硅EPIBASE PNP
达林顿晶体管
BDS21SMD
高直流电流增益
密封陶瓷表面贴装封装
专为通用放大器和
低速切换应用程序
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
TC = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
-80V
-80V
-5V
-5A
-0.1A
35W
0.2W/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJC
参数
热阻，结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
5
单位
° C / W
**该数据表文件取代7603
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
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文档编号8218
第1期
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硅EPIBASE PNP
达林顿晶体管
BDS21SMD
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
ICBO
参数
集电极截止电流
测试条件
VCB = -80V
VCB = -60V
IE = 0
IE = 0
TC = 150℃
分钟。
典型值
马克斯。
-0.2
-1.0
-0.5
-2
单位
mA
ICEO
IEBO
的hFE
(1)
集电极截止电流
射极截止电流
正向电流传输
比
(1)
VCE = -40V
VEB = -5V
IC = -0.5A
IC = -3A
IC = -3A
IC = -5A
IC = -5A
IC = -3A
IB = 0
IC = 0
VCE = -3V
VCE = -3V
IB = -12mA
IB = -20mA
IB = -20mA
VCE = -3V
1000
1000
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
基射极电压上
-2
-4
V
-2.8
-3.5
(1)
(1)
动态特性
fT
跃迁频率
IC = -0.5A
F = 2MHz的
VCE = -4V
8
兆赫
笔记
（1 ）脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
机械数据
尺寸mm （英寸）
4.14 (0.163)
3.84 (0.151)
0.89
(0.035)
分钟。
3.70 (0.146)
3.41 (0.134)
3.70 (0.146)
3.41 (0.134)
3.60 (0.142)
马克斯。
1
3
0.76
(0.030)
分钟。
10.69 (0.421)
10.39 (0.409)
2
SMD1 （ TO- 276AB ）
仰视图
PAD 1 =基本
垫2 - 集电极
9.67 (0.381)
9.38 (0.369)
11.58 (0.456)
11.28 (0.444)
16.02 (0.631)
15.73 (0.619)
0.50 (0.020)
0.26 (0.010)
垫3 - 发射极
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第1期
第2页2
BDS20 BDS20SMD
BDS21 BDS21SMD
机械数据
尺寸（mm）
1 0.6
0.8
4.6
16.5
3.6
DIA 。
1 3 .5
1 0 .6
硅PNP
外延基地的
TO220金属和
SMD1陶瓷表面
贴装封装
特点
1 23
1 3 .7 0
密封的金属或陶瓷封装
高可靠性
1.0
2 .5 4
BSC
2. 70
BSC
军事和空间选项
筛选CECC水平
3 .6 0 (0 .1 4 2 )
M A X 。
0 .8 9
(0 .0 3 5 )
M IN 。
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
4 .1 4 (0 .1 6 3 )
3 .8 4 (0 .1 5 1 )
完全隔离（金属版）
1
3
0 .7 6
(0 .0 3 0 )
M IN 。
应用
1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )
1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )
1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )
1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )
Power线性和开关
应用
通用电源
2
9 .6
9 .3
1 1 .5
1 1 .2
7 (0
8 (0
8 (0
8 (0
.3 8
.3 6
.4 5
.4 4
1 )
9 )
6 )
4 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
TO220M
SMD1
- TO220金属包装 - 隔离
- 陶瓷表面贴装封装
销2
=收藏家
3脚
- 发射极
销1
- 基地
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ PK ）
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
Semelab PLC 。
集电极 - 基电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基电压（I
C
= 0)
峰值集电极电流
基极电流
在T总功率耗散
例
75°C
储存温度
结温
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电子信箱：
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BDS20
NPN
80V
80V
5V
5A
0.1A
BDS21
PNP
–80V
–80V
–5V
–5A
–0.1A
50W
-65 ℃200℃
200°C
预赛。 7/00
BDS20 BDS20SMD
BDS21 BDS21SMD
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CEO （ SUS） *
V
CE （SAT） *
V
BE（上） *
h
FE *
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
维持电压（我
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基地 - 发射极电压
直流电流增益
测试条件
V
CB
= 80V
V
CE
= 40V
V
EB
= 5V
I
C
= 30毫安
I
C
= 3A
I
C
= 5A
I
C
= 3A
I
C
= 0.5A
I
C
= 3A
I
B
= 12毫安
I
B
= 20mA下
V
CE
= 3V
V
CE
= 3V
V
CE
= 3V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
0.5
2
单位
mA
mA
mA
V
120
2
4
2.5
1000
1000
V
V
*脉冲：脉冲宽度= 300
m
S，占空比= 1.5 ％
热数据
R
THJ情况
R
THJ -A
热阻结 - 案
热阻结 - 环境
马克斯。 2.5 ° C / W
马克斯。 62.5 ° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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预赛。 7/00
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