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单芯片型内置式FET开关稳压器系列
高效率,升压型
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9641NUV
No.09027EAT27
°说明
BD9641NUV is synchronous rectification 1ch boost Switching converter built in Power MOS FET. Input voltage is 2.5V½5.5V.
低功耗就可以实现。并且,因为背栅控制功能是内置的,负载可以从分离
输入,无需外部FET关断模式。
■特点
1 ) PWM同步整流方法
2) Input voltage is 2.5V½5.5V
3 )开关频率为900kHz的。
4 )欠压锁定功能,内置
5 )内置保护电路(短路保护,热关机)
6 )内置背栅极控制功能
7 )输出电压可通过外部电阻来设置。
8 )内置功率MOS FET晶体管
9 )内置软启动功能
10 ) VSON010V3030包
●应用
对于DSC / DVC电机
蜂窝电话
对于应用程序中使用的锂电池
“绝对
最大额定值( TA = 25 [ ℃ ] )
符号
电源电压
VBAT
功耗
Pd
工作温度范围
TOPT
存储温度范围
TSTG
SW端电流
ISW
终端允许电压
V
IN
结温
TJMAX
※1
※2
降额中完成的5.6 [毫瓦/ ℃ ]操作上面的Ta = 25 ℃ 。
(安装在1层70.0 [MM ] × 70.0 [MM ] × 1.6 [MM ]板。)
不要超过钯。
等级
-0.3½7
700
1
-20½+70
-55½+150
1.8
2
-0.3½7
+150
单位
V
mW
A
V
● Operationg
条件
(Ta= -20½+70[℃])
符号
VBAT
VOUT
2.5
2.8
范围
典型值
3.7
5
最大
5.5
5.5
单位
V
V
电源电压
输出电压设定范围
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2009.05 - Rev.A的
BD9641NUV
Electric
特性(除非另有规定。 VBAT = 3.7 [V] , TA = 25 ℃ ] )
范围
符号
典型值
最大
[设备]
消耗电流
ICC
-
0.9
1.8
关断电流
ICCOFF
-
0
10
XSHDN输入电流
IIH
4.63
9.25
18.5
[升压DC / DC blobk ]
软启动时间
Tsoft
1.25
2.5
5.0
FB端电压
VFB
0.39
0.40
0.41
振荡频率
FOSC
675
900
1125
最大占空比
DMAX
76.5
85
93.5
PMOS导通电阻
RONP
-
0.4
0.65
NMOS导通电阻
罗恩
-
0.35
0.60
[压降检测块]
UVLO电压检测
VUVLO1
2.05
2.15
2.25
UVLO电压回报
VUVLO2
2.10
2.20
2.30
[ XSHDN块]
XSHDN H输入电压
VIH
1.5
-
-
XSHDN L输入电压
VIL
-
-
0.3
[接地短路检测块]
定时锁定时间
Tlatch
0.35
0.7
1.4
接地短路检测电压
VSHORT
0.1
0.2
0.3
技术说明
单位
mA
μA
μA
ms
V
千赫
%
V
V
V
V
ms
V
条件
VBAT = 3.7 [V] ,空载
VBAT=3.7[V],XSHDN=GND
XSHDN电压= 3.7 [ V]
VOUT = 5 [V]的85%的
VOUT=5[V]
VOUT=5[V]
VBAT=2.5½5.5[V]
参考
数据(除非另有说明, TA = 25 ℃ ] )
100
90
80
效率(%)
60
50
40
30
20
10
10
100
输出电流[mA ]
VBAT=2.5[V]
VBAT=3.0[V]
VBAT=3.7[V]
1000
100
90
80
100
90
80
效率(%)
效率(%)
70
70
60
50
40
30
20
10
10
100
70
60
50
40
30
20
10
VBAT=2.5[V]
VBAT=3.0[V]
VBAT=3.6[V]
10
100
1000
VBAT=2.5[V]
VBAT=3.0[V]
VBAT=3.7[V]
1000
输出电流[mA ]
输出电流[mA ]
图1输出电流 - 效率特性
( 5.015 [V ]输出电压设置)
效率= 94 % ( 150毫安)
图2输出电流 - 效率特性
( 4.2 [V ]输出电压设置)
效率= 96 % ( 150毫安)
图3输出电流 - 效率特性
(3.6 [V]的输出电压设定)
效率= 95% ( 100毫安)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
0
100
200
300
3.0
3 .0
输出电压
精 度 [% ]
[%]
出 力 電 圧
准确性
产量
出力電圧精度[%]
电压精度%]
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
VBAT=2.5[V]
VBAT=3.0[V]
VBAT=3.7[V]
0
100
200
300
400
出力电流[马]
500
600
输出电压精度[ % ]
出力電圧精度[%]
2.5
2 .5
2 .0
1 .5
1 .0
0 .5
0 .0
-0 .5
-1 .0
-1 .5
-2 .0
-2 .5
-3 .0
0
10 0
20 0
30 0
4 00
5 00
60 0
VBAT=2.5[V]
VBAT=3.0[V]
VBAT=3.7[V]
VBAT=2.5[V]
VBAT=3.0[V]
VBAT=3.6[V]
400
500
600
出力电流[马]
输出电流[mA ]
输出电流[mA ]
出力电流[马]
输出电流[mA ]
图4输出电流 -
输出电压精度特性
( 5.015 [V ]输出电压设置)
图5输出电流 -
输出电压精度特性
( 4.2 [V ]输出电压设置)
图6输出电流 -
输出电压精度特性
( 3.6 [V ]输出电压埃坦)
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BD9641NUV
技术说明
XSHDN 5V / DIV
SW 5V /格
SW 5V /格
VOUT 2V / DIV
VOUT为200mV /格
VOUT为200mV /格
IBAT 1A / DIV
VBAT=3.7[V]
VOUT=5.015[V]
IOUT=400[mA]
图7输出电压波形
VBAT=2.5V
VOUT=5.015[V]
IOUT=400[mA]
图8输出电压波形
VBAT=3.7[V]
VOUT = 5.015 [V]的
IOUT=0[mA]
图9启动波形
IOUT为200mV / DIV
IOUT 200毫安/格
IOUT为200mV / DIV
VOUT为50mV /格
VOUT为50mV /格
VOUT为50mV /格
VBAT=3.7[V]
VOUT=5.015[V]
IOUT=100[mA]
400[mA]
图10负载瞬态响应波形
VBAT=3.7[V]
VOUT=5.0VIT=100[mA]→4
00[mA]
图11负载瞬态响应波形
VBAT=3.7[V]
VOUT=5.015[V]
IOUT=400[mA]→100[mA]
图12负载瞬态响应波形
VBAT为500mV / DIV
VBAT为500mV / DIV
VBAT为500mV / DIV
VOUT为50mV /格
VOUT为50mV /格
VOUT为50mV /格
VBAT=3.1[V]3.7[V]
VOUT=5.015[V]
IOUT=0[mA]
图13电源线瞬态响应波形
VBAT=3.1[V]→3.7[V]
VOUT=5.015[V]
IOUT=0[mA]
图14电源线瞬态响应波形
VBAT=3.7[V]→3.1[V]
VOUT=5.015[V]
IOUT=0[mA]
图15电源线瞬态响应波形
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BD9641NUV
技术说明
VBAT
1
10
VOUT
XSHDN
2
产量
控制
9
SW
北卡罗来纳州
3
MAX DUTY
0.4V
8
保护地
北卡罗来纳州
4
7
GND
SAW
北卡罗来纳州
5
开始
6
FB
图13框图
布局和功能
终端无
终端名称
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VBAT
XSHDN
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
FB
GND
保护地
SW
VOUT
反馈终端
GND端子
GND端子功率MOS
开关端子
DC / DC变换器的输出电压端
电源输入端子
芯片关闭终端(关机时XSHDN = GND)
功能
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BD9641NUV
°说明
输入/输出端子的
终奌站
终奌站
名字
技术说明
等效电路
功能
VBAT
1
VBAT
FB
*1
电源输入端
* 1钳从E.S.D保护
GND
VBAT
2
XSHDN
XSHDN
TTL电平输入端子
* 1钳从E.S.D保护
400[kΩ]
GND
VBAT
6
FB
FB
模拟量输入端子
GND
GND
7,8
GND
保护地
保护地
GND端子
VOUT
9
SW
*1
SW
功率MOS驱动同步整流
* 1钳从E.S.D保护
保护地
VOUT
10
VOUT
DC / DC输出端子
* 1钳从E.S.D保护
保护地
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