【BDP 947 ， BDP 949硅NPN晶体管用于AF的驱动级和输出级高集电极电流高电流增益低集电】,IC型号BDP949Q62702-D1337,BDP949Q62702-D1337 PDF资料,BDP949Q62702-D1337经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BDP 947 ， BDP 949

硅NPN晶体管

用于AF的驱动级和输出级

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BDP 948 BDP 950 （ PNP ）

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6平方厘米铜

1

结 - 焊接点

R

thjs

4

3

2

1

VPS05163

TYPE

BDP 947

BDP 949

最大额定值

参数

记号

BDP 947

BDP 949

1=B

1=B

引脚配置

2=C

2=C

3=E

3=E

4=C

4=C

包

SOT-223

SOT-223

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

BDP 947

45

45

5

3

5

200

500

3

150

BDP 949

60

60

5

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗

,

T

S

= 99 °C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

A

mA

W

°C

-65 ... 150

R

thJA

72

17

K / W

Oct-22-1999

BDP 947 ， BDP 949

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 2 A,

V

CE

= 2 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

C

cb

-

25

-

f

T

-

100

-

V

BESAT

-

-

1.3

V

CESAT

h

FE

25

85

50

-

-

-

-

-

-

475

-

0.5

I

EBO

-

-

100

I

CBO

-

-

20

I

CBO

-

-

100

BDP 947

BDP 949

V

（ BR ） EBO

BDP 947

BDP 949

V

（ BR ） CBO

45

60

5

-

-

-

-

-

-

V

（ BR ） CEO

45

60

-

-

-

-

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

A

nA

-

V

兆赫

pF

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

2

Oct-22-1999

BDP 947 ， BDP 949

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

*包装安装在环氧

10

3

K / W

W

3.2

T

S

2.4

10

2

P

合计

T

A

2.0

R

thjs

10

1

1.6

10

0

1.2

0.8

10

-1

0.4

10

-2 -6

10

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0.0

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

T

A

,T

S

t

p

允许的脉冲负载

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

V

CE

= 2V

10

3

100°C

25°C

P

totmax

/ P

totDC

-

-

10

1

h

FE

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

-55°C

10

1

10

0 -6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 0

10

10

1

10

2

10

3

mA

10

4

t

p

I

C

3

Oct-22-1999

BDP 947 ， BDP 949

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

CB

= 45V

10

5

nA

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

10

4

10

3

I

CBO

10

3

I

C

最大

10

2

10

2

100°C

25°C

-50°C

10

1

典型值

10

1

10

0

10

-1

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

10

0

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

V

0.6

T

A

V

CESAT

基射极饱和电压

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

I

C

=

f

(V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

V

CE

= 2V

10

4

mA

10

3

10

3

-50°C

25°C

100°C

10

2

-50°C

25°C

100°C

10

2

I

C

10

1

I

C

10

1

10

0

0.0

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

V

BESAT

V

BE

4

Oct-22-1999

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联系人：刘先生

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