高性能稳压器适用于PC
开关稳压器
与MOSFET的DDR -SDRAM内核
BD95500MUV
No.10030ECT21
°说明
BD95500MUV是具有高输出电流（高达6A ），其可实现低的输出电压的开关稳压器
从很宽的输入电压范围（ 3V至20V ） （ 0.7V至5.0V ） 。高效率的开关稳压器可以通过实现
3
TM
利用一个内部N-MOSFET功率晶体管。一的H注册的新技术是罗门哈斯专有的控制方法
实现了对负载变化超高的瞬态响应。 SLLM （简单轻负载模式）技术也被整合到
提高轻载模式下的效率，提供高效率，在很宽的负载范围内。用于保护使用中，和便于
软起动功能，频率可变功能，带定时锁存器的短路保护功能，过电压保护
功能和电源良好功能都是内置的。这个开关稳压器是专为套各类。
■特点
1 ）集成了低导通电阻N-MOSFET （典型值50mΩ以下）
3
TM
2）H-寄存器的DC / DC变换器控制器
3 ）调节简单轻负载模式（ SLLM ） ，并强制连续模式
4 ）热关断（ TSD ） ，欠压锁定（ UVLO ） ，可调过电流保护（ OCP ） ，
过电压保护（ OVP ） ，短路保护（ SCP ），内置
5 ）软启动功能，以最大限度地减少启动时的浪涌电流
6) Adjustable switching frequency (f=200KHz½1000KHz)
7 ）内置输出放电功能
8 ） VQFN040V6060套餐
9 ）追踪功能
10 ）集成自举二极管
11 ）电源良好功能
■应用
移动PC ，台式电脑，液晶电视，数字元件等
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2010.05 - Rev.C
BD95500MUV
=最大
绝对额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
输入电压1
输入电压2
输入电压3
启动电压
BOOT -SW电压
LG电压
REF电压
输出电压
ILIM / SS / FS /模电压
VREG电压
EN输入电压
输出电流（平均值）
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
结温
符号
VCC
VDD
VIN
BOOT
BOOT -SW
LG
REF
VOUT / IS + / IS-IS
ILIM / SS / FS / MODE
VREG
EN
ISW
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
7
*1
7
24
7
VDD
VCC
VCC
VCC
VCC
7
6
0.54
1.00
3.77
4.66
*2
*3
*4
*5
*1
*1
技术说明
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
W
W
W
℃
℃
℃
30
-10½+100
-55½+150
+150
* 1不超过钯， ASO和TJMAX = 150 ℃ 。
* 2减少4.3mW每提高1 ℃，钽在25℃以上时（不要安装在散热板）
* 3在钽的增加降低了8.0mW 1℃超过25 ℃ 。 （安装在电路板上70.0毫米× 70毫米X30 1.6毫米玻璃 - 环氧树脂印刷电路板具有1层时。
（铜箔面积： 0毫米
2
))
* 4的Ta减少30.1mW为增加1 ℃超过25 ℃ 。 （安装在电路板上70.0毫米× 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板有4层时。
(1
st
和4
th
铜箔面积： 20.2毫米
2
, 2
nd
和3
rd
铜箔面积： 5505毫米
2
))
* 5钽减少37.3mW为增加1 ℃超过25 ℃ 。 （安装在电路板上70.0毫米× 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板有4层时。
（所有的铜箔面积： 5505毫米
2
))
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
输入电压1
输入电压2
输入电压3
启动电压
SW电压
BOOT -SW电压
模输入电压
EN输入电压
输出电压可调
是输入电压
最小开启时间
符号
VCC
VDD
VIN
BOOT
SW
BOOT -SW
模式
EN
REF
为+ / IS-IS
TONmin
评级
民
4.5
4.5
3.0
4.5
-0.7
4.5
0
0
0.7
0.7
-
最大
5.5
5.5
20
25
20
5.5
5.5
5.5
2.0
2.7
200
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
纳秒
*本产品不应该在放射性环境中使用。
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2010.05 - Rev.C
BD95500MUV
技术说明
ⅵELECTRICAL
特征
（除非另有说明， TA = 25 ℃ ， VCC = 5V ， VDD = 5V ， EN / MODE = 5V ， VIN = 12V ， REF = 1.8V ， RFS =和68kΩ ）
极限
参数
符号
单位条件
分钟。
典型值。
马克斯。
[整个设备]
V
CC
偏置电流
ICC
-
1200
2000
μA
V
IN
偏置电流
IIN
-
100
200
μA
V
CC
待机电流
Iccstb
-
0
10
μA
EN＝0V
V
IN
待机电流
Iinstb
-
0
10
μA
EN＝0V
EN低压
ENLOW
GND
-
0.8
V
EN高压
ENHIGH
2.3
-
5.5
V
EN偏置电流
IEN
-
7
10
μA
IREG = 0将电流降至500uA ，
VREG电压
VREG
2.475
2.500
2.525
V
TA = -10 ℃至100℃ *
[欠压锁定]
V
CC
阈值电压
VCC_UVLO
4.1
4.3
4.5
V
V
CC
：扫掉
V
CC
滞后电压
DVCC_UVLO
100
160
220
毫伏V
CC
：扫倒
V
IN
阈值电压
VIN_UVLO
2.4
2.6
2.8
V
V
IN
：扫掉
V
IN
迟滞
dVin_UVLO
100
160
220
毫伏V
IN
：扫倒
VREG阈值电压
VREG_UVLO
2.0
2.2
2.4
V
VREG ：扫掉
VREG滞后电压
DVREG_UVLO
100
160
220
毫伏VREG ：扫描下来
3
TM
[H REG控制块]
准时
吨
400
500
600
纳秒
最大导通时间
TONmax
-
3
6.0
微秒
最小关断时间
Toffmin
-
450
550
纳秒
[ FET块]
高边导通电阻
HGhon
-
50
80
m
低边导通电阻
HGlon
-
50
80
m
[ SCP块]
SCP启动电压
VSCP
REF × 0.60 × REF REF 0.70 × 0.80
V
延迟时间
TSCP
-
1.0
2.0
ms
[ OVP块]
OVP电压检测
VOVP
REF × 1.16 × REF REF 1.2 × 1.24
V
[软启动块]
充电电流
国际空间站
2
4
6
μA
放电电流
IDIS
0.5
1.0
2.0
μA
待机电压
Vss_stb
-
-
50
mV
[过电流保护块]
ILIM = 0.5V ，
电流限制阈值1
Ilim1
40
50
60
mV
TA = -10 ℃至100℃
电流限制阈值2
Ilim2
160
200
240
毫伏ILIM = 2.0V
[ Vout的设置]
V
OUT
偏移电压1
Voutoff1
REF-10m
REF
REF+10m
V
TA = -10 ℃至100℃
V
OUT
偏置电流
IVout
-100
0
100
nA
REF偏置电流
IREF
-100
0
100
nA
为+输入电流
IIS +
-1
0
1
μA
Is+=1.8V
IS-输入电流
IIS-
-1
0
1
μA
Is-=1.8V
[MODE块]
SLLM门槛
VTH
SLLM
VCC-0.5
-
VCC
V
强制连续模式
VTH
CONT
GND
-
0.5
V
输入阻抗
R
模式
-
400
-
k
[电源良好块]
V
OUT
电源良好电压低
VoutPL
REF × 0.85 × REF REF 0.90 × 0.95
V
V
OUT
电源良好电压高
VoutPH
REF × 1.05 × REF REF 1.10 × 1.15
V
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