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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第66页 > BD9150MUV-E2
单芯片型内置式FET开关稳压器系列
输出1.5A或更少的高效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9150MUV
No.09027EAT13
°说明
ROHM的高效率双通道降压型开关稳压器BD9150MUV是设计用来产生一个双声道输出电源
低电压，包括从5.0伏的电源线3.3,1.2伏。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制
技术和同步整流器。采用电流模式控制的系统，以提供更快的瞬态响应
突然的负荷变化。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ P沟道/ N沟道FET ）和SLLM （简单轻负载模式）
3） 2ch的输出电源。
4 ）每个连接的控制双声道输出。
5 ）集成软启动功能。
6 ）采用ULVO功能。
7 ）采用热保护和短路保护电路延时功能。
8 ）集成的关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
9 ）输出电流最大1.5A / 1.5A 。
10 ）雇用小型表面贴装型封装： VQFN020V4040
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/18
2009.05 - Rev.A的
BD9150MUV
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
VCC电压
EN电压
SW电压
符号
V
CC
V
EN1
V
EN2
V
SW1
V
SW2
Pd1
功耗
Pd2
Pd3
Pd4
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
*4
*5
技术说明
极限
-0.3½+7 *
-0.3½+7
-0.3½+7
-0.3½+7
-0.3½+7
0.34*
2
3
4
1
单位
V
V
V
V
V
W
W
W
W
℃
℃
℃
0.70 *
1.21 *
3.56*
5
TOPR
TSTG
TJMAX
-40½+85
-55½+150
+150
钯不应超过。
只有IC
1层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
在每个层
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 5505毫米
2
在每个层
“操作
Conditions (Ta=-40½+85℃)
参数
VCC电压
EN电压
输出电压范围
SW平均输出电流
*6
符号
V
CC
V
EN
1
V
EN
2
V
OUT
2
I
SW
1
I
SW
2
分钟。
4.75
0
0
0.8
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
马克斯。
5.5
5.5
5.5
2.5
1.5*
1.5*
6
6
单位
V
V
V
V
A
A
钯和ASO不应被超过。
ⅵELECTRICAL
特征
◎BD9150MUV
（ TA = 25 ℃ AV
CC
？光伏
CC
= 5.0V ， EN1 = EN2 = AV
CC
，除非另有规定）。
极限
参数
符号
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
FB参考电压
UVLO阈值电压
UVLO电压版
软启动时间
定时锁定时间
输出短路
阈值电压
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONP
1
R
ONP
2
R
ONN
1
R
ONN
2
FB1
FB2
V
UVLO
1
V
UVLO
2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
1
V
SCP
2
-
-
-
2.0
-
1.2
-
-
-
-
3.25
0.788
3.6
3.65
0.4
0.68
-
-
0
500
GND
VCC
1
1.5
0.17
0.17
0.13
0.13
3.3
0.8
3.8
3.9
0.8
1.36
1.65
0.4
10
800
0.8
-
10
1.8
0.3
0.3
0.2
0.2
3.35
0.812
4.0
4.2
1.6
2.72
2.4
0.56
μA
μA
V
V
μA
兆赫
Ω
Ω
Ω
Ω
V
V
V
V
ms
ms
V
V
条件
EN1=EN2=0V
待机模式
主动模式
VEN1=VEN2=2V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
±1.5%
±1.5%
V
CC
=5→0V
V
CC
=0→5V
SCP / TSD ON
FB1=3.3→0V
FB2=0.8→0V
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2009.05 - Rev.A的
BD9150MUV
块
图中，应用电路
【BD9150MUV】
AV
CC
技术说明
4.0±0.1
4.0±0.1
D9150
PV
CC
FB1
通用AMP
当前
COMP
R
S
Slope1
Q
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
SW1
LOT号
EN1
AGND
软
Start1
1.0Max.
S
ITH1
CLK1
PGND1
SCP1
0.02
+0.03
-0.02
(0.22)
0.08 S
VREF
OSC
CLK2
SCP /
TSD
UVLO
C0.2 2.1±0.1
1
5
SCP2
PV
CC
当前
0.4±0.1
2.1±0.1
20
16
15
11
6
当前
COMP
通用AMP
R
S
Slope2
Q
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
10
FB2
EN2
ITH2
软
Start2
SW2
1.0
0.5
0.25
+0.05
-0.04
CLK2
PGND2
（单位：毫米）
AGND
图1 BD9150MUV俯视图
图2 BD9150MUV框图
针
编号&函数表
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
针
名字
PGND2
PVCC
PVCC
PVCC
PGND1
PGND1
SW1
SW1
EN1
FB1
功能
针
号
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
针
名字
ITH1
AGND
北卡罗来纳州
AVCC
ITH2
FB2
EN2
SW2
SW2
PGND2
Ch1
GMAMP
功能
产量
引脚/连接
CH2低压侧源极引脚
高侧FET的源极引脚
高侧FET的源极引脚
高侧FET的源极引脚
CH1低压侧源极引脚
CH1低压侧源极引脚
CH1 P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
CH1 P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
CH1使能引脚（高电平有效）
CH1输出电压检测引脚
相位补偿电容
地
无连接
VCC电源输入引脚
Ch1
GMAMP
产量
引脚/连接
相位补偿电容
CH2输出电压检测引脚
CH2使能引脚（高电平有效）
CH2 P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
CH2 P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
CH2低压侧源极引脚
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BD9150MUV
*特点
data【BD9150MUV】
3.5
输出电压： VOUT [ V]
技术说明
3.5
输出电压： VOUT [ V]
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
输出电压： VOUT [ V]
Ta=25℃
Io=1.5A
【VOUT1=3.3V】
【VOUT2=1.2V】
3.0
【VOUT1=3.3V】
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
【VOUT1=3.3V】
【VOUT2=1.2V】
VCC=5V
Ta=25℃
Io=0A
0
1
2
3
4
5
【VOUT2=1.2V】
VCC=5V
Ta=25℃
1
2
3
4
输入电压： V
CC
[V]
5
0
EN电压： VEN [ V]
1
2
3
输出电流：我
OUT
[A]
4
图3为VCC - V
OUT
3.40
图4 V
EN
- V
OUT
1.25
100
图5我
OUT
- V
OUT
输出电压： VOUT [ V]
输出电压： VOUT [ V]
【VOUT1=3.3V】
3.35
【 VOUT2 = 1.2V设定】
【VOUT2=1.2V】
效率：
η
[%]
90
80
70
60
50
40
30
20
10
【
VOUT2=1.2V
】
【
VOUT2=2.5V
】
【
VOUT1=3.3V
】
1.23
3.30
1.20
【
VOUT2=1.5V
】
3.25
1.18
VCC=5V
Io=0A
3.20
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[
℃
]
80
VCC=5V
Io=0A
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[
℃
]
80
VCC=5V
Ta=25℃
10
100
1000
输出电流：我
OUT
[马]
10000
1.15
0
图。 6钽 - VOUT
图。 7 TA - V
OUT
图8效率
1.7
1.7
200
175
频率： FOSC [兆赫]
频率：F
OSC
[兆赫]
PMOS
导通电阻，R
ON
[mΩ]
1.6
1.6
150
125
100
75
50
25
NMOS
1.5
1.5
1.4
1.4
VCC=5V
1.3
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[ ℃ ]
80
VCC=5V
1.3
4.5
4.75
5
5.25
输入电压： V
CC
[V]
5.5
0
-40
-20
0
20
40
60
80
温度：钽[
℃
]
100
Fig.9
TA - FOSC
2.0
1.8
1.6
EN电压： VEN [ V]
Fig.10
VCC - FOSC
Ta=25℃
Fig.11
TA = R
ONN
, R
ONP
600
短路电流：我
CC
[μA]
500
400
300
200
VCC=5V,Ta=25℃
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
EN1=E2
VOUT1
VCC=5V
VCC=5V
100
0
-40
-20
0
20
40
60
80
VOUT2
温度：钽[
℃
]
温度：钽[ ℃ ]
图12的Ta -V
EN
图13的Ta -I
CC
Fig.14
软启动波形
(Io=0mA)
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BD9150MUV
*特点
data【BD9150MUV】
技术说明
VCC=5V,Ta=25℃
SW1
EN1=E2
VCC=5V,Ta=25℃
SW1
VCC=5V,Ta=25℃
VOUT1
VOUT1
VOUT2
VOUT1
Fig.15
软启动波形
(Io=1.5A)
Fig.16
SW1波形
(Io=0mA)
Fig.17
SW1波形
(Io=1.5A)
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
SW2
SW2
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
VOUT1
VCC=5V,Ta=25℃
VOUT2
VOUT2
IOUT1
Fig.18
SW2的波形
(Io=0mA)
Fig.19
SW2的波形
(Io=1.5A)
图20 VOUT1
瞬态响应
（ Io0.5A → 1.5A /微秒）
VCC=5V,Ta=25℃
VOUT2
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
VOUT2
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
VOUT1
IOUT1
IOUT2
IOUT2
Fig.21VOUT1
瞬态响应
（ Io1.5A → 0.5A /微秒）
图22 VOUT2
瞬态响应
（ Io0.5A → 1.5A /微秒）
图23 VOUT2
瞬态响应
（ Io1.5A → 0.5A /微秒）
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单芯片型内置式FET开关稳压器系列
输出1.5A或更少的高效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9150MUV
No.10027ECT13
°说明
ROHM的高效率双通道降压型开关稳压器BD9150MUV是设计用来产生一个双声道输出电源
一个低电压，包括从5.0伏电源线3.3,1.2伏。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制
技术和同步整流器。采用电流模式控制的系统，以提供对突然瞬态响应快
改变负载。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ P沟道/ N沟道FET ）
TM
和SLLM （简单轻负载模式）
3） 2ch的输出电源。
4 ）每个连接的控制双声道输出。
5 ）集成软启动功能。
6 ）采用ULVO功能。
7 ）采用热保护和短路保护电路延时功能。
8 ）集成的关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
9 ）输出电流最大1.5A / 1.5A 。
10 ）雇用小型表面贴装型封装： VQFN020V4040
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
VCC电压
EN电压
SW电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
最大结
*1
*2
*3
*4
*5
符号
V
CC
V
EN1
V
EN2
V
SW1
V
SW2
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
TJMAX
极限
-0.3½+7 *
1
-0.3½+7
-0.3½+7
-0.3½+7
-0.3½+7
0.34*
2
0.70 *
3
1.21 *
4
3.56*
5
-40½+85
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
V
W
W
W
W
℃
℃
℃
钯不应超过。
只有IC
1层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
在每个层
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 5505毫米
2
在每个层
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BD9150MUV
“操作
Conditions (Ta=-40½+85℃)
参数
VCC电压
EN电压
输出电压范围
SW平均输出电流
*6
钯和ASO不应被超过。
技术说明
符号
V
CC
V
EN
1
V
EN
2
V
OUT
2
I
SW
1
I
SW
2
分钟。
4.75
0
0
0.8
-
-
极限
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
马克斯。
5.5
5.5
5.5
2.5
1.5*
6
1.5*
6
单位
V
V
V
V
A
A
ⅵELECTRICAL
特征
◎
（ TA = 25 ℃ AV
CC
？光伏
CC
= 5.0V ， EN1 = EN2 = AV
CC
，除非另有规定）。
参数
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
FB参考电压
UVLO阈值电压
UVLO电压版
软启动时间
定时锁定时间
输出短路
阈值电压
符号
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONP
1
R
ONP
2
R
ONN
1
R
ONN
2
FB1
FB2
V
UVLO
1
V
UVLO
2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
1
V
SCP
2
分钟。
-
-
-
2.0
-
1.2
-
-
-
-
3.25
0.788
3.6
3.65
0.4
0.68
-
-
极限
典型值。
0
500
GND
VCC
1
1.5
0.17
0.17
0.13
0.13
3.3
0.8
3.8
3.9
0.8
1.36
1.65
0.4
马克斯。
10
800
0.8
-
10
1.8
0.3
0.3
0.2
0.2
3.35
0.812
4.0
4.2
1.6
2.72
2.4
0.56
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
V
V
V
V
ms
ms
V
V
SCP / TSD ON
FB1=3.3→0V
FB2=0.8→0V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
±1.5%
±1.5%
V
CC
=5→0V
V
CC
=0→5V
待机模式
主动模式
VEN1=VEN2=2V
条件
EN1=EN2=0V
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2010 ROHM有限公司保留所有权利。
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2010.04 - Rev.C
BD9150MUV
块
图中，应用电路
【BD9150MUV】
AV
CC
技术说明
4.0±0.1
4.0±0.1
D9150
PV
CC
FB1
通用AMP
当前
COMP
R
S
Slope1
Q
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
SW1
LOT号
EN1
AGND
软
Start1
1.0Max.
S
ITH1
CLK1
PGND1
SCP1
0.02
+0.03
-0.02
(0.22)
0.08 S
VREF
OSC
CLK2
SCP /
TSD
UVLO
C0.2 2.1±0.1
1
5
SCP2
PV
CC
当前
0.4±0.1
2.1±0.1
20
16
15
11
6
当前
COMP
通用AMP
R
S
Slope2
Q
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
10
FB2
EN2
ITH2
软
Start2
SW2
1.0
0.5
0.25
+0.05
-0.04
CLK2
PGND2
（单位：毫米）
AGND
图1 BD9150MUV俯视图
图2 BD9150MUV框图
针
编号&函数表
针
针
号
名字
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PGND2
PVCC
PVCC
PVCC
PGND1
PGND1
SW1
SW1
EN1
FB1
功能
针
号
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
针
名字
ITH1
AGND
北卡罗来纳州
AVCC
ITH2
FB2
EN2
SW2
SW2
PGND2
功能
CH1 GmAmp输出引脚/连接
相位补偿电容
地
无连接
VCC电源输入引脚
CH1 GmAmp输出引脚/连接
相位补偿电容
CH2输出电压检测引脚
CH2使能引脚（高电平有效）
CH2 P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
CH2 P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
CH2低压侧源极引脚
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高侧FET的源极引脚
高侧FET的源极引脚
高侧FET的源极引脚
CH1低压侧源极引脚
CH1低压侧源极引脚
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BD9150MUV
*特点
数据
3.5
输出电压： VOUT [ V]
技术说明
3.5
输出电压： VOUT [ V]
3.5
3.0
输出电压： VOUT [ V]
3.0
【VOUT1=3.3V】
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
输入电压： V
CC
[V]
5
Ta=25℃
Io=1.5A
【VOUT1=3.3V】
【VOUT2=1.2V】
【VOUT1=3.3V】
【VOUT2=1.2V】
VCC=5V
Ta=25℃
Io=0A
0
1
2
3
4
5
【VOUT2=1.2V】
VCC=5V
Ta=25℃
0
EN电压： VEN [ V]
1
2
3
输出电流：我
OUT
[A]
4
图3为VCC - V
OUT
3.40
图4 V
EN
- V
OUT
1.25
100
图5我
OUT
- V
OUT
输出电压： VOUT [ V]
效率：
η
[%]
3.35
输出电压： VOUT [ V]
【VOUT1=3.3V】
【 VOUT2 = 1.2V设定】
【VOUT2=1.2V】
1.23
90
80
70
60
50
40
30
20
10
【
VOUT2=1.2V
】
【
VOUT2=2.5V
】
【
VOUT1=3.3V
】
3.30
1.20
【
VOUT2=1.5V
】
3.25
1.18
VCC=5V
Io=0A
3.20
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[
℃
]
80
VCC=5V
Io=0A
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[
℃
]
80
VCC=5V
Ta=25℃
10
100
1000
输出电流：我
OUT
[马]
10000
1.15
0
图。 6钽 - VOUT
图。 7 TA - V
OUT
图8效率
1.7
1.7
200
175
频率： FOSC [兆赫]
频率：F
OSC
[兆赫]
PMOS
导通电阻，R
ON
[mΩ]
1.6
1.6
150
125
100
75
50
25
NMOS
1.5
1.5
1.4
1.4
VCC=5V
1.3
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[ ℃ ]
80
VCC=5V
1.3
4.5
4.75
5
5.25
输入电压： V
CC
[V]
5.5
0
-40
-20
0
20
40
60
80
温度：钽[
℃
]
100
图9钽 - FOSC
2.0
1.8
1.6
EN电压： VEN [ V]
图10为VCC - FOSC
600
短路电流：我
CC
[μA]
500
400
300
200
图11钽 - R的
ONN
, R
ONP
Ta=25℃
VCC=5V,Ta=25℃
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
EN1=E2
VOUT1
VCC=5V
VCC=5V
100
0
-40
-20
0
20
40
60
80
VOUT2
温度：钽[
℃
]
温度：钽[ ℃ ]
图12的Ta -V
EN
图13的Ta -I
CC
Fig.14
软启动波形
(Io=0mA)
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*特点
data【BD9150MUV】
技术说明
VCC=5V,Ta=25℃
SW1
EN1=E2
VCC=5V,Ta=25℃
SW1
VCC=5V,Ta=25℃
VOUT1
VOUT1
VOUT2
VOUT1
图15软启动波形
(Io=1.5A)
图16 SW1波形
(Io=0mA)
图17 SW1波形
(Io=1.5A)
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
SW2
SW2
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
VOUT1
VCC=5V,Ta=25℃
VOUT2
VOUT2
IOUT1
图18 SW2的波形
(Io=0mA)
图19 SW2的波形
(Io=1.5A)
图20 VOUT1瞬态响应
（ Io0.5A → 1.5A /微秒）
VCC=5V,Ta=25℃
VOUT2
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
VOUT2
VCC=5V,Ta=25℃,VOUT2=1.2V
VOUT1
IOUT1
IOUT2
IOUT2
Fig.21VOUT1
瞬态响应
（ Io1.5A → 0.5A /微秒）
图22 VOUT2
瞬态响应
（ Io0.5A → 1.5A /微秒）
图23 VOUT2
瞬态响应
（ Io1.5A → 0.5A /微秒）
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