高科技性能的稳压器IC系列的PC
集成FET
开关稳压器的DDR -SDRAM内核
BD95514MUV
No.09030EBT16
°说明
BD95514MUV是一种能够在低输出电压提供高电流输出（高达4A ）开关稳压器（ 0.7V 5.0V ）
在宽范围的输入电压（ 4.5V 28V） 。该稳压器具有高的内部N -MOSFET功率晶体管
3
TM
效率和低空间消耗，同时融入了ROHM独有的寄存器控制模式技术，高产
业界最快的瞬态响应时间对负载变化。 SLLM （简单轻负载模式）技术也是
集成的电源轻载，以及软启动，变频时提高效率，短路保护
用定时器锁存器，过电压保护，以及REF跟踪功能。该稳压器是适用于PC的应用程序。
■特点
1 ）I内置低导通电阻的功率N-MOSFET （典型值： 120MΩ ）
2 ） I内部5V线性稳压器（ 100毫安）
3
TM
3）集成的H寄存器的DC / DC变换器控制器
4 ）可选择简单轻负载模式（ SLLM ） ，静音轻负载模式（ QLLM ），并强制连续模式
5 ）内置热关断，低投入，电流过载，输出过压和欠压保护电路
6 ）软启动功能，以最大限度地减少启动时的浪涌电流
7 ）可调节开关频率（f = 200千赫 1000千赫：这取决于安装条件的变化） 。
8 ）内置输出放电功能
9 ） VQFN032V5050功率封装
10 ）追踪功能
11 ）内置自举二极管
■应用
移动PC，台式电脑，液晶电视，数字家庭电子产品
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2009.04 - Rev.B的
BD95514MUV
“绝对
最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
输入电压1
输入电压2
输入电压3
输入电压4
外部VCC电压
启动电压
BOOT -SW电压
输出反馈电压
SS / FS /模电压
V
REG
电压
EN / CTL输入电压
PGOOD电压
输出电流（平均值）
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
结温
技术说明
符号
VCC
V
DD
AVIN
VIN
EXTVCC
BOOT
BOOT -SW
FB
SS / FS / MODE
V
REG
EN / CTL
PGOOD
ISW
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
TJMAX
价值
7
*1
*1
7
30
*1
30
*1
7
*1
35
7
*1
VCC
VCC
VCC
7
*1
7
*1
4
*1
0.38
*2
0.88
*3*6
2.06
*4*6
4.56
*5*6
-10½+100
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
W
W
W
°C
°C
°C
* 1不要超过钯。
* 2钽≧ 25 ° C（仅IC ） ，电源消耗为3.0MW / ℃。
* 3的Ta ≧ 25 ° C（单层板， 20.2毫米
2
铜散热垫） ，功率消耗为7.0mW / ℃。
* 4的Ta ≧ 25 ° C（ 4层电路板， 10.29毫米
2
在顶层的铜散热垫， 5505毫米
2
垫2
nd
和3
rd
层） ，功率耗散为16.5mW / ℃。
* 5的Ta ≧ 25 ° C（ 4层电路板，具有5505毫米所有层
2
铜散热片） ，功率耗散为36.5mW / ℃。
* 6的值观察芯片背面焊接。在回流前，功耗更低。
“操作
条件（ TA = 25 ° C）
参数
输入电压1
输入电压2
输入电压3
输入电压4
外部VCC电压
启动电压
SW电压
BOOT -SW电压
模输入电压
EN / CTL输入电压
PGOOD电压
最小导通时间
符号
VCC
V
DD
AVIN
VIN
EXTVCC
BOOT
SW
BOOT -SW
模式
EN / CTL
PGOOD
TONmin
民
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
-0.7
4.5
0
0
0
-
最大
5.5
5.5
28
28
5.5
33
28
5.5
5.5
5.5
5.5
100
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
纳秒
*本产品不适合在放射性环境中使用。
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2009.04 - Rev.B的
BD95514MUV
技术说明
ⅵELECTRICAL
特征
（除非另有说明，TA = 25 ℃ ， AV
IN
= 12V ， VCC = V
DD
=V
REG
， EN / CTL = 5V ， MODE = 0V ，R
FS
=180kΩ)
标准值
参数
符号
单位
条件
民
典型值
最大
[整台设备的块]
AV
IN
偏置电流1
I
IN
1
-
1300
2000
μA
AV
IN
偏置电流2
I
IN
2
-
200
300
μA
EXTVCC=5V
AV
N
待机电流
I
IN
机顶盒
-
0
10
μA
CTL=EN＝0V
EN低压
ENLOW
GND
-
0.8
V
EN高压
ENHIGH
2.3
-
5.5
V
EN偏置电流
I
EN
-
12
20
μA
CTL低压
CTLLOW
GND
-
0.8
V
CTL高压
CTLhigh
2.3
-
5.5
V
CTL偏置电流
I
CTL
-
1
6
μA
[ 5V线性稳压块]
V
REG
输出电压
V
REG
4.90
5.00
5.10
V AV
IN
= 6.0 25VI
REG
= 0至100mA
最大电流
I
REG
200
-
-
mA
[ 5V开关组]
EXTVCC输入阈值电压
EVCC
· UVLO
4.2
4.4
4.6
V EXTVCC ：扫掉
开关导通电阻
R
EVCC
-
1.0
2.0
[欠压锁定块]
AV
IN
阈值电压
AV
IN_ UVLO
4.1
4.3
4.5
V VCC ：扫掉
AV
IN
滞后电压
DAV
IN_ UVLO
100
160
220
毫伏VCC ：扫描下来
V
REG
阈值电压
V
REG_ UVLO
4.1
4.3
4.5
V V
REG
：扫掉
V
REG
滞后电压
dV
REG_ UVLO
100
160
220
毫伏V
REG
：扫倒
3
TM
[H区块注册]
准时
吨
400
500
600
纳秒
最大导通时间
TONmax
5.0
11.0
22.0
微秒
最小关断时间
Toffmin
-
450
550
纳秒
[ FET驱动器模块]
高边导通电阻
Ron_high
-
120
200
m
低边导通电阻
Ron_low
-
120
200
m
[ SCP块]
SCP启动电压
V
SCP
0.420
0.490
0.560
V V
FB
：首付30％
延迟时间
t
SCP
0.5
1
2
ms
[ OVP块]
OVP设定电压
V
OVP
0.800
0.840
0.880
V V
FB
：20％上升
延迟时间
t
OVP
0.5
1
2
ms
[软启动块]
充电电流
国际空间站
1.4
2.2
3.0
μA
待机电压
Vss_stb
-
-
100
mV
[电流限幅模块]
高侧FET输出电流限制
I
HOCP
4.5
6.0
7.5
高峰值检测
低端FET输出电流限制
I
LOCP
3.0
4.0
5.0
一种低峰值检测
[输出电压检测模块]
反馈引脚电压1
V
FB
1
0.693
0.700
0.707
V
反馈引脚电压2
V
FB
2
0.690
0.700
0.710
V的Ta = -10 ℃至100℃ ， IOUT = 0A至4A
反馈引脚偏置电流
I
FB
-100
0
100
nA
[MODE块]
SLLM
VTH
SLLM
VCC-0.5
-
VCC
V SLLM （最大LG关断时间： ∞ ）
强制连续模式
VTH
CONT
GND
-
0.5
V连拍模式
QLLM
VTH
QLLM
2.5
3.0
3.5
V QLLM （最大LG关断时间： 40usec ）
开路电压
V
模式
1.5
-
3.0
V
[电源良好块]
V
FB
电源良好电压低
V
FB PL
0.605
0.630
0.655
V V
FB
： 10 ％下调
V
FB
电源良好电压高
V
FB PH
0.745
0.770
0.795
V V
FB
：10％上升
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