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单芯片型内置式FET开关稳压器
简单的降压
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9325FJ,BD9326EFJ,BD9327EFJ
No.10027ECT06
°说明
该BD9325FJ , BD9326EFJ和BD9327EFJ是降压型稳压器,集成了一个低阻抗高侧N沟道MOSFET 。
能达到2A / 3A / 4A的连续输出电流在很宽的输入电压范围。
电流模式能提供快速的瞬态响应,并轻松相位补偿。
■特点
1) Wide operating INPUT Range 4.75V½18.0V
2 )可选2A / 3A / 4A输出电流
3)可选择0.16Ω / 0.12Ω / 0.11ΩInternal MOSFET开关
4 )低ESR陶瓷输出电容器可
5 )在关断模式下低电流STANBY
6 ) 380kHz工作频率
7 )反馈电压0.9V ±在室温下1.5%的准确度。 ( ± 3.0 %为-40 ℃至+ 85 ℃温度范围内)
8 )保护电路:欠压锁定保护电路
热关断电路
过电流保护电路
9 ) SOP- J8封装的2A模型, HTSOP - J8封装的3A , 4A模型(带裸焊盘)
■应用
分布式电源系统
预调节的线性稳压器
“行
矩阵中
阵容
FET导通电阻
输出电流
BD9325FJ
0.16
2.0 A
SOP-J8
BD9326EFJ
0.12
3.0A
HTSOP-J8
BD9327EFJ
0.11
4.0 A
HTSOP-J8
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2010.08 - Rev.C
BD9325FJ , BD9326EFJ , BD9327EFJ
“绝对
最大额定值(Ta = 25_C )
参数
电源电压
开关电压
功耗HTSOP - J8
功耗为SOP- J8
工作温度范围
存储温度范围
结温
BST电压
EN电压
所有其他引脚
技术说明
符号
V
IN
V
SW
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
V
BST
V
EN
V
OTH
评级
20
20
3760
675
*1
*2
单位
V
V
mW
mW
V
V
V
-40½+85
-55½+150
150
V
SW
+7
20
7
* 1降额在操作上面的Ta ≧ 25 ℃ (安装在4层70.0毫米× 70.0毫米× 1.6毫米板)完成30.08毫瓦/ ℃
* 2降额在完成5.4毫瓦/ ℃,工作上面的Ta ≧ 25 ℃ (安装在1层70.0毫米× 70.0毫米× 1.6毫米板)
操作
Range (Ta= -40½85℃)
参数
电源电压
SW电压
输出电流BD9325FJ
输出电流BD9326EFJ
输出电流BD9327EFJ
**
钯, ASO不应超过
符号
V
IN
V
SW
I
SW2
I
SW3
I
SW4
评级
4.75
-0.5
-
-
-
典型值
12
-
-
-
-
最大
18
18
2**
3**
4**
单位
V
V
A
A
A
ⅵELECTRICAL
特性(除非另有规定V
IN
= 12V TA = 25 ℃ )
范围
参数
符号
典型值
误差放大器模块
FB输入偏置电流
反馈电压1
反馈电压2
SW块 - SW
高侧FET导通电阻为BD9325FJ
高侧FET导通电阻为BD9326EFJ
高侧FET导通电阻为BD9327EFJ
罗侧FET导通电阻
漏电流的N沟道
开关BD9325FJ电流限制
开关BD9326EFJ电流限制
开关BD9327EFJ电流限制
最大占空比
一般
使灌电流
启用阈值电压
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
软启动电流
软启动时间
工作频率
短路电流
静态电流
***请参阅下面的系列阵容表。
最大
2
0.914
0.927
-
-
-
-
10
-
-
-
-
275
1.4
4.75
-
62
-
460
4.3
170
单位
条件
I
FB
V
FB1
V
FB2
R
ON2
R
ON3
R
ON4
R
ONL
I
LEAKN
I
LIMIT2
I
LIMIT3
I
LIMIT4
M
I
EN
V
EN
V
UVLO
V
HYS
I
SS
T
SS
F
OSC
I
CC
I
QUI
-
0.886
0.873
-
-
-
-
-
2.5
3.5
4.5
-
86
1.1
4.05
-
23
-
300
-
-
0.1
0.900
0.900
0.16
0.12
0.11
10
0
-
-
-
90
181
1.18
4.40
0.1
41
1.6
380
2.1
80
A
V
V
A
A
A
A
%
A
V
V
V
uA
ms
千赫
mA
A
V
FB
= 1.5V, V
EN
= 12V
V
EN
= 0V
V
SS
= 0 V
C
SS
= 0.1 F
V
IN
升起
电压跟随器
Ta=-40℃½85℃
I
SW
= -0.8A ***
I
SW
= -0.8A ***
I
SW
= -0.8A ***
I
SW
= 0.1A
V
IN
= 18V, V
SW
= 0V
***
***
***
V
FB
= 0V
V
EN
= 12V
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BD9325FJ , BD9326EFJ , BD9327EFJ
VIN
EN
VREF
EN ;拉至VIN
OCP
UVLO
IBIAS
FB
+
ERR
技术说明
5V
OSC
VREG
BST
12V
VIN
TSD
S
DRV
LVS
SW
+
PWM
产量
COMP
SS
软启动
逻辑
R
LVS
GND
图1框图
Typical
应用电路
C_PC1
3300pF
C_SS
0.1μF
COMP
SS
EN
R_PC
15k
FB
R_DW
10k
R_UP
27k
散热垫
(对于BD9326EFJ , BD9327EFJ )
BST
GND
VIN
SW
L
输入电压12V
C_VC1
10μF
10μH
D
C_BS
0.1μF
V
OUT
3.3V
C_CO1
20μF
图2应用电路
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BD9325FJ , BD9326EFJ , BD9327EFJ
手术
[VREG
块来产生恒定电压的DC / DC升压。
△ Vref的
产生2.9 V内部基准电压块(典型值) 。
技术说明
· TSD / UVLO
TSD (热关断) / UVLO (欠压锁定)保护块。该TSD电路关闭IC在175 ℃ (典型值)。
UVLO电路关闭时, IC的VCC电压过低。
·ERROR
功放块( ERR )
这是电路进行比较的参考电压和输出电压的反馈电压。 COMP引脚电压
从该比较所得的确定切换占空比。在起动时,由于软启动由操作
SS引脚电压, COMP引脚的电压被限制在SS引脚电压。
·振荡器
块( OSC)的
此块产生的振荡频率。
/坡
该模块产生由OSC产生的时钟三角波形。所产生的三角波被发送到
PWM比较器。
PWM
由误差放大器的COMP引脚电压输出与斜坡块的三角波形来确定
开关负载。由于开关占空比由在内部确定的最大占空比限制,它不
成为100%。
· DRV
DC / DC驱动器模块。从PWM信号被输入,以驱动功率FET 。
“软
启动电路
由于输出电压,同时限制电流在起动时逐渐上升,所以能够防止
输出电压过冲或浪涌电流。
分配和引脚功能
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
BST
VIN
SW
GND
FB
COMP
EN
SS
功能
高边栅极驱动升压输入
电源输入
电源开关输出
反馈输入
补偿节点
使能输入
软启动控制输入
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BD9325FJ , BD9326EFJ , BD9327EFJ
Typical
性能特性(除非另有规定,V
IN
= 12V TA = 25 ℃ )
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
160
140
120
100
0.1
0.08
0.06
0.04
技术说明
ICC [马]
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
ICC [UA ]
80
60
40
20
0
IFB [UA ]
4
6
8
10
12
14
16
18
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
-0.1
0
0.5
1
1.5
2
4
6
8
10
12
14
16
18
VIN : [V ]
VIN : [V ]
V
FB
[V]
图3电路电流
(无转换)
图4静态电流
( IC未激活)
图5输入偏置电流
0.25
370
360
0.923
0.2
工作频率[千赫]
60
80
0.913
BD9325FJ
RON [ Ω ]
0.15
反馈电压[V]
350
340
330
320
310
0.903
0.893
0.1
BD9326EFJ
0.883
0.05
0.873
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-40
-20
0
20
TA [ ℃ ]
40
300
-40
-20
0
20
40
60
80
温度: [C ]
温度: [C ]
图6反馈电压
图7高侧导通电阻
图8工作频率
95
90
85
效率(%)
80
75
70
65
60
55
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
IOUT [ A]
1.2
100
BD9326EFJ
BD9325FJ
V
OUT
软启动时间[ms]
10
V
SS
1
V
SW
I
OUT
1.4
1.6
1.8
2
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
C
SS
[ uF的]
图9下台效率
( VIN = 12V V
OUT
= 3.3V L = 10μH )
图10过流保护
(V
OUT
接地短路)
图11软启动时间
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