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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BDC05 / D
一瓦
高压晶体管
NPN硅
集热器
2
3
BASE
1
辐射源
BDC05
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
300
300
5.0
500
1.0
8.0
2.5
50
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-05 ,风格14
TO-92 (TO- 226AE )
1
2
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 200伏, IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 5.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
V( BR ) CEO
300
V( BR ) CBO
300
V( BR ) EBO
5.0
ICBO
IEBO
10
0.01
μAdc
μAdc
VDC
VDC
VDC
v
300
m
S;占空比
v
2.0%.
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BDC05
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 25 MADC , VCE = 20 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
基射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
的hFE
40
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
2.0
2.0
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 10 VDC , F = 20兆赫)
集电极 - 基极电容
( VCB = 30伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
fT
60
CRE
2.8
pF
兆赫
v
300
m
S;占空比
v
2.0%.
200
VCE = 10 V
的hFE , DC电流增益
TJ = 125°C
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
0.6
0.5
0.4
IC = 30毫安
0.3
0.2
0.1
0
0.1
IC = 10毫安
IC = 20毫安
TJ = 25°C
100
70
50
25°C
–55°C
30
20
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
0.2
0.5
1.0
10
2.0
5.0
IB ,基极电流(毫安)
20 30
图1.直流电流增益
图2.集电极饱和区
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
BDC05
R
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
1.4
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
5.0
0.2
0
1.0
2.0
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = 10 V
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70
100
-55 ° C至125°C
R
, VB
为VBE
-55 ° C到25°C时
R
ΔVC
对VCE (SAT)
IC
IB
+
10
25 ° C至125°C
图3. “开”电压
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图4.温度系数
100
70
50
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
100
70
50
C,电容(pF )
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
TJ = 25°C
CEB
30
20
建行
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
50
VR ,反向电压(伏)
100
200
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
图5.电容
图6.电流增益 - 带宽积
1k
IC ,集电极电流(毫安)
500
电流限制
热限制
第二击穿
极限
1.0毫秒
1.0 s
100
50
TA = 25°C
占空比
10%
10
20
50
100
200 300
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
s
200
20
10
图7.活动区 - 安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
BDC05
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格14 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
BDC05/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BDC05
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BDC05
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