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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 40 (分) @我
C
= -
0.4A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= -40V (最小值) - BDT30F ; -60V (最小值) - BDT30AF
-80V (最小值) - BDT30BF ; -100V (最小值) - BDT30CF
-120V (最小值) - BDT30DF
.Complement
到类型BDT29F / AF / BF / CF / DF
应用
·设计
在音频输出级使用中,一般用途
放大器和高速开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25
)
符号
参数
BDT30F
BDT30AF
V
CBO
集电极 - 基
电压
BDT30BF
BDT30CF
BDT30DF
BDT30F
BDT30AF
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
BDT30BF
BDT30CF
BDT30DF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT30F/AF/BF/CF/DF
价值
-80
-100
-120
-140
-160
-40
-60
-80
-100
-120
-5
-1
-3
-0.4
19
150
-65~150
单位
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
V
A
A
A
W
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
9.17
55
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT30F
BDT30AF
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BDT30BF
BDT30CF
BDT30DF
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
CES
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
BDT30F/AF
I
首席执行官
集热器
截止目前
BDT30BF/CF
BDT30DF
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
I
C
= -1A ;我
B
= -0.125A
B
BDT30F/AF/BF/CF/DF
条件
-40
-60
典型值。
最大
单位
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
-80
-100
-120
-0.7
-1.3
-0.2
V
V
V
mA
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
V
CE
= V
CEOMAX
; V
BE
= 0
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
B
-0.1
mA
V
CE
= -90V ;我
B
= 0
B
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -0.2A ; V
CE
= -4V
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
I
C
= -0.2A ; V
CE
= -10V
40
15
3
-0.2
mA
75
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -1.0A ;我
B1
= -I
B2
= -0.1A
打开-O FF时间
1.0
μs
0.3
μs
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    BDT30F
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    -
    -
    -
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PHI
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