INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 40 (分) @我
C
= -
0.4A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= -40V (最小值) - BDT30F ; -60V (最小值) - BDT30AF
-80V (最小值) - BDT30BF ; -100V (最小值) - BDT30CF
-120V (最小值) - BDT30DF
.Complement
到类型BDT29F / AF / BF / CF / DF
应用
·设计
在音频输出级使用中,一般用途
放大器和高速开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃
)
符号
参数
BDT30F
BDT30AF
V
CBO
集电极 - 基
电压
BDT30BF
BDT30CF
BDT30DF
BDT30F
BDT30AF
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
BDT30BF
BDT30CF
BDT30DF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT30F/AF/BF/CF/DF
价值
-80
-100
-120
-140
-160
-40
-60
-80
-100
-120
-5
-1
-3
-0.4
19
150
-65~150
单位
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
9.17
55
单位
℃/W
℃/W
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