电极 - 基
电压
BDT31BF
BDT31CF
BDT31DF
BDT31F
BDT31AF
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
BDT31BF
BDT31CF
BDT31DF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT31F/AF/BF/CF/DF
价值
80
100
120
140
160
40
60
80
100
120
5
3
5
1
22
150
-65~150
单位
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
V
A
A
A
W
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
8.12
55
单位
℃/W
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT31F
BDT31AF
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BDT31BF
BDT31CF
BDT31DF
BDT31F/AF/BF/CF
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
BDT31DF
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
BDT31F/AF/BF/CF/DF
条件
40
60
80
100
120
典型值。
最大
单位
V
I
C
= 3A ;我
B
= 0.375A
B
1.2
V
2.5
1.8
0.2
V
mA
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
V
BE(上)
I
CES
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
BDT31F/AF
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
V
CE
= V
CEOMAX
; V
BE
= 0
V
CE
= 30V ;我
B
= 0
B
I
首席执行官
集热器
截止目前
BDT31BF/CF
BDT31DF
V
CE
= 60V ;我
B
= 0
B
0.1
mA
V
CE
= 90V ;我
B
= 0
B
I
EBO
h
FE-1
发射Cuto FF电流
直流电流增益
BDT31F/AF/BF/CF
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
25
10
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
BDT31DF
5
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
3
0.2
mA
50
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= 1.0A ;我
B1
= -I
B2
= 0.1A
打开-O FF时间
1.0
μs
0.3
μs
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