单芯片内置FET型开关稳压器
输出2A或更高的效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9111NV
No.10027EBT32
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD9111NV是设计用来产生低电压的电源
包括从5伏电源线3.3伏。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制技术和
同步整流。采用电流模式控制的系统，以提供对在负载突然变化更快的瞬态响应。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
TM
和SLLM （简单轻负载模式）
3 ）采用软启动功能。
4 ）结合过热保护和ULVO功能。
5 ）采用了短路保护电路延时功能。
6 ）采用关机功能
7 ）雇用小型表面贴装型封装： SON008V5060
■应用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
V
SW
,V
第i个
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
-0.3½+7
*1
-0.3½+7
*1
-0.3½+7
-0.3½+7
900
*2
3900
*3
-25½+105
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
钯不应超过。
降额在完成7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板（铜的密度： 3 ％ ）
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装上JESD51-7 。
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
*4
钯不应超过。
符号
V
CC
P
VCC
V
EN
ISW
*4
*4
*4
评级
分钟。
4.5
4.5
0
-
典型值。
5.0
5.0
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
2.0
单位
V
V
V
A
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
1/13
2010.04 - Rev.B的
BD9111NV
ⅵELECTRICAL
特性（Ta = 25 ℃ ， VCC = PVCC = 3.3V ， EN = VCC ）。
参数
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO电压版
软启动时间
定时锁定时间
输出短路阈值电压
符号
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
范围
分钟。
-
-
-
2.0
-
0.8
-
-
3.250
10
10
3.6
3.65
0.5
1
-
典型值。
0
250
GND
V
CC
1
1
200
150
3.300
20
20
3.8
3.90
1
2
1.65
马克斯。
10
450
0.8
-
10
1.2
320
270
3.350
-
-
4.0
4.2
2
3
2.31
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
m
m
V
μA
μA
V
V
ms
ms
技术说明
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
P
VCC
=5V
P
VCC
=5V
V
OUT
=3.6V
V
OUT
=3.0V
V
CC
=5→0V
V
CC
=0→5V
SCP / TSD操作
V
OUT
V
OUT
=3.3→0V
块
图中，应用电路
V
CC
EN
8
2
7
当前
COMP
R Q
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
6
2.2H
SW
22F
5
保护地
4
GND
第i个
C
第i个
PV
CC
22F
V
CC
5V
输入
VREF
VOUT1
V
CC
2
ITH 3
GND 4
8
7
6
5
EN
通用放大器。
坡
OSC
V
CC
S
LK
产量
PV
CC
SW
保护地
软
开始
UVLO
TSD
SCP
顶视图
1
VOUT
3
R
第i个
图1 BD9111NV俯视图
针
数量和功能
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
图2 BD9111NV框图
引脚名称
VOUT
V
CC
第i个
GND
保护地
SW
PV
CC
EN
输出电压引脚
VCC电源输入引脚
引脚功能
GmAmp输出引脚/连接相位补偿电容
地
N沟道FET的源极引脚
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
P沟道FET的源极引脚
使能引脚（高电平有效）
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
2/13
2010.04 - Rev.B的
BD9111NV
●信息
对优势
优势1 ：提供电流模式控制系统，快速瞬态响应。
常规产品（负载响应我
O
=0.1A→0.6A)
技术说明
BD9111NV （负载响应我
O
=1A→2A)
V
OUT
160mV
V
OUT
100mV
I
OUT
I
OUT
电压降是由于在负载突然变化被减少了约50％。
瞬态响应的图18中的比较
优势二：提供高效率的所有负载范围内。
For
轻负载：
利用被称作SLLM更轻负载的电流模式控制模式，从而降低各个耗散如开关
功耗（P
SW
） ，栅极充电/放电损耗，输出电容器的ESR损耗（P
ESR
）和导通电阻
功耗（P
罗恩
） ，可能会以其他方式造成的降解效率的轻负载。
实现效率的提升较轻的负载。
For
较重的负载：
利用同步整流模式和导通电阻低
MOS场效应管合并为功率晶体管。
ON P沟道MOS FET电阻（典型值）在200mΩ
对N沟道MOS FET电阻（典型值） 160mΩ
100
SLLM
效率
η[%]
②
50
①
PWM
①inprovement
通过SLLM系统
②improvement
通过同步整流
0
0.001
图19效率
实现效率的提升较重的负荷。
提供高效率的所有负载范围与上述的改进。
优势3 ： ·因合并小型功率MOS FET提供在更小的封装。
产量
所需的电流模式控制电容器有限公司： 22μF陶瓷电容
·电感
L所需的1兆赫的工作频率： 2.2μH的电感
（ BD9111NV ：合作= 22μF ， L = 2.2μH ）
减少所需的安装区域。
V
CC
15mm
CIN
C
IN
直流/直流
转换器
调节器
R
第i个
L
V
OUT
Co
10mm
C
第i个
C
O
L
0.01
0.1
输出电流Io [ A]
1
R
第i个
C
第i个
图20中的示例应用程序
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
5/13
2010.04 - Rev.B的
单芯片内置FET型开关稳压器系列
输出2A或更高的效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9111NV
No.09027EAT32
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD9111NV是设计用来产生低电压的电源
包括从5伏电源线3.3伏。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制技术和
同步整流。采用电流模式控制的系统，以提供对在负载突然变化更快的瞬态响应。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
TM
和SLLM （简单轻负载模式）
3 ）采用软启动功能。
4 ）结合过热保护和ULVO功能。
5 ）采用了短路保护电路延时功能。
6 ）采用关机功能
7 ）雇用小型表面贴装型封装： SON008V5060
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
V
SW
,V
第i个
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
范围
-0.3½+7
*1
-0.3½+7
*1
-0.3½+7
-0.3½+7
900
*2
3900
*3
-25½+105
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
钯不应超过。
降额在完成7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板（铜的密度： 3 ％ ）
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装上JESD51-7 。
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
*4
符号
V
CC
*4
P
VCC
V
EN
ISW
*4
*4
范围
分钟。
4.5
4.5
0
-
典型值。
5.0
5.0
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
2.0
单位
V
V
V
A
钯不应超过。
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
1/13
2009.05 - Rev.A的
BD9111NV
●信息
对优势
优势1 ：提供电流模式控制系统，快速瞬态响应。
常规产品（负载响应我
O
=0.1A→0.6A)
技术说明
BD9111NV （负载响应我
O
=1A→2A)
V
OUT
160mV
V
OUT
100mV
I
OUT
I
OUT
电压降是由于在负载突然变化被减少了约50％。
瞬态响应的图18中的比较
优势二：提供高效率的所有负载范围内。
For
轻负载：
利用被称作SLLM更轻负载的电流模式控制模式，从而降低各个耗散如开关
功耗（P
SW
） ，栅极充电/放电损耗，输出电容器的ESR损耗（P
ESR
）和导通电阻
功耗（P
罗恩
） ，可能会以其他方式造成的降解效率的轻负载。
实现效率的提升较轻的负载。
For
较重的负载：
利用同步整流模式和导通电阻低
MOS场效应管合并为功率晶体管。
ON P沟道MOS FET电阻（典型值）在200mΩ
对N沟道MOS FET电阻（典型值） 160mΩ
100
SLLM
效率
η[%]
②
50
①
PWM
①inprovement
通过SLLM系统
②improvement
通过同步整流
0
0.001
0.01
0.1
输出电流Io [ A]
1
图19效率
实现效率的提升较重的负荷。
提供高效率的所有负载范围与上述的改进。
优势3 ： ·因合并小型功率MOS FET提供在更小的封装。
产量
所需的电流模式控制电容器有限公司： 22μF陶瓷电容
·电感
L所需的1兆赫的工作频率： 2.2μH的电感
（ BD9111NV ：合作= 22μF ， L = 2.2μH ）
减少所需的安装区域。
V
CC
15mm
CIN
C
IN
直流/直流
转换器
调节器
R
第i个
L
V
OUT
Co
10mm
C
第i个
C
O
L
R
第i个
C
第i个
图20中的示例应用程序
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
5/13
2009.05 - Rev.A的
数据表
4.0V至5.5V ， 2.0A 1路
同步降压转换器集成FET
BD9111NV
■一般
描述
ROHM的高效率降压型开关稳压器
BD9111NV是设计生产出电源
低电压，包括由5伏电源3.3伏
供应线。提供高效率与我们原来的
脉冲跳跃控制技术和同步整流器。
采用电流模式控制的系统，以提供
更快的瞬态响应于负载突然变化。
■特点
■
提供电流模式快速瞬态响应
PWM控制系统。
■
提供高效率，为所有负载范围内
TM
同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）和SLLM
（简单轻负载模式）
■
集成软启动功能。
■
结合过热保护和ULVO
功能。
■
包含短路保护电路与
时间延迟功能。
■
集成的关断功能
●钥匙
特定网络阳离子
输入电压范围：
输出电压范围：
输出电流：
开关频率：
P沟道FET导通电阻：
N沟道FET的导通电阻：
工作温度范围：
█Package
SON008V5060 ：
4.5V至5.5V
3.250V至3.350V
2.0A （最大）
1MHz(Typ.)
200mΩ(Typ.)
150mΩ(Typ.)
2.0μA （最大值）。
-25℃至+ 105 ℃
5.00毫米X 6.00毫米X 1.00毫米
■应用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机
和ASIC
Typical
应用电路
图1典型应用电路
“产品
结构：硅单片集成电路
www.rohm.com
ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½14½001
本
产品并非设计防止放射性射线。
1/17
TSZ02201-0J3J0AJ00100-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9111NV
针
CON组fi guration
（ TOP VIEW ）
数据表
图2引脚配置
针
描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VOUT
V
CC
第i个
GND
保护地
SW
PV
CC
EN
输出电压引脚
VCC电源输入引脚
GmAmp输出引脚/连接相位补偿电容
地
N沟道FET的源极引脚
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
P沟道FET的源极引脚
使能引脚（高电平有效）
引脚功能
块
图
V
CC
EN
8
2
7
当前
COMP
R Q
S
通用放大器。
坡
OSC
V
CC
软
开始
UVLO
TSD
SCP
1
VOUT
3
第i个
R
第i个
C
第i个
5
保护地
4
GND
LK
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
6
2.2H
SW
22F
产量
PV
CC
22F
V
CC
5V
输入
VREF
图3框图
www.rohm.com
ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
2/17
TSZ02201-0J3J0AJ00100-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9111NV
“绝对
最大额定值
(Ta=25℃)
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
数据表
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
V
SW
,V
第i个
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
-0.3到+7
-0.3到+7
*1
*1
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
-0.3到+7
-0.3到+7
900
*2
*3
3900
-25至+105
-55到+150
+150
钯不应超过。
降额在完成7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板（铜的密度： 3 ％ ）
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装上JESD51-7 。
“操作
评级
(Ta=25℃)
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
*4
钯不应超过。
符号
V
CC
P
VCC
V
EN
ISW
*4
*4
*4
评级
分钟。
4.5
4.5
0
-
典型值。
5.0
5.0
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
2.0
单位
V
V
V
A
ⅵELECTRICAL
特征
（ TA = 25 ℃ ， VCC = PVCC = 3.3V ， EN = VCC ）。
参数
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO电压版
软启动时间
定时锁定时间
输出短路阈值电压
符号
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
范围
分钟。
-
-
-
2.0
-
0.8
-
-
3.250
10
10
3.6
3.65
0.5
1
-
典型值。
0
250
GND
V
CC
1
1
200
150
3.300
20
20
3.8
3.90
1
2
1.65
马克斯。
10
450
0.8
-
10
1.2
320
270
3.350
-
-
4.0
4.2
2
3
2.31
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
mΩ
mΩ
V
μA
μA
V
V
ms
ms
V
OUT
SCP / TSD操作
V
OUT
=3.3→0V
V
OUT
=3.6V
V
OUT
=3.0V
V
CC
=5→0V
V
CC
=0→5V
P
VCC
=5V
P
VCC
=5V
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
条件
EN = GND
www.rohm.com
ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
3/17
TSZ02201-0J3J0AJ00100-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9111NV
Typical
性能曲线
数据表
图4 VCC- Vout的
图5法师， Vout的
图6电流输出， Vout的
图7的Ta -V
OUT
www.rohm.com
ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
4/17
TSZ02201-0J3J0AJ00100-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9111NV
数据表
图8效率
图9的Ta -F
OSC
图10的Ta -R
ONN
, R
ONP
图11的Ta -V
EN
www.rohm.com
ROHM有限公司保留所有权利。
TSZ22111½15½001
5/17
TSZ02201-0J3J0AJ00100-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2880707522 复制
