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1/4
S T ü (C T) ü
P ,R 0 ü (C T)
M
o
d
e
l
半导体集成电路
DSC / DVC系统电源LSI
BD9639MWV
(1)
6ch的DC / DC变换器
CH1
BOOST
内置FET
CH2
巴克
内置FET
CH3
BUCK- BOOST
内置FET
CH4
BUCK- BOOST
内置FET
CH5
巴克
内置FET
CH6
BOOST
内置FET
低电压工作2.5 [ V]
CH1的电源电压输出给内部电路
初创通道,汽车
CORE
CMOS
数字
CMOS ,内存
LED
F加利(C T) I O北南
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
CH1 PWM / PFM选择
CH3 , CH4升压 - 降压自动切换
CH6集成的升压输出关断( CH6负荷开关内置)
软启动对应于每个信道
Ground short protection(CH2½CH6)
Error amp phase compensation(CH1½CH6)
Operating frequency 1.5[MHz] (CH1½CH6)
安装在高散热侧包
(UQFN056V7070)
符号
等级
VBAT
电源电压
-0.3½7
VBAT23456
SW6允许的电压
SW6
24.0
VOUT1允许的电流输出
I
VOUT1
1.0
SW1允许的电流输出
I
SW
1.0
SW2允许的电流输出
I
SW2
2.0
VOUT3允许的电流输出
I
VOUT3
1.0
DSW3允许的电流输出
I
DSW3
1.0
USW3允许的电流输出
I
USW3
1.0
VOUT4允许的电流输出
I
VOUT4
1.0
DSW4允许的电流输出
I
DSW
1.0
USW4允许的电流输出
I
USW
1.0
SW5允许的电流输出
I
SW5
0.5
SW6允许的电流输出
I
SW6
0.2
功耗
Pd
4.83 (*1)
工作温度范围
TOPT
-20½+85
存储温度范围
TSTG
-55½+150
结温
TJMAX
+150
( * 1 )实现对玻璃环氧树脂板
( ROHM
标准板: 74.2 × 74.2 × 1.6 [毫米
3
] 4层)
功耗取决于所安装的布线图案。
工作电源电压
极限
符号
典型值
VBAT
2.5
3.7
VBAT2
2.5
3.7
VBAT3
2.5
3.7
VBAT电源电压
VBAT4
2.5
3.7
VBAT5
2.5
3.7
VBAT6
2.5
3.7
没有防辐射设计
绝对最大额定值
(Ta=25[℃])
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
W
最大
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
单位
V
V
V
V
V
V
版本B
2/4
电气特性(除另有规定外, VBAT = VBAT2,3,4,5,6 = 3.7 [V] , VCC = 3.7 [V] ,TA = 25 ℃ ] )
符号
-
极限
典型值
72
最大
150
单位
μA
XSHDN1=H,
XSHDN24=L
FB1=0.5[V]
·总和
VBAT的终端,并VOUT1终端
XSHDN1=H,
XSHDN24 = H , TEST1 = H
FB1=0.5[V]
·总和
VBAT的终端,并VOUT1终端
All
设置终端= L
·总和
VBAT的终端,并VOUT1终端
XSHDN1
V
V
V
μA
兆赫
V
V
μs
V
V
ms
V
ms
V
ms
V
ms
V
V
ms
XSHDN24,XSHDN3,XSHDN5,XSHDN6
电源3.7 [ V]
XSHDN24,XSHDN3,XSHDN5,XSHDN6
RT=10[k]
消耗电流( PFM )
ICC1
消耗电流( PWM )
关闭电流消耗
H输入电压1
L输入电压1
H输入电压2
L输入电压2
H输入电流1
振荡频率1
降低电压检测电压
降压返回电压
【CH1】
启动时间为85%
误差放大器参考电压
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
最大占空比
【CH2】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
【CH3】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻的一面
NMOS导通电阻的一面
PMOS导通电阻UP方
NMOS导通电阻UP方
最大占空比
【CH4】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻的一面
NMOS导通电阻的一面
PMOS导通电阻UP方
NMOS导通电阻UP方
最大占空比
【CH5】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
【CH6】
误差放大器的参考电压1
误差放大器的参考电压2
软启动期间85 %
负荷开关导通电阻
NMOS导通电阻
最大占空比
ICC2
ICC3
VIH1
VIL1
VIH3
VIL3
IIH1
FOSC1
VUVLO1
VUVLO2
TSS1
EREF1
RONP1
RONN1
DMAX1
EREF2
TSS2
RONP2
RONN2
EREF3
TSS3
RONPD3
RONND3
RONPU3
RONNU3
DMAX3
EREF4
TSS4
RONPD4
RONND4
RONPU4
RONNU4
DMAX4
EREF5
TSS5
RONP5
RONN5
EREF6
EREF6.1
TSS6
RONP6
RONN6
DMAX6
1.57
-
VBAT
-0.3
-
2.5
-
4.63
1.2
1.75
1.95
310
0.388
-
-
76.5
0.390
0.43
-
-
0.390
0.85
-
-
-
-
65
0.390
1.28
-
-
-
-
65
0.390
0.85
-
-
0.380
0.380
2.55
-
-
83
2.35
0
-
-
-
-
9.25
1.5
1.95
2.15
620
0.400
0.24
0.14
85.0
0.400
0.85
0.13
0.08
0.400
1.70
0.24
0.25
0.26
0.16
80
0.400
2.55
0.16
0.21
0.24
0.16
80
0.400
1.70
0.26
0.17
0.400
0.400
5.10
0.23
0.47
90
3.53
10
-
GND
+0.3
-
GND
+0.3
18.5
1.8
2.15
2.35
930
0.412
0.38
0.23
93.5
0.410
1.27
0.21
0.14
0.410
2.55
0.39
0.40
0.42
0.27
95
0.410
3.83
0.26
0.33
0.38
0.26
95
0.410
2.55
0.42
0.28
0.420
0.420
7.65
0.37
0.73
97
mA
μA
V
初创时期的100% 730 [美国] ( TYP )
XSHDN24=L
XSHDN24=H
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
XSHDN24=H
初创时期的100% 1.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
初创时期的100% 2.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
初创时期的100% 3.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
初创时期的100% 2.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
恒压控制端
恒流控制方
初创时期的100% 6.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
版本B
3/4
框图
包装外形
BD9639MW
L½½ N½.
端子号/端子名称
引脚说明
号航站楼
名字
等效电路
终端无
名字
等效电路
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
SW1
SW1
PGND1
PGND1
TEST1
VBAT
XSHDN1
AGND1
XSHDN24
FB5
PGND5
SW5
VBAT5
XSHDN5
FB4
VOUT4
VOUT4
USW4
USW4
PGND4
PGND4
DSW4
DSW4
VBAT4
VBAT4
DPG4
储备
FB61
CH1开关端子
CH1开关端子
CH1 DRIVER GND端子
CH1 DRIVER GND端子
测试终端
电池输入端子
CH1关机终端
模拟GND端子
CH 2 · 4关机终端
CH5饲料降压终端
CH5驱动GND端子
CH5开关端子
CH5驱动电源端子
CH5关机终端
CH4饲料降压终端
CH4输出端子
CH4输出端子
CH4升压侧开关端子
CH4升压侧开关端子
CH4 DRIVER GND端子
CH4 DRIVER GND端子
CH4降压侧开关端子
CH4降压侧开关端子
CH4驱动电源端子
CH4驱动电源端子
CH4门接线端子
备用终端
CH6饲料降压终端
(恒
当前方)
O
O
G
G
O½G
V
G
G
O½G
G
G
O
V
O½G
G
O
O
O
O
G
G
O
O
V
V
O
O½G
G
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
FB6
PGND6
SW6
LSO6
VBAT6
XSHDN6
RT
AGND2
VCC
PGND2
PGND2
SW2
SW2
VBAT2
VBAT2
FB2
TEST2
XSHDN3
VBAT3
DSW3
DPG3
PGND3
USW3
VOUT3
FB3
FB1
VOUT1
VOUT1
CH6饲料降压终端
(恒
当前方)
CH6驱动GND端子
CH6开关端子
CH6负荷开关输出端
CH6负荷开关的输入端
CH6关机终端
三角波设置终端电阻
模拟GND端子
模拟电源端
CH2 DRIVER GND端子
CH2 DRIVER GND端子
CH2开关端子
CH2开关端子
CH2驱动电源端子
CH2驱动电源端子
CH2饲料降压终端
测试终端
CH3关机终端
CH3驱动电源端子
CH3降压侧开关端子
CH3门接线端子
CH3 DRIVER GND端子
CH3升压侧开关端子
CH3输出端子
CH3饲料降压终端
CH1饲料降压终端
CH1输出端子
CH1输出端子
G
G
O
O
V
O½G
(*1)
G
V
G
G
O
O
V
V
G
O½G
O½G
V
O
O
G
O
O
G
G
O
O
关于上述终端解释的右边缘上的字母是未使用的处理。
OOPEN GGND O½GOPEN or GND VPower supply (VBAT)
(*1)10[K]Pull-down
版本B
4/4
“指令
对于使用
1.Board图案
VBAT,VBAT2,VBAT3,VBAT4,VBAT5,VBAT6
都必须连接到主板上的电源。
-vcc
必须连接到VOUT1输出电路板上。
All
PGND和AGND必须连接到GND在电路板上。
All
电源线和GND端子必须具有宽/短模式,以实现基本的低阻抗进行布线。
2.外围电路
“使用
低ESR陶瓷电容旁边的IC引脚的电源和GND端子与地方之间的电容旁路电容器。
⑤Place
外部元件,如L和C通过IC宽/空头格局。
·画
输出电压从电容器的两端。
·曹景伟
短路时CH1输出过载外部二极管和5月击穿组件。
加入波利开关和熔断器,以避免过大的电流流体力准备对策。
3.Start-up
·保持
由启动设备轻载状态。
·请
它以PWM模式( XSHDN24 = L→H ) CH1之后开始在PFM模式( XSHDN1 = L→H )和VOUT1输出电压立起。
此外,启动约CH3 · CH5 · CH6以来, PWM模式(同时包含它)的开始。
4.Absolute最大额定值
在产品质量控制行使充分的照顾,但是上面的工作电源电压的绝对最大额定值和/或
工作温度范围可导致腐烂和损坏IC 。如果特定的模式,使得超过绝对最大额定值的预期,
请有身体对抗,如添加保险丝和波利开关等。
5.Thermal设计
考虑在实际设备使用情况的功耗,保证了良好的散热设计裕量。 (请参见第6页)
6.Terminal到终端短/误安装
↓虽然
在电路板上安装IC ,检查方向和IC的转变。如果安装不当, IC可能被击穿。从另外短路
不想要的污染处和/或之间的任何终端的电源和GND也可能会导致缺陷。
7.Operating在强电磁场
●请
在强电磁场的设备使用要注意。设备可能会导致故障。
8.Thermal关闭。 (TSD)
\u003c主
TSD的目的是从失控效应关闭IC下来。这不是补偿或保护IC本身。因此,请不连续做
操作IC后TSD电路被激活和/或操作的前提下,使得要使用TSD电路功能。
9.Inspection与主板集
↓虽然
连接电容器的低阻抗引脚,请放电电容器由一个处理由另一个来防止IC的应力。而
安装和执行局在检查过程中除去IC为/时,一定要关闭电源每个动作。而且装备
地面地球在组装过程中的ESD保护以及测试和/或运输过程中轻拿轻放。
10.Input终端
集成电路是单片集成电路,并且具有P
+
隔离和P衬底的元件分离。因此,寄生PN结坚挺在此P层
和N层的每个元素的。例如在下面的图中所示,电阻器或晶体管被连接到终端。当电压GND
电势大于该电压电位端子A或B,在PN结作为一个寄生二极管。此外,寄生NPN晶体管
形成在所述寄生二极管和N层接近周围元件的所述寄生二极管。这些寄生元件被形成在所述集成电路
因为电压关系。寄生元件的操作导致了错误操作和破坏。因此,请小心,以免
通过施加电压低于GND( P衬底)的输入端操作的寄生元件。此外,请申请与各输入端
比电源电压低于或等于所规定的范围内,在保证电压时,被施加电源电压
电阻器
A端
A端
晶体管( NPN )
B候机楼
C
B
E
终奌站
B
C
E
B
杂散
部件
N
P
+
N
N
P
P
+
N
P
Substrat
e
GND
GND
邻里
部件
P
+
N
N
P
P
+
N
P
Substrat
e
杂散分量
GND
杂散分量
GND
杂散分量
implified IC结构
本产品11.Usage
集成电路的设计中的DSC / DVD的应用程序中使用。
·当
使用我们的产品的设备或装置除上述应用外,请务必与我们的销售代表咨询
提前。
版本B
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,燃
控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
R1010A
1/4
S T ü (C T) ü
P ,R 0 ü (C T)
M
o
d
e
l
半导体集成电路
DSC / DVC系统电源LSI
BD9639MWV
(1)
6ch的DC / DC变换器
CH1
BOOST
内置FET
CH2
巴克
内置FET
CH3
BUCK- BOOST
内置FET
CH4
BUCK- BOOST
内置FET
CH5
巴克
内置FET
CH6
BOOST
内置FET
低电压工作2.5 [ V]
CH1的电源电压输出给内部电路
初创通道,汽车
CORE
CMOS
数字
CMOS ,内存
LED
F加利(C T) I O北南
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
CH1 PWM / PFM选择
CH3 , CH4升压 - 降压自动切换
CH6集成的升压输出关断( CH6负荷开关内置)
软启动对应于每个信道
Ground short protection(CH2½CH6)
Error amp phase compensation(CH1½CH6)
Operating frequency 1.5[MHz] (CH1½CH6)
安装在高散热侧包
(UQFN056V7070)
符号
等级
VBAT
电源电压
-0.3½7
VBAT23456
SW6允许的电压
SW6
24.0
VOUT1允许的电流输出
I
VOUT1
1.0
SW1允许的电流输出
I
SW
1.0
SW2允许的电流输出
I
SW2
2.0
VOUT3允许的电流输出
I
VOUT3
1.0
DSW3允许的电流输出
I
DSW3
1.0
USW3允许的电流输出
I
USW3
1.0
VOUT4允许的电流输出
I
VOUT4
1.0
DSW4允许的电流输出
I
DSW
1.0
USW4允许的电流输出
I
USW
1.0
SW5允许的电流输出
I
SW5
1.0
SW6允许的电流输出
I
SW6
0.2
功耗
Pd
4.83 (*1)
工作温度范围
TOPT
-20½+85
存储温度范围
TSTG
-55½+150
结温
TJMAX
+150
( * 1 )实现对玻璃环氧树脂板
( ROHM
标准板: 74.2 × 74.2 × 1.6 [毫米
3
] 4层)
功耗取决于所安装的布线图案。
工作电源电压
极限
符号
典型值
VBAT
2.5
3.7
VBAT2
2.5
3.7
VBAT3
2.5
3.7
VBAT电源电压
VBAT4
2.5
3.7
VBAT5
2.5
3.7
VBAT6
2.5
3.7
没有防辐射设计
绝对最大额定值
(Ta=25[℃])
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
W
最大
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
单位
V
V
V
V
V
V
版本C
2/4
电气特性(除另有规定外, VBAT = VBAT2,3,4,5,6 = 3.7 [V] , VCC = 3.7 [V] ,TA = 25 ℃ ] )
符号
-
极限
典型值
72
最大
150
单位
μA
XSHDN1=H,
XSHDN24=L
FB1=0.5[V]
·总和
VBAT的终端,并VOUT1终端
XSHDN1=H,
XSHDN24 = H , TEST1 = H
FB1=0.5[V]
·总和
VBAT的终端,并VOUT1终端
All
设置终端= L
·总和
VBAT的终端,并VOUT1终端
XSHDN1
V
V
V
μA
兆赫
V
V
μs
V
V
ms
V
ms
V
ms
V
ms
V
V
ms
XSHDN24,XSHDN3,XSHDN5,XSHDN6
电源3.7 [ V]
XSHDN24,XSHDN3,XSHDN5,XSHDN6
RT=10[k]
消耗电流( PFM )
ICC1
消耗电流( PWM )
关闭电流消耗
H输入电压1
L输入电压1
H输入电压2
L输入电压2
H输入电流1
振荡频率1
降低电压检测电压
降压返回电压
【CH1】
启动时间为85%
误差放大器参考电压
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
最大占空比
【CH2】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
【CH3】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻的一面
NMOS导通电阻的一面
PMOS导通电阻UP方
NMOS导通电阻UP方
最大占空比
【CH4】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻的一面
NMOS导通电阻的一面
PMOS导通电阻UP方
NMOS导通电阻UP方
最大占空比
【CH5】
误差放大器参考电压
软启动期间85 %
PMOS导通电阻
NMOS导通电阻
【CH6】
误差放大器的参考电压1
误差放大器的参考电压2
软启动期间85 %
负荷开关导通电阻
NMOS导通电阻
最大占空比
ICC2
ICC3
VIH1
VIL1
VIH3
VIL3
IIH1
FOSC1
VUVLO1
VUVLO2
TSS1
EREF1
RONP1
RONN1
DMAX1
EREF2
TSS2
RONP2
RONN2
EREF3
TSS3
RONPD3
RONND3
RONPU3
RONNU3
DMAX3
EREF4
TSS4
RONPD4
RONND4
RONPU4
RONNU4
DMAX4
EREF5
TSS5
RONP5
RONN5
EREF6
EREF6.1
TSS6
RONP6
RONN6
DMAX6
1.57
-
VBAT
-0.3
-
2.5
-
4.63
1.2
1.75
1.95
310
0.388
-
-
76.5
0.390
0.43
-
-
0.390
0.85
-
-
-
-
65
0.390
1.28
-
-
-
-
65
0.390
0.85
-
-
0.380
0.380
2.55
-
-
83
2.35
0
-
-
-
-
9.25
1.5
1.95
2.15
620
0.400
0.24
0.14
85.0
0.400
0.85
0.13
0.08
0.400
1.70
0.24
0.25
0.26
0.16
80
0.400
2.55
0.16
0.21
0.24
0.16
80
0.400
1.70
0.26
0.17
0.400
0.400
5.10
0.23
0.47
90
3.53
10
-
GND
+0.3
-
GND
+0.3
18.5
1.8
2.15
2.35
930
0.412
0.38
0.23
93.5
0.410
1.27
0.21
0.14
0.410
2.55
0.39
0.40
0.42
0.27
95
0.410
3.83
0.26
0.33
0.38
0.26
95
0.410
2.55
0.42
0.28
0.420
0.420
7.65
0.37
0.73
97
mA
μA
V
初创时期的100% 730 [美国] ( TYP )
XSHDN24=L
XSHDN24=H
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
XSHDN24=H
初创时期的100% 1.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
初创时期的100% 2.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
初创时期的100% 3.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
初创时期的100% 2.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
恒压控制端
恒流控制方
初创时期的100% 6.0 [毫秒] ( TYP )
电源3.7 [ V]
电源3.7 [ V]
版本C
3/4
框图
包装外形
BD9639MW
L½½ N½.
端子号/端子名称
引脚说明
号航站楼
名字
等效电路
终端无
名字
等效电路
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
SW1
SW1
PGND1
PGND1
TEST1
VBAT
XSHDN1
AGND1
XSHDN24
FB5
PGND5
SW5
VBAT5
XSHDN5
FB4
VOUT4
VOUT4
USW4
USW4
PGND4
PGND4
DSW4
DSW4
VBAT4
VBAT4
DPG4
储备
FB61
CH1开关端子
CH1开关端子
CH1 DRIVER GND端子
CH1 DRIVER GND端子
测试终端
电池输入端子
CH1关机终端
模拟GND端子
CH 2 · 4关机终端
CH5饲料降压终端
CH5驱动GND端子
CH5开关端子
CH5驱动电源端子
CH5关机终端
CH4饲料降压终端
CH4输出端子
CH4输出端子
CH4升压侧开关端子
CH4升压侧开关端子
CH4 DRIVER GND端子
CH4 DRIVER GND端子
CH4降压侧开关端子
CH4降压侧开关端子
CH4驱动电源端子
CH4驱动电源端子
CH4门接线端子
备用终端
CH6饲料降压终端
(恒
当前方)
O
O
G
G
O½G
V
G
G
O½G
G
G
O
V
O½G
G
O
O
O
O
G
G
O
O
V
V
O
O½G
G
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
FB6
PGND6
SW6
LSO6
VBAT6
XSHDN6
RT
AGND2
VCC
PGND2
PGND2
SW2
SW2
VBAT2
VBAT2
FB2
TEST2
XSHDN3
VBAT3
DSW3
DPG3
PGND3
USW3
VOUT3
FB3
FB1
VOUT1
VOUT1
CH6饲料降压终端
(恒
当前方)
CH6驱动GND端子
CH6开关端子
CH6负荷开关输出端
CH6负荷开关的输入端
CH6关机终端
三角波设置终端电阻
模拟GND端子
模拟电源端
CH2 DRIVER GND端子
CH2 DRIVER GND端子
CH2开关端子
CH2开关端子
CH2驱动电源端子
CH2驱动电源端子
CH2饲料降压终端
测试终端
CH3关机终端
CH3驱动电源端子
CH3降压侧开关端子
CH3门接线端子
CH3 DRIVER GND端子
CH3升压侧开关端子
CH3输出端子
CH3饲料降压终端
CH1饲料降压终端
CH1输出端子
CH1输出端子
G
G
O
O
V
O½G
(*1)
G
V
G
G
O
O
V
V
G
O½G
O½G
V
O
O
G
O
O
G
G
O
O
关于上述终端解释的右边缘上的字母是未使用的处理。
OOPEN GGND O½GOPEN or GND VPower supply (VBAT)
(*1)10[K]Pull-down
版本C
4/4
“指令
对于使用
1.Board图案
VBAT,VBAT2,VBAT3,VBAT4,VBAT5,VBAT6
都必须连接到主板上的电源。
-vcc
必须连接到VOUT1输出电路板上。
All
PGND和AGND必须连接到GND在电路板上。
All
电源线和GND端子必须具有宽/短模式,以实现基本的低阻抗进行布线。
2.外围电路
“使用
低ESR陶瓷电容旁边的IC引脚的电源和GND端子与地方之间的电容旁路电容器。
⑤Place
外部元件,如L和C通过IC宽/空头格局。
·画
输出电压从电容器的两端。
·曹景伟
短路时CH1输出过载外部二极管和5月击穿组件。
加入波利开关和熔断器,以避免过大的电流流体力准备对策。
3.Start-up
·保持
由启动设备轻载状态。
·请
它以PWM模式( XSHDN24 = L→H ) CH1之后开始在PFM模式( XSHDN1 = L→H )和VOUT1输出电压立起。
此外,启动约CH3 · CH5 · CH6以来, PWM模式(同时包含它)的开始。
4.Absolute最大额定值
在产品质量控制行使充分的照顾,但是上面的工作电源电压的绝对最大额定值和/或
工作温度范围可导致腐烂和损坏IC 。如果特定的模式,使得超过绝对最大额定值的预期,
请有身体对抗,如添加保险丝和波利开关等。
5.Thermal设计
考虑在实际设备使用情况的功耗,保证了良好的散热设计裕量。 (请参见第6页)
6.Terminal到终端短/误安装
↓虽然
在电路板上安装IC ,检查方向和IC的转变。如果安装不当, IC可能被击穿。从另外短路
不想要的污染处和/或之间的任何终端的电源和GND也可能会导致缺陷。
7.Operating在强电磁场
●请
在强电磁场的设备使用要注意。设备可能会导致故障。
8.Thermal关闭。 (TSD)
\u003c主
TSD的目的是从失控效应关闭IC下来。这不是补偿或保护IC本身。因此,请不连续做
操作IC后TSD电路被激活和/或操作的前提下,使得要使用TSD电路功能。
9.Inspection与主板集
↓虽然
连接电容器的低阻抗引脚,请放电电容器由一个处理由另一个来防止IC的应力。而
安装和执行局在检查过程中除去IC为/时,一定要关闭电源每个动作。而且装备
地面地球在组装过程中的ESD保护以及测试和/或运输过程中轻拿轻放。
10.Input终端
集成电路是单片集成电路,并且具有P
+
隔离和P衬底的元件分离。因此,寄生PN结坚挺在此P层
和N层的每个元素的。例如在下面的图中所示,电阻器或晶体管被连接到终端。当电压GND
电势大于该电压电位端子A或B,在PN结作为一个寄生二极管。此外,寄生NPN晶体管
形成在所述寄生二极管和N层接近周围元件的所述寄生二极管。这些寄生元件被形成在所述集成电路
因为电压关系。寄生元件的操作导致了错误操作和破坏。因此,请小心,以免
通过施加电压低于GND( P衬底)的输入端操作的寄生元件。此外,请申请与各输入端
比电源电压低于或等于所规定的范围内,在保证电压时,被施加电源电压
电阻器
A端
A端
晶体管( NPN )
B候机楼
C
B
E
终奌站
B
C
E
B
杂散
部件
N
P
+
N
N
P
P
+
N
P
Substrat
e
GND
GND
邻里
部件
P
+
N
N
P
P
+
N
P
Substrat
e
杂散分量
GND
杂散分量
GND
杂散分量
implified IC结构
本产品11.Usage
集成电路的设计中的DSC / DVD的应用程序中使用。
·当
使用我们的产品的设备或装置除上述应用外,请务必与我们的销售代表咨询
提前。
版本C
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
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设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
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