系统电源的电视剧
FET控制器类型
3通道系统电源IC
BD8627EFV
No.09034EAT05
°说明
BD8627EFV已经意识到需要为薄屏电视的电源的高性能和高可靠性。
借助内置的FET 1路电流模式控制，直流/直流转换器系列具有高速负载响应的优势，
全相位裕度。
由于高速负载响应，它是为电视用途的处理器，越来越高的性能最合适的，并且
由于广泛的相位裕它留下了良好的利润率板模式&常数设定等便利应用
设计。
作为一种高可靠性的设计，它具有多种内置保护电路（过电流保护，输出电压不正常
保护，过热保护，关断锁在异常等的时间）的功能，因此作为它的优势不
每一个可能的异常状态很容易损坏的，如所有引脚短路测试等，因此对最适于
薄屏电视要求的高可靠性。
■特点
1）高效率在所有负载区域
2 ） 3.0A输出电流
3 ）低RDS （ ON）内部开关（ PchMOS ： 85mΩ ， NchMOS ： 65mΩ ）
4 ）± 1％的基准电压准确度
5 ）可编程频率： 250kHz的- 1MHz的
6 ）终端RT开路/短路检测功能
7 ）过电流保护功能
8 ）输出过电压/低电压保护功能（过： FB > VREF + 60mV的低： FB < VREF -60mV ）
9 ）定时器关在异常情况下闩锁功能
10 ），热关断功能
11 ），欠压保护
12 ）软启动/启动延迟电路
13 ）软起动超时功能
14 ） HTSSOP -B20包
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
1/12
2009.05 - Rev.A的
BD8627EFV
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
输入电源电压
输入端子的电压
输出端电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
V
INP*1
V
OUT*2
I
OUT
Pd
TOPR
TSTG
范围
7
V
IN
V
IN
4
3.2
＊
3
-10
½
85
-55
½
150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
技术说明
＊1
V
INP
应用终端： EN ， SS /延迟，测试， FB
＊2
V
OUT
应用终端：西南， PDET ， FC ， RT ， REG
＊3
（ 70毫米X 70毫米，厚度1.6毫米，和4层的玻璃环氧基板）
当安装基片和封装背面曝光部分都用焊料连接。
工作在比更高的Ta = 25 ℃时，应25.6mW每减少
参数
输入电源电压
输出电流
操作条件
符号
民
V
IN
4.5
I
OUT
-
典型值
-
-
最大
6.0
3.0
单位
V
A
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
2/12
2009.05 - Rev.A的
BD8627EFV
●
电气特性
（除非另有说明，TA = 25 ℃ ，V
IN
=5.6V)
技术说明
规格值
单位
条件
民
典型值
最大
VIN电源电流（工作）
I
Q_active
-
1.3
2.0
mA
V
FB
= 0.83V, V
FC
= 1V
V
EN
= 0V
μA
VIN电源电流（待机）
I
Q_stby
-
350
700
参考电压（VREF）
V
REF
0.792
0.8
0.808
V
输出上升检测电压
V
OVP
30
60
90
mV
监测FB端子
输出降低检测电压
V
LVP
-90
-60
-30
mV
监测FB端子
终端PDET输出电流
I
PDET
1
-
-
mA
V
PDET
＆ LT ; 0.5V
R
OSC
= 220kΩ
振荡频率
f
OSC
500
550
600
千赫
P沟道FET导通电阻
R
PFET
-
85
120
mΩ
I
SW
= 1A
N沟道FET导通电阻
R
NFET
-
65
100
mΩ
I
SW
= -1A
UVLO电压
V
UVLO
3.8
4.0
4.2
V
μA
SW漏电流
I
LSW
-
0
1
V
EN
= 0V, V
IN
= 6V
EN端H阈值电压
V
ENH
2.0
-
-
V
EN端子L的阈值电压
V
ENL
-
-
0.5
V
μA
SS /延迟端子源极电流
I
SSSO
2
4
6
V
FB
： FB的端电压，V
EN
： EN端电压，V
FC
：FC端子电压V
PDET
： PDET端电压
电流容量不应超过钯。
参数
符号
容许损耗
4
容许损耗
：
PD [ W]
3
2
1
0
（ 70毫米X30 70毫米，厚度1.6毫米，和4层的玻璃环氧树脂
基材）
当安装基片和封装背面曝光部分是
用焊锡连接。
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
：
TA [ ℃ ]
图。 1热量下降曲线
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
3/12
2009.05 - Rev.A的
QQ：2880707522 复制
