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BD9G101G

数据表

单芯片型内置式FET开关稳压器

简单的降压

开关稳压器

与内置功率MOSFET

BD9G101G

■一般

描述

该BD9G101G是开关稳压器集成

内部高侧42V功率MOSFET 。

它提供了采用小型SOT23封装0.5A的直流输出。

动作频率固定为1.5MHz ，允许使用的

小的电感器和陶瓷电容器。

相位补偿部件是内置的。

该BD9G101G可在SOT- 23-6 （ SSOP6 ）

封装。

■特点

■

高和宽输入范围（ VCC = 6V 42V ）

■

45V / 800mΩ内部功率MOSFET

■

1.5MHz的固定工作频率

■

反馈引脚电压0.75V ± 1.5 ％

■

内部补偿

■

内部过电流保护，在

电压锁定，热关闭

■

0μA关断电源电流

■

6引脚SOT- 23封装（ SSOP6 ）

●钥匙

特定网络阳离子

■

输入电压

■

参考文献。精密（ TA = 25 ℃ ）

(Ta=-25~105℃)

■

最大输出电流

■

工作温度

■

最高结温

●套餐

SSOP6

6 ＆ frac12 ; 42 [V]的

±1.5[%]

±2.0[%]

0.5 [A] （最大）

-40℃~105℃

150℃

2.90

㎜×2.80 ㎜×1.25 ㎜

SSOP6

■应用

■

工业分布式电源应用

■

汽车应用

■

电池供电设备

■

OA仪器

Typical

应用电路

图1.典型应用电路

○结构：硅

单片集成电路

本

产品不用于正常操作而设计的放射性。

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BD9G101G

针

CON组fi guration

数据表

图2.引脚配置（顶视图）

针

描述

PIN号

引脚名称

BST

GND

VCC

描述

该引脚为浮置电源NMOS驱动器的电源。连接旁通

引脚和LX引脚的自举操作之间的电容。

地面上。它应连接尽可能的输出电容的接地

避免了大电流开关路径。

电压反馈引脚。该引脚的错误放大器的输入端，该DCDC设定在0.75V

该引脚与反馈操作。

使能输入引脚。该DCDC是启动应用超过2.0V 。

该引脚为约550kΩ下拉，直流 - 直流关机打开或申请

在0.8V 。

输入电源。它应连接尽可能接近到旁路

电容。

功率FET开关输出。它应连接尽可能接近的

肖特基势垒二极管和电感器。

块

图

图3.框图

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°说明

块

参考

此块产生基准电压和电流。它通过采用EN超过2.0V开始工作。

它提供参考电压和电流的误差放大器，振荡器，和等

REG

这是一个栅极驱动电压发生器和4.2V调节器，用于内部电路的电源。

OSC

这是一个精确的波振荡电路的工作频率固定为1.5MHz的固定。

从输出短路到地加以保护，频率折回功能是内置的。

数据表

软启动

此块不软启动DC / DC比较器的输出电压，并防止在启动期间的浪涌电流。

软启动时间取决于应用程序和启动条件，因为频率折返功能是内置的。

误差放大器

这是一个误差放大器何检测到的输出信号，并输出PWM控制信号。

内部基准电压设定为0.75V 。另外， BD9G101G具有在内部相位补偿元件

输入和输出。

ICOMP

这是一个比较器，其输出的PWM信号从电流反馈信号和误差放大器的输出为电流模式。

N沟道FET SW

这是一个45V / 800mΩ功率的N沟道MOSFET SW转换的DC / DC变换器的电感电流。

UVLO

这是一个低电压误差防止电路。

这可以防止在电源电压的增加与电源电压的下降过程中内部电路的错误。

它可以监视VCC引脚电压和内部REG电压，而当VCC电压达到5.4V以下时，关闭所有

输出FET和断开DC / DC比较器输出，以及软启动电路复位。

现在，这个阈值200mV的滞后。

当2.0V或更高的电压被施加时，接通，在打开或0V应用，它关闭。

关于550kΩ下拉电阻包含在销内。

10. OCP

功率MOSFET的电流通过该功能限定。

功率MOSFET的电流由电流检测FET感测。如果功率MOSFET的电流超过1.2A （典型值），这

函数通过脉冲-by-脉冲降低关税和限制和约束的过电流。

11.TSD

电路，以防止误动作，在高温度。

当它检测到异常温度超过TJ = 175 ℃时，会关闭DC / DC比较器输出。门槛

TSD有滞后（ 25 ℃ ）。如果温度降到150 ℃时， IC自动返回。

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BD9G101G

“绝对

最大额定值

项

VCC

最大输入电流

BST到GND

BST到LX

功耗

工作温度

储存温度

结温

符号

VCC

IMAX

VBST

⊿VBST

VEN

VLX

VFB

TOPR

TSTG

TJMAX

评级

1.0

0.675

(*1)

(*2)

数据表

单位

℃

-40½+105

150

-55½+150

（* 1）在70 ×70× 1.6吨毫米1layer board.Reduce安装由5.4mW ，每升高1℃ 。（ 25℃以上）

（ * 2 ）超过最大允许功耗会导致芯片温度过高和监管

将进入热关断。内部热关断电路保护永久性损坏设备。

热关断从事于TJ = 175 ℃ （典型值），并脱离于TJ = 155 ℃ （典型值）

ⅵELECTRICAL

特性（除非

特别说明TA = 25 ℃ ， VCC = 24V ， VO = 5V ， EN = 3V

)

参数

●电路

电流 -

待机电流

工作电流

·下

欠压锁定（ UVLO ）】

阈值电压

滞后幅度

【振子】

开关频率

最大占空比

·ERROR

AMP-

FB引脚参考电压

FB引脚偏置电流

软启动时间

- 电流

比较】

跨导

\u003c输出\u003e

N沟道MOSFET的导通电阻

最小开启时间

开关电流限制

【 CTL 】

EN Thresohold电压

EN输入偏置电流

← NOT

设计成能承受辐射。

符号

极限

民

－

5.1

－

1.3

0.739

0.735

-100

1.2

－

0.85

2.0

-0.3

2.7

典型值

0.7

5.4

200

1.5

0.750

4.0

800

100

1.2

－

5.5

最大

1.2

5.7

300

1.7

0.761

0.765

100

－

VCC

0.8

单位

条件

IST

ICC

真空紫外

Vuvhy

FOSC

DMAX

VFBN

VFBA

IFB

Tsoft

Ronh

最低气温

IOCP

VENON

兆赫

A / V

纳秒

VEN=0V

FB=1.2V

Ta=25℃

Ta=-25~105℃

VFB=2.0V

关VENOFF

任

VEN=3V

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BD9G101G

数据表

“操作

评级

项

输入电压

输出电压

符号

VCC

VOUT

评级

民

1.0

(*2)

典型值

最大

VCC×0.7

500

(*3)

单位

输出电流

IOUT

（ * 2 ）受限于最小脉冲（典型值）。 100nsec

（ * 3） maxduty ，罗恩和BST- UVLO限制。

- 输入

和输出电压限制

BD9G101G的输入电压范围是由Ron ， Maxduty （ min85 ％），并防止误动作，在之间具有低电压的限制

BST和LX （ BST - UVLO ）。

①BST ， UVLO

BSTUVLO是防止IC的异常操作所造成的费用高SideFET的不足的功能

驾驶。如果BST和LX之间的电压低于1.5V ，高侧FET关闭，并有新的通收费

电压VCC为BST 。 BST电压由VCC充电，越过BST- UVLO门限。其结果是， BST- UVLO截止。

这BST- UVLO是工作性质是条件

BST的充电电流（正常模式）

VCC>> （ BST- UVLO阈值+ VF ） + VOUT。

因此，最大输出电压比输入电压-3V以下。

●如果

输出电压比输入电压-3V高，输出电压纹波被升压

通过BSTUVLO的触发。这是IC的工作没有问题。

BST充电电流

（ BST - UVLO模式）

μMAX

责任，罗恩

最大输出电压是通过maxduty （ min85 ％）和场效应晶体管罗恩限制。

在木卫一=输出电流500mA的情况下， VCC下拉500毫安× 0.8Ω = 0.6V ，除了maxduty 。

VOMAX = （VCC -罗恩× IOMAX ）× 0.85 （随便公式）

NchFET关闭

考虑到负电压中的拉二极管的电流的情况下，

（ BST - UVLO模式）

最大输出电压的计算公式为

VOMAX = VCC × 0.7 。

●最小

ON脉冲

图4. BST- UVLO图像

最小输出电压由最小导通脉冲（典型100nsec ）的限制。

输出电压=频率（ 1.5MHz的典型值）

FET导通时间

ΔVIN

如果输出电压大于该式下，输出纹波电压由间歇弹簧推动。

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