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1/4
结构
产品系列
TYPE
框图
引脚分配
功能
硅单片集成电路
4-Channel
开关稳压器控制器,用于数码相机
BD9352GUL
图。 1
图。 2
图。 3
●包含交叉转换器( 1路) ,降压型转换器(双声道) ,升压转换器( 1路) ,配置为反相/降压
converter(1ch).
● 2通道包含晶体管的同步整流作用模式。
● 1channels包含场效应晶体管的升压转换器。
●所有通道都包含内部补偿。
它可以单独控制所有通道
●工作频率为1.5MHz ( CH2 ) , 750kHz的( CH1,3,4 ) 。
●包含截取输出电路过载时。
● 1通道具有高边开关具有软启动功能。
● 3.3毫米× 3.3毫米T = 0.55毫米WLCSP封装( VCSP50L3 )
○绝对最大额定值(Ta = 25 ℃ )
参数
符号
极限
单位
VCC
-0.3½7
V
VHx1½2
-0.3½7
V
HS4H
-0.3½7
V
P 2 O宽E R I氮,磷, ü吨V L T A G é
VLx4
-0.3½22
V
VDCM3
VCC-15½0.3
V
IomaxHx1
+2.0
A
IomaxHx2
+1.0
A
ü T P上ü牛逼
ú R R简牛逼
IomaxHS4
+1.2
A
IomaxLx4
±1.0
A
P 2 O宽E
I S的I P A T I O 4 N
Pd
1325(*1)
mW
工作温度
TOPR
-25½+85
S T R A克(E T) ê米P·E·R的T ü
TSTG
-55½+150
在TEM JUNC TI削减TUR ê
TJMAX
+150
(* 1)当安装在玻璃环氧印刷电路板(50毫米× 58毫米乘以1.75毫米)。当在Ta = 25 ℃以上使用由10.6米降低W / ℃。
动力
供应
电压
■推荐工作条件
参数
电源电压
VREF引脚连接
电容
VREGA引脚连接
电容
符号
极限
2.5
0.47
0.47
典型值
-
1.0
1.0
最大
5.5
4.7
4.7
单位
VCC
CVREF
CVREGA
V
μF
μF
本文档的状态
日语版的此文件的正式规范。请使用本文档的翻译版本作为参考加快的正式版的理解。
如果这些都在本文档的翻译版本的任何不确定性,正式版优先。
版本B
2/4
○Electrical characteristics(Ta=25℃, VCC=3.0V, STB1½4=3V)
参数
符号
2.4
极限
典型值
2.5
最大
2.6
单位
条件
参数
【输出驱动器】
V
Io=5mA
CH1 LX11终端
海赛德软件
抗性
CH1 LX11终端
低边SW
抗性
CH1 LX12终端
海赛德软件
抗性
CH1 LX12终端
低边SW
抗性
CH2海赛德软件
抗性
CH2低压侧SW
抗性
CH3驱动程序
输出电压
CH3驱动程序
输出电压L
CH4 NMOS SW
抗性
CH4负载SW
抗性
【放电开关】
IINV
VINV1
-
0.79
0
0.80
50
0.81
nA
V
INV1½4,
NON3=3.0V
通道1 ,2,4
CH3discharge SW
抗性
RDCM
82
165
330
Ω
RON11P
-
120
200
Hx1=3.0V
符号
极限
典型值
最大
单位
条件
【内部稳压器VREGA 】
输出电压
VREGA
【预防工作的小姐电路由低压输入】
门槛
Vstd2
电压
迟滞
⊿Vstd1
宽度
【短路保护】
SCP
TSCP
检测时间
定时器
启动阈值
Vtcinv
电压
【振子】
频率CH2
频率
CH1,3,4
MAX DUTY
CH1 LX11
最大的责任CH1
LX12
最大占空比2
(降压)
最大占空比3,4
【误差放大器】
输入
偏置电流
INV阈值1
CH3
输出电压
线路调整
输出电流
短路时
【软启动】
CH1
软启动时间
CH2
软启动时间
CH3
软启动时间
CH4
软启动时间
Tss1
Tss2
Tss3
Tss4
2.6
0.6
2.6
2.6
3.5
0.9
3.5
3.5
4.4
1.2
4.4
4.4
毫秒
毫秒
毫秒
毫秒
2.25
50
2.3
100
2.35
150
V
mV
VCC监视器
RON11N
-
130
210
VCC=3.0V
RON12P
-
120
200
VOUT1=3.0V
20
0.38
25
0.48
30
0.58
ms
V
监控CH2
INV
RON12N
RON2P
RON2N
Vout3H
Vout3L
RON4N
RON4P
-
-
-
VCC
-1.5
-
-
-
100
250
250
VCC
-1.0
0.5
500
250
160
400
400
-
1.0
800
350
V
V
VCC=3.0V
Hx2=3.0V
VCC=3.0V
IOUT3=-50mA
,NON3=0.2V
IOUT3=50mA
NON3=-0.2V
VCC=3.0V
HS4H = 3V ,
VCC=3.0V
fosc1
fosc2
Dmax11
Dmax12
Dmax2
Dmax3,4
1.2
0.6
-
86
-
86
1.5
0.75
-
92
-
92
1.8
0.9
100
96
100
96
兆赫
兆赫
%
%
%
%
【切换配置反相/降压】
IDSEL
控制
电压
反相
VIDDO
维丁
【反相基极偏置电压Vref 】
VOUT3
DVli
IOS
-7.105
-
0.2
-7.00
4.0
1.0
-6.895
12.5
-
V
mV
mA
VCC=2.8½5.5V
Vref=0V
VCC
×0.7
0
-
-
VCC
VCC
×0.3
V
V
(※1)
(※1)
【STB1½4】
机顶盒
控制
电压
活跃
活跃
VSTBH1
VSTBL1
RSTB1
1.5
-0.3
250
-
-
400
5.5
0.3
700
V
V
下拉电阻
【短路电流】
VBAT
终奌站
Hx
终奌站
待用
当前
终奌站
HS4H
终奌站
短路电流
( VCC电流时,
电压供电的
终端)
ISTB1
ISTB2
ISTB3
ISTB4
-
-
-
-
-
-
-
-
5
5
5
5
μA
μA
μA
μA
INV1½
4=1.2V ,
NON3=-0.2V
下台
加紧
ICC
-
2.0
4.0
mA
(※1)
IDSEL端子的输入是CMOS反相器的输入,使VCC的电源。
请连接到GND或VCC为不规则的预防。
◎本产品不正常运行而设计,在放射性环境
版本B
3/4
█Package
BD9352
LOT号
(单位:毫米)
图。 2
揭包强光像频闪会造成设备的不正确操作。
请确认操作步骤阴影后,使光线不能进入。
图。 1
PIN号
A1,B1
A2
引脚名称
GND
HX2
LX2
PGND2
HX1
INV2
STB2
STB1
STB3
LX11
VCC
VREGA
STB4
PGND1
HS4H
INV4
IDSEL
LX12
HS4L
VREF3
NON3
我NV3
我NV1
VOUT1
TEST1
LX4
PGND34
OUT3
DCM3
TEST2
功能
接地端子
CH2输入端的同步高侧开关,电源
对于P沟道驱动器
CH2端子,用于连接电感器
CH2接地端子的内部FET
CH1输入端的同步高侧开关,电源
对于P沟道驱动器
CH2误差放大器的反相输入端
CH 2 ON / OFF开关
CH1的ON / OFF开关
CH 3 ON / OFF开关
用于连接电感器CH1输入端子
输入的电池电压
VREGA输出
CH 4的ON / OFF开关
CH1接地端子的内部FET
CH4电源内部负载开关
CH3误差放大器的反相输入端
CH3反相/降压模式选择
L:反相, H:降压
用于连接电感的CH2输出端子
CH4电源内部负载开关
CH 3基极偏置电压
CH3误差放大器的同相输入
CH3误差放大器的反相输入端
CH1误差放大器的反相输入端
CH1voltage输出端子
测试终端。请短GND或开路
CH4端子,用于连接电感器
为CH3驱动程序和CH4内部FET的接地端子
为CH3 PMOS的栅极连接端子
CH3输出电压放电终端。
当你不使用放电功能,请短GND端子。
测试终端。请短GND或开路
转让
A3
A4
A5, A6
1
A
GND
2
HX2
3
LX2
4
PGND2
5
HX1
6
HX1
B2
B3
B4
B5
B6
C1
B
GND
INV2
STB2
STB1
STB3
LX11
C2
C5
C6
D1
D2
D5
C
VCC
VREGA
STB4
PGND1
D
HS4H
INV4
IDSEL
LX12
D6
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E
HS4L
VREF3
NON3
INV3
INV1
VOUT1
F
TEST1
LX4
PGND34
OUT3
DCM3
TEST2
F1
F2
F3
F4
F5
F6
图。 3
版本B
4/4
操作
笔记
1.)
绝对最大额定值
该产品在生产时采用严格的质量控制。但是,如果操作超出其绝对的集成电路可能会被破坏
最大额定值。如果该设备是由超过建议的最大额定值的破坏,破坏模式将是困难
确定。 (例如精简模式,开放模式),因此,实物保护对抗措施(如保险丝)应实施
操作超出预期的绝对最大额定值条件时。
2.)
GND电位
确保接地连接在最低的潜力。除了NON3 ,所有引脚不得低于接地的电压。此外, NON3引脚必须
没有以下电压 - 0.3V的启动起来。
3.)
设置热
确保功耗不超过最大额定值。
4.)
引脚短路和误配件
避免将IC靠近PCB的热一部分。这可能会损坏集成电路。另外,还要确保输出至输出和输出
到GND情况不会发生,因为这可能会损坏IC 。
5.)
在强磁场的行动
强磁场区域内露出的IC可能会造成故障。
6.)
互阻抗
使用短而宽的布线的磁道,用于主电源和接地,以保持相互的阻抗尽可能地小。使用电感器
和电容器网络,以保持纹波电压最小值。
7.)
STB引脚的电压
机顶盒销的阈值电压是0.3V和1.5V 。 STB状态设置为低于0.3V时动作状态设置超过1.5V 。
0.3V和1.5V之间的区域,不推荐,可能会导致操作不当。
上升和下降时间必须在10毫秒。的情况下将电容器到机顶盒销,建议0.01μF下使用。
8.)
热关断电路( TSD电路)
该IC集成了内置热关断电路( TSD电路) 。热关断电路( TSD电路)仅设计
关的IC ,以防止热失控的操作。它的目的不是要保护IC或保证其运行。别
继续操作该电路经过使用该集成电路或使用IC中,假定该电路的操作,其中的环境。
9 )光
灵敏度
揭包强光像频闪会造成设备的不正确操作。
请确认操作步骤阴影后,使光线不能进入。
10 ) IC
输入端子
这种集成电路是单片集成电路,其具有P-板和P +隔离饲养元件之间距离的目的。一个P- N结
的P层和N型层的每个元素,以及各种类型的寄生元件之间形成随后形成。
例如,一个应用程序,其中的一个电阻和一个晶体管被连接到终端(图4中示出) :
GND > (终端A )在所述晶体管( NPN型)的电阻器和GND > (终端B)所示,在PN结用作
一个寄生二极管。
GND > (终端B )在所述晶体管( NPN型) ,寄生NPN晶体管操作为其他的NHayers的结果
在上述的寄生二极管的邻近元素。
寄生元件在IC结构上不可避免的是由于电势之间的关系。寄生元件的操作
诱导电路操作的干扰,引起误动作和IC的可能的破坏。请注意不要
使用IC的方式,将导致寄生元件工作。例如,通过施加一电压,该电压低于下
接地(P-板)连接到输入端子。
电阻器
(终奌站
A)
晶体管( NPN )
B
E
(终奌站
B)
C
GND
N
( TerminalA )
寄生元件
N
GND
P
N
N
P
P
N
寄生
元素
P
N
P
P-板
P
P-板
寄生
l
t
GND
图 - 双极型IC的4简化结构
版本B
½
½
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
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范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
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仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
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2009 ROHM有限公司保留所有权利。
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    联系人:杨小姐
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    BD9352GUL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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