单芯片型内置式FET开关稳压器系列
输出1.5A或更少的高效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9161FVM
No.09027EAT29
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD9161FVM是设计生产1.2volts电源
（低电压）从3.3volts电源线。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制技术和
同步整流。采用电流模式控制系统，以提供突发性变化更快的瞬态响应
在负荷。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
3 ）采用100 ％占空比的功能。
4 ）采用软启动功能。
5 ）采用热保护和ULVO功能。
6 ）采用了短路保护电路延时功能。
7 ）采用关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
8 ）雇用小型表面贴装封装MSOP8
“使用
电源的硬盘， DVS和LSI的CPU， ASIC
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
VCC电压
PVCC电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
EN电压
符号
V
CC
PV
CC
EN
SW ， ITH
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
等级
-0.3½+7
-0.3½+7
*1
*1
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
-0.3½+7
-0.3½+7
387.5
587.4
*2
*3
-25½+85
-55½+150
+150
*1
钯不应超过。
*2
降额在做3.1mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ 。
*3
降额在做4.7mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板。
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
VCC电压
PVCC电压
EN电压
输出电压设定范围
SW ， ITH平均输出电流
*4
钯不应超过。
符号
VCC
*4
PVCC
*4
EN
SW ， ITH
ISW
*4
范围
分钟。
2.5
2.5
0
1.0
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
马克斯。
4.5
4.5
V
CC
3.3
0.6
单位
V
V
V
V
A
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
1/13
2009.05 - Rev.A的
BD9161FVM
技术说明
●信息
对优势
优势1 ：提供电流模式控制系统，快速瞬态响应。
常规产品（其中VOUT为2.5伏）
BD9161FVM （负载响应我
O
=250mA→500mA)
V
OUT
V
OUT
98mV
40mV
I
OUT
I
OUT
电压降是由于在负载突然变化被减少了约50％。
瞬态响应的图18中的比较
优势二：提供高效率的所有负载范围内。
For
轻负载：
TM
利用被称作SLLM更轻负载的电流模式控制模式，从而降低各个耗散如
开关损耗（P
SW
） ，栅极充电/放电损耗，输出电容器的ESR损耗（P
ESR
）和
导通电阻耗散性（P
罗恩
） ，可能会以其他方式造成的降解效率的轻负载。
实现效率的提升较轻的负载。
效率
η[%]
100
For
较重的负载：
利用同步整流模式和导通电阻低
MOS场效应管合并为功率晶体管。
对P沟道MOS场效应晶体管的电阻： 0.35
（典型值）。
对N沟道MOS FET的电阻： 0.37
（典型值）。
SLLM
TM
②
50
①
PWM
TM
①inprovement
通过SLLM
系统
②improvement
通过同步整流
0
0.001
0.01
0.1
输出电流Io [ A]
1
图19效率
实现效率的提升较重的负荷。
提供高效率的所有负载范围与上述的改进。
优势3 ：
◆提供
在更小的封装，由于小尺寸的功率MOS FET并入。
●允许
减少在应用产品尺寸
产量
所需的电容器Co的电流模式控制： 10
μF
陶瓷电容器
·电感
L所需的1兆赫的工作频率： 4.7
μH
感应器
减少所需的安装区域。
V
CC
15mm
CIN
C
IN
直流/直流
转换器
调节器
R
第i个
L
V
OUT
Co
10mm
C
第i个
C
O
L
R
第i个
C
第i个
图20中的示例应用程序
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
4/13
2009.05 - Rev.A的
数据表
2.5V至4.5V ， 0.6A 1路
同步降压转换器集成FET
BD9161FVM
■一般
描述
ROHM的高效率降压型开关稳压器
BD9161FVM是设计生产的电源
1.2volts （低电压）从3.3volts电源线。
提供高效率与我们原来的脉冲跳跃
控制技术和同步整流器。
采用电流模式控制的系统，以提供
突然的变化更快的瞬态响应
在负荷。
■特点
提供电流模式快速瞬态响应
PWM控制系统。
提供高效率，为所有负载范围内
同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
采用100 ％占空比的功能。
集成软启动功能。
结合过热保护和ULVO
功能。
包含短路保护电路与
时间延迟功能。
集成的关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
Typical
应用电路
●钥匙
特定网络阳离子
输入电压范围：
输出电压范围：
输出电流：
开关频率：
P沟道FET导通电阻：
N沟道FET的导通电阻：
工作温度范围：
█Package
MSOP8 ：
2.5V至4.5V
1.0V至3.3V
0.6A(Max.)
1MHz(Typ.)
0.35Ω(Typ.)
0.37Ω(Typ.)
0μA （典型值）。
-25 ℃ + 85 ℃
2.90毫米X 4.00毫米X 0.83毫米
■应用
电源的硬盘，DVD以及LSI的CPU， ASIC
V
CC
CIN
V
CC
， PV
CC
EN
SW
L
V
OUT
V
OUT
V
OUT
ESR
R
O
第i个
GND ， PGND
RITH
C
O
CITH
图1典型应用电路
“产品
结构：硅单片集成电路
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½14½001
本
产品并非设计防止放射性射线。
1/17
TSZ02201-0J3J0AJ00190-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9161FVM
针
CON组fi guration
数据表
（ TOP
VIEW ）
图2引脚配置
针
描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
块
图
V
CC
EN
3
V
REF
8
7
当前
比较。
R
通用放大器。
坡
V
CC
OSC
司机
逻辑
5
4
GND
S
CLK
+
6
SW
保护地
Q
当前
SENSE /
保护
产量
PV
CC
3.3V
输入
引脚名称
ADJ
第i个
EN
GND
保护地
SW
PV
CC
V
CC
引脚功能
输出电压反馈引脚（可调）
GmAmp输出引脚/连接相位补偿电容
使能引脚（高电平有效）
地
N沟道FET的源极引脚
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
P沟道FET的源极引脚
VCC电源输入引脚
V
CC
软
开始
UVLO
TSD
SCP
1
ADJ
2
第i个
图3框图
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
2/17
TSZ02201-0J3J0AJ00190-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9161FVM
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
VCC电压
PVCC电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
EN电压
符号
V
CC
PV
CC
EN
SW ， ITH
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
等级
-0.3到+7 * 1
-0.3到+7 * 1
-0.3到+7
-0.3到+7
387.5*2
587.4*3
-25至+85
-55到+150
+150
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
数据表
*1
钯不应超过。
*2
降额在做3.1mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ 。
*3
降额在做4.7mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板。
“操作
Ratings(Ta=25℃)
参数
VCC电压
PVCC电压
EN电压
输出电压设定范围
SW ， ITH平均输出电流
*4
钯不应超过。
符号
V
CC
*4
*4
分钟。
2.5
2.5
0
1.0
-
范围
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
马克斯。
4.5
4.5
V
CC
3.3
0.6
单位
V
V
V
V
A
PV
CC
EN
SW ， ITH
ISW
*4
ⅵELECTRICAL
特征
◎(Ta=25℃,
V
CC
？光伏
CC
= 3.3V ， EN = V
CC
除非另外指明）。
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO滞后电压
软启动时间
定时锁定时间
输出短路
阈值电压
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
-
-
-
2.0
-
0.8
-
-
0.784
10
10
2.2
2.22
0.5
1
-
0
200
GND
V
CC
1
1
0.35
0.37
0.8
20
20
2.3
2.35
1
2
0.4
马克斯。
10
400
0.8
-
10
1.2
0.6
0.68
0.816
-
-
2.4
2.5
2
3
0.56
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
V
μA
μA
V
V
ms
ms
V
V
OUT
=H
V
OUT
=L
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=3.3V
PV
CC
=3.3V
PV
CC
=3.3V
V
CC
= H → L
V
CC
= L→H
SCP / TSD操作
V
OUT
= H → L
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
3/17
TSZ02201-0J3J0AJ00190-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9161FVM
数据表
Typical
性能曲线
图4 VCC- Vout的
图5法师， Vout的
图7的Ta -V
OUT
图6电流输出， Vout的
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
4/17
TSZ02201-0J3J0AJ00190-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9161FVM
数据表
图8效率
图9钽 - FOSC
图10的Ta -V
EN
图11的Ta -I
CC
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
5/17
TSZ02201-0J3J0AJ00190-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
QQ：2880707522 复制
