【单芯片型内置式FET开关稳压器输出1.5A或更少高效率降压型开关稳压器与内置功率MOSFETBD83】,IC型号BD8313HFN,BD8313HFN PDF资料,BD8313HFN经销商,ic,电子元器件-51电子网

单芯片型内置式FET开关稳压器

输出1.5A或更少

高效率降压型开关稳压器

与内置功率MOSFET

BD8313HFN

No.11027EDT05

°说明

BD8313HFN产生降压输出，包括1.2 ， 1.8 ， 3.3 ，或5 V的4节电池，电池等Li2cell或Li3cell ，

等，或一个5V / 12V固定电源线。

BD8313HFN允许容易生产由多种外部常数的小功率电源，并配有一个

外部线圈/电容器由1.0兆赫的高频率运行的小型化，内置同步整流SW能

承受15 V ，灵活的相位补偿系统板。

■特点

1 ）采用P沟道/ N沟道同步整流SW能承受1.2A / 15V的。

2 ）集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。

3）小线圈和电容器中使用由1.0MHz的高频操作

4 ）输入电压3.5 V - 14 V

输出电流1.2A （ 7.4V输入， 3.3V输出）

0.8A （ 4.5V输入， 3.3V输出）

5 ）集成软启动功能。

6 ）采用定时锁定系统短路保护功能。

7 ）小如2.9毫米×3毫米SON 8引脚封装

HSON8

●应用

对于便携式设备，如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell和Li3cell或者一般的消费者设备

与5 V / 12 V线

“操作

条件（ TA = 25 ° C）

参数

电源电压

输出电压

符号

VCC

VOUT

电压电路

3.5 - 14

1.2 - 12

单位

“绝对

最大额定值

参数

最大施加电源电压

最大输入电流

功耗

工作温度范围

存储温度范围

结温

符号

VCC ， PVCC

Iinmax

TOPR

TSTG

TJMAX

等级

1.2

630

-25½+85

-55½+150

+150

单位

°C

* 1当在Ta = 25 ℃使用以上安装在一个70 × 70 × 1.6毫米板，评级由5.04mW / ℃降低。

*以上规格如有变更，恕不预先通知的修改等原因。

www.rohm.com

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2011.04 - Rev.D

BD8313HFN

ⅵELECTRICAL

特征

（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）

参数

符号

目标值

民

100

0.9

4.65

0.99

-50

4.8

-1

2.5

-0.3

250

典型值

2.9

200

1.0

5.0

1.00

8.0

450

300

400

600

最大

3.2

300

1.1

5.35

1.01

11.1

(※)100

600

420

0.3

700

900

单位

技术说明

条件

[低电压输入故障预防电路]

检测阈值电压

迟滞范围

[振荡器]

振荡频率

[稳压器]

输出电压

[错误AMP ]

INV阈值电压

输入偏置电流

软启动时间

[PWM比较器]

LX最大责任

[OUTPUT]

PMOS导通电阻

NMOS导通电阻

漏电流

[ STB ]

STB引脚

控制电压

[电路电流]

待机电流

VCC引脚

PVCC PIN

ΔV

FOSC

VREG

VINV

IINV

TSS

DMAX

ONP

ONN

ILEAK

兆赫

毫秒

VREG显示器

VCC = 12.0 V ，V

INV

= 6.0 V

手术

无操作

机顶盒

STB1

STB2

CC1

CC2

STB引脚下拉电阻

短路电流在操作VCC

短路电流在操作

PVCC

INV

= 1.2 V

INV

= 1.2 V

（ ※ 1 ）×100 ％为最大占空比为一个PWM conparetor行为。

使用区域高压侧PMOS是在国家100 ％时，相同或更低的输入电压超过输出电压时提供作为

应用电路使检测的SCP的那么DC / DC转换器停止。

没有设计成能抗辐射

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BD8313HFN

°说明

针脚数

技术说明

PIN号

GND

VCC

VREG

保护地

INV

机顶盒

PVCC

图1终端布局

引脚名称

GND

VCC

VREG

保护地

PVCC

机顶盒

INV

接地端子

功能

控制部分电源输入端子

稳压器的内部电路， 5 V输出端子

功率晶体管接地端子

线圈接线端子

DC / DC变换器的输入端子

通/断端子

误差放大器输入端

块

图

开/关

机顶盒

VREG的Vcc

PVCC

STBY_IO

直流/直流

变流器

100 ％高

税

停止

5V REG

参考

VREF

UVLO

OSC

1.0MHz

SCP

OSC×4000 ½ount

PRE

司机

450mΩ

PWM

控制

下台

Timming

控制

VREG

PRE

司机

Error_Amp

软

开始

OSC×8000 ½ount

300mΩ

GND

VREF

保护地

INV

图2框图

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2011.04 - Rev.D

BD8313HFN

°说明

块

1.参考

此块产生误差放大器的标准电压。

标准电压是1.0V。

技术说明

2. 5 V REG

内部模拟电路的5 V低饱和稳压器

BD8313HFN配备此调节器用于保护内部电路免受高电压的目的。因此，

这个输出被减小当VCC小于5伏，则PMOS管的导通电阻的增加和功率效率，并

的DC / DC变换器的最大输出电流在该区域减小。请参阅随附的数据（ fig14,15,16,17 ）约

PMO在这一地区增加导通电阻。

3 UVLO

电路，以防止低电压故障

可以防止在起动电源电压或电源电压低的内部电路的误动作。

监视VCC引脚电压关闭所有输出FET和DC / DC转换器的输出，当VCC电压低于2.9 V，

和复位内部的SCP电路和软启动电路的定时锁存器。这个门槛包含200 mV的迟滞。

4 SCP

定时锁系统的短路保护电路

当DC / DC转换器是100 ％的高关税，内部SCP电路开始计数。

内部计数器是同步于OSC ，闩锁电路被激活约4毫秒计数器计数约为4000后

振荡关闭DC / DC变换器的输出。

要复位锁存电路，关闭STB引脚一次。然后，再打开或打开电源电压了。

5振荡器

对于振荡锯齿波电路的工作频率固定在1.0兆赫

6误差放大器

误差放大器，用于检测输出信号，并输出PWM控制信号

内标电压设定为1.0V。

200 pF的一个主要的相位补偿装置， 62 kΩ的是内置在两者之间的反相输入端子和输出

这种误差放大器的终端。

PWM COMP

电压 - 脉宽转换器，用于控制对应于输入电压的输出电压

在内部斜率波形与误差放大器的输出电压， PWM比较COMP

控制所述脉冲宽度与输出到驱动器。

8软启动

电路，用于防止浪涌电流在启动时通过使所述DC / DC变换器的输出电压变换为软启动

软启动时间是同步于所述内部的OSC ，以及DC / DC转换器的输出电压达到设定电压

经过约8000振荡。

预驱动器/时序控制

用于驱动CMOS反相器电路内置的同步整流SW

同步整流关闭时间，以防止穿通大约是25纳秒。

10 STBY_IO

施加电压STB引脚（ 7脚）来控制ON / IC的关

接通时的2.5伏或更高的电压施加和断开时的终端是打开还是施加0V 。

采用了约400 kΩ的上拉下拉电阻。

11 P沟道/ N沟道FET SW

内置同步整流SW用于切换DC / DC变换器的线圈的电流

集成了一个450 mΩ的PchFET SW能承受15 V.and 300 mΩ的软件能够承受15 V的

由于该FET的电流额定值为1.2 A时，应在1.2包括直流电流和纹波电流使用

线圈。

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BD8313HFN

参考

数据

（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）

技术说明

1.02

5.3

5.2

1.01

INV阈值[V ]

VREG电压[V]的

INV阈值[V ]

5.1

1.00

5.0

4.9

0.99

4.8

0.98

-40

-20

100

120

温度[ ℃ ]

0.98

4.7

-40

120

VCC [V]的

温度[ ℃ ]

如图3所示。 INV

临界温度特性

图4 。 INV

门槛电源财产

图5 。 VREG

输出温度特性

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

频率〔MHz〕

Vreg的[V]的

1.0

0.9

0.8

-40

120

VCC [V]的

温度[ ℃ ]

VCC [V]的

图6 。 VREG

输出电源财产

图7 。 FOSC

温度特性

图8 。 FOSC

电压特性

3.50

滞后幅度

UVLO电压版

0.25

500

600

ID=500mA

滞后电压

VHYS [V]的

ヒステリシス電圧

VHYS [V]的

3.30

0.20

400

500

ID=500mA

导通电阻[ mΩ的]

3.10

0.15

300

2.90

0.10

UVLO检测电压

2.70

0.05

200

2.50

-40

0.00

120

100

-40

120

导通电阻[ mΩ的]

400

300

200

100

环境温度Ta [° C]

環境温度

TA [

℃

]

北部沿海地区[ ℃ ]

VCC [V]的

图9 。 UVLO

临界温度特性

图10 。 N沟道FET导通电阻

温度特性

图11 。 N沟道FET导通电阻

电源特性

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单芯片型内置式FET开关稳压器系列

输出1.5A或更少的高效率

降压型开关稳压器

与内置功率MOSFET

BD8313HFN

No.10027ECT05

°说明

BD8313HFN产生降压输出，包括1.2 ， 1.8 ， 3.3 ，或5 V的4节电池，电池等Li2cell或Li3cell等。

或一个5V / 12V固定电源线。

BD8313HFN允许容易生产由多种外部常数的小功率电源，并配有一个

外部线圈/电容器由1.0兆赫的高频率运行的小型化，内置同步整流SW能

承受15 V ，灵活的相位补偿系统板。

■特点

1 ）采用P沟道/ N沟道同步整流SW能承受1.2A / 15V的。

2 ）集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。

3）小线圈和电容器中使用由1.0MHz的高频操作

4 ）输入电压3.5 V - 14 V

输出电流1.2A （ 7.4V输入， 3.3V输出）

0.8A （ 4.5V输入， 3.3V输出）

5 ）集成软启动功能。

6 ）采用定时锁定系统短路保护功能。

7 ）小如2.9毫米×3毫米SON 8引脚封装

HSON8

●应用

对于便携式设备，如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell和Li3cell或者一般的消费者设备

与5 V / 12 V线

“操作

条件（ TA = 25 ° C）

参数

电源电压

输出电压

符号

VCC

VOUT

电压电路

3.5 - 14

1.2 - 12

单位

“绝对

最大额定值

参数

最大施加电源电压

最大输入电流

功耗

工作温度范围

存储温度范围

结温

符号

VCC ， PVCC

Iinmax

TOPR

TSTG

TJMAX

等级

1.2

630

-25½+85

-55½+150

+150

单位

°C

* 1当在Ta = 25 ℃使用以上安装在一个70 × 70 × 1.6毫米板，评级由5.04mW / ℃降低。

*以上规格如有变更，恕不预先通知的修改等原因。

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BD8313HFN

ⅵELECTRICAL

特征

（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）

参数

符号

目标值

民

100

0.9

4.65

0.99

-50

4.8

-1

2.5

-0.3

250

典型值

2.9

200

1.0

5.0

1.00

8.0

450

300

400

600

最大

3.2

300

1.1

5.35

1.01

11.1

(※)100

600

420

0.3

700

900

单位

技术说明

条件

[低电压输入故障预防电路]

检测阈值电压

迟滞范围

[振荡器]

振荡频率

[稳压器]

输出电压

[错误AMP ]

INV阈值电压

输入偏置电流

软启动时间

[PWM比较器]

LX最大责任

[OUTPUT]

PMOS导通电阻

NMOS导通电阻

漏电流

[ STB ]

STB引脚

控制电压

[电路电流]

待机电流

VCC引脚

PVCC PIN

ΔV

FOSC

VREG

VINV

IINV

TSS

DMAX

ONP

ONN

ILEAK

兆赫

毫秒

VREG显示器

VCC = 12.0 V ，V

INV

= 6.0 V

手术

无操作

机顶盒

STB1

STB2

CC1

CC2

STB引脚下拉电阻

短路电流在操作VCC

短路电流在操作

PVCC

INV

= 1.2 V

INV

= 1.2 V

（ ※ 1 ）×100 ％为最大占空比为一个PWM conparetor行为。

在使用区域需要高侧PMOS是在国家100 ％的应用电路使检测SCP那么DC / DC转换器停止。

没有设计成能抗辐射

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BD8313HFN

°说明

针脚数

技术说明

PIN号

GND

VCC

VREG

保护地

INV

机顶盒

PVCC

图1终端布局

引脚名称

GND

VCC

VREG

保护地

PVCC

机顶盒

INV

接地端子

功能

控制部分电源输入端子

稳压器的内部电路， 5 V输出端子

功率晶体管接地端子

线圈接线端子

DC / DC变换器的输入端子

通/断端子

误差放大器输入端

块

图

开/关

机顶盒

VREG的Vcc

PVCC

STBY_IO

直流/直流

变流器

100 ％高

税

停止

5V REG

参考

VREF

UVLO

OSC

1.0MHz

SCP

OSC×4000 ½ount

PRE

司机

450mΩ

PWM

控制

下台

Timming

控制

VREG

PRE

司机

Error_Amp

软

开始

OSC×8000 ½ount

300mΩ

GND

VREF

保护地

INV

图2框图

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2010.06- Rev.C

BD8313HFN

块的说明

1.参考

此块产生误差放大器的标准电压。

标准电压是1.0V。

技术说明

2. 5 V REG

内部模拟电路的5 V低饱和稳压器

BD8313HFN配备此调节器用于保护内部电路免受高电压的目的。因此，

这个输出被减小当VCC小于5伏，则PMOS管的导通电阻的增加和功率效率，并

的DC / DC变换器的最大输出电流在该区域减小。请参阅随附的数据（ fig14,15,16,17 ）约

PMO在这一地区增加导通电阻。

3 UVLO

电路，以防止低电压故障

可以防止在起动电源电压或电源电压低的内部电路的误动作。

监视VCC引脚电压关闭所有输出FET和DC / DC转换器的输出，当VCC电压低于2.9 V，

和复位内部的SCP电路和软启动电路的定时锁存器。这个门槛包含200 mV的迟滞。

4 SCP

定时锁系统的短路保护电路

当DC / DC转换器是100 ％的高关税，内部SCP电路开始计数。

内部计数器是同步于OSC ，闩锁电路被激活约4毫秒计数器计数约为4000后

振荡关闭DC / DC变换器的输出。

要复位锁存电路，关闭STB引脚一次。然后，再打开或打开电源电压了。

5振荡器

对于振荡锯齿波电路的工作频率固定在1.0兆赫

6误差放大器

误差放大器，用于检测输出信号，并输出PWM控制信号

内标电压设定为1.0V。

200 pF的一个主要的相位补偿装置， 62 kΩ的是内置在两者之间的反相输入端子和输出

这种误差放大器的终端。

PWM COMP

电压 - 脉宽转换器，用于控制对应于输入电压的输出电压

在内部斜率波形与误差放大器的输出电压， PWM比较COMP

控制所述脉冲宽度与输出到驱动器。

8软启动

电路，用于防止浪涌电流在启动时通过使所述DC / DC变换器的输出电压变换为软启动

软启动时间是同步于所述内部的OSC ，以及DC / DC转换器的输出电压达到设定电压

经过约8000振荡。

预驱动器/时序控制

用于驱动CMOS反相器电路内置的同步整流SW

同步整流关闭时间，以防止穿通大约是25纳秒。

10 STBY_IO

施加电压STB引脚（ 7脚）来控制ON / IC的关

接通时的2.5伏或更高的电压施加和断开时的终端是打开还是施加0V 。

采用了约400 kΩ的上拉下拉电阻。

11 P沟道/ N沟道FET SW

内置同步整流SW用于切换DC / DC变换器的线圈的电流

集成了一个450 mΩ的PchFET SW能承受15 V.and 300 mΩ的软件能够承受15 V的

由于该FET的电流额定值为1.2 A时，应在1.2包括直流电流和纹波电流使用

线圈。

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2010.06- Rev.C

BD8313HFN

参考

数据

（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）

技术说明

1.02

5.3

5.2

1.01

INV阈值[V ]

VREG电压[V]的

INV阈值[V ]

5.1

1.00

5.0

4.9

0.99

4.8

0.98

-40

-20

100

120

温度[ ℃ ]

0.98

4.7

-40

120

VCC [V]的

温度[ ℃ ]

如图3所示。 INV

临界温度特性

图4 。 INV

门槛电源财产

图5 。 VREG

输出温度特性

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

频率〔MHz〕

Vreg的[V]的

1.0

0.9

0.8

-40

120

VCC [V]的

温度[ ℃ ]

VCC [V]的

图6 。 VREG

输出电源财产

图7 。 FOSC

温度特性

图8 。 FOSC

电压特性

3.50

滞后幅度

UVLO电压版

0.25

500

600

ID=500mA

滞后电压

VHYS [V]的

ヒステリシス電圧

VHYS [V]的

3.30

0.20

400

500

ID=500mA

导通电阻[ mΩ的]

3.10

0.15

300

2.90

0.10

UVLO检测电压

2.70

0.05

200

2.50

-40

0.00

120

100

-40

120

导通电阻[ mΩ的]

400

300

200

100

环境温度Ta [° C]

環境温度

TA [

℃

]

北部沿海地区[ ℃ ]

VCC [V]的

图9 。 UVLO

临界温度特性

图10 。 N沟道FET导通电阻

温度特性

图11 。 N沟道FET导通电阻

电源特性

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2010.06- Rev.C

单芯片型内置式FET开关稳压器系列

输出1.5A或更少的高效率

降压型开关稳压器

与内置功率MOSFET

BD8313HFN

No.09027EBT05

°说明

ROHM的输出1.5A或更少的高效率降压开关稳压器具有内置功率MOSFET BD8313HFN

产生降压输出，包括1.2 ， 1.8 ，3.3 ，或5 V 4的电池，电池，如Li2cell或Li3cell等，或一个5V / 12V

固定电源线。

BD8313HFN允许容易生产由多种外部常数的小功率电源，并配有一个

外部线圈/电容器由1.0兆赫的高频率运行的小型化，内置同步整流SW能

承受15 V ，灵活的相位补偿系统板。

■特点

1 ）采用P沟道/ N沟道同步整流SW能承受1.2A / 15V的。

2 ）集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。

3）小线圈和电容器中使用由1.0MHz的高频操作

4 ）输入电压3.5 V - 14 V

输出电流1.2 - 12 V 1A

5 ）集成软启动功能。

6 ）采用定时锁定系统短路保护功能。

7 ）小如2.9毫米×3毫米SON 8引脚封装

HSON8

●应用

对于便携式设备，如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell和Li3cell或者一般的消费者设备

与5 V / 12 V线

“操作

条件（ TA = 25 ° C）

参数

电源电压

输出电压

符号

VCC

VOUT

电压电路

3.5 - 14

1.2 - 12

单位

“绝对

最大额定值

参数

最大施加电源电压

最大输入电流

功耗

工作温度范围

存储温度范围

结温

符号

VCC ， PVCC

Iinmax

TOPR

TSTG

TJMAX

等级

1.2

630

-25½+85

-55½+150

+150

单位

°C

* 1当在Ta = 25 ℃使用以上安装在一个70 × 70 × 1.6毫米板，评级由5.04mW / ℃降低。

*以上规格如有变更，恕不预先通知的修改等原因。

www.rohm.com

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2009.04- Rev.B的

BD8313HFN

ⅵELECTRICAL

特征

（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）

参数

符号

目标值

民

100

0.9

4.65

0.99

-50

4.8

-1

2.5

-0.3

250

典型值

2.9

200

1.0

5.0

1.00

8.0

450

300

400

600

最大

3.2

300

1.1

5.35

1.01

11.1

100

600

420

0.3

700

900

单位

技术说明

条件

[低电压输入故障预防电路]

检测阈值电压

迟滞范围

[振荡器]

振荡频率

[稳压器]

输出电压

[错误AMP ]

INV阈值电压

输入偏置电流

软启动时间

[PWM比较器]

LX最大责任

[OUTPUT]

PMOS导通电阻

NMOS导通电阻

漏电流

[ STB ]

STB引脚

控制电压

[电路电流]

待机电流

VCC引脚

PVCC PIN

ΔV

FOSC

VREG

VINV

IINV

TSS

DMAX

ONP

ONN

ILEAK

兆赫

毫秒

VREG显示器

VCC = 12.0 V ，V

INV

= 6.0 V

手术

无操作

机顶盒

STB1

STB2

CC1

CC2

STB引脚下拉电阻

短路电流在操作VCC

短路电流在操作

PVCC

没有设计成能抗辐射

INV

= 1.2 V

INV

= 1.2 V

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BD8313HFN

°说明

针脚数

技术说明

PIN号

GND

VCC

VREG

保护地

INV

机顶盒

PVCC

图1终端布局

引脚名称

GND

VCC

VREG

保护地

PVCC

机顶盒

INV

接地端子

功能

控制部分电源输入端子

稳压器的内部电路， 5 V输出端子

功率晶体管接地端子

线圈接线端子

DC / DC变换器的输入端子

通/断端子

误差放大器输入端

块

图

开/关

机顶盒

VREG的Vcc

PVCC

STBY_IO

5V REG

参考

VREF

UVLO

OSC

1.0MHz

停止

SCP

OSC×4000 ½ount

PRE

司机

450mΩ

PWM

控制

下台

Timming

控制

VREG

PRE

司机

Error_Amp

软

开始

OSC×8000 ½ount

300mΩ

GND

VREF

保护地

INV

图2框图

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块的说明

1.参考

此块产生误差放大器的标准电压。

标准电压是1.0V。

技术说明

2. 5 V REG

内部模拟电路的5 V低饱和稳压器

BD8313HFN配备此调节器用于保护内部电路免受电压的目的。

当VCC小于5伏，但没有问题在使用输出减少。

因此，这

3 UVLOT

电路，以防止低电压故障

可以防止在起动电源电压或电源电压低的内部电路的误动作。

监视VCC引脚电压关闭所有输出FET和DC / DC转换器的输出，当VCC电压低于2.9 V，

和复位内部的SCP电路和软启动电路的定时锁存器。这个门槛包含200 mV的迟滞。

4 SCP

定时锁系统的短路保护电路

当INV脚是一组为1.0V或更低的电压时，内部的SCP电路开始计数。

内部计数器是同步与OSC ;锁存电路激活约4毫秒的计数器计数4000后

振荡关闭DC / DC变换器的输出。

要复位锁存电路，关闭STB引脚一次。然后，再打开或打开电源电压了。

5振荡器

对于振荡锯齿波电路的工作频率固定在1.0兆赫

6误差放大器

误差放大器，用于检测输出信号，并输出PWM控制信号

内标电压设定为1.0V。

200 pF的一个主要的相位补偿装置， 62 kΩ的是内置在两者之间的反相输入端子和输出

这种误差放大器的终端。

PWM COMP

电压 - 脉宽转换器，用于控制对应于输入电压的输出电压

在内部斜率波形与误差放大器的输出电压， PWM比较COMP

控制所述脉冲宽度与输出到驱动器。

8软启动

电路，用于防止浪涌电流在启动时通过使所述DC / DC变换器的输出电压变换为软启动

软启动时间是同步于所述内部的OSC ，以及DC / DC转换器的输出电压达到设定电压

经过约8000振荡。

预驱动器/时序控制

用于驱动CMOS反相器电路内置的同步整流SW

同步整流关闭时间，以防止穿通大约是25纳秒。

10 STBY_IO

施加电压STB引脚（ 7脚）来控制ON / IC的关

接通时的2.5伏或更高的电压施加和断开时的终端是打开还是施加0V 。

采用了约400 kΩ的上拉下拉电阻。

11 P沟道/ N沟道FET SW

内置同步整流SW用于切换DC / DC变换器的线圈的电流

集成了一个450 mΩ的PchFET SW能承受15 V.and 300 mΩ的软件能够承受15 V的

由于该FET的电流额定值为1.2 A时，应在1.2包括直流电流和纹波电流使用

线圈。

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参考

数据

（除非

另有规定，TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）

技术说明

1.02

5.3

5.2

1.01

INV阈值[V ]

VREG电压[V]的

INV阈值[V ]

5.1

1.00

5.0

4.9

0.99

4.8

0.98

-40

-20

100

120

温度[ ℃ ]

0.98

4.7

-40

120

VCC [V]的

温度[ ℃ ]

如图3所示。 INV

临界温度特性

图4 。 INV

门槛电源财产

图5 。 VREG

输出温度特性

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

频率〔MHz〕

Vreg的[V]的

1.0

0.9

0.8

-40

120

VCC [V]的

温度[ ℃ ]

VCC [V]的

图6 。 VREG

输出电源财产

图7 。 FOSC

温度特性

图8 。 FOSC

电压特性

3.50

滞后幅度

UVLO电压版

0.25

500

600

ID=500mA

滞后电压

VHYS [V]的

ヒステリシス電圧

VHYS [V]的

3.30

0.20

400

500

ID=500mA

导通电阻[ mΩ的]

3.10

0.15

300

2.90

0.10

UVLO检测电压

2.70

0.05

200

2.50

-40

0.00

120

100

-40

120

导通电阻[ mΩ的]

400

300

200

100

环境温度Ta [° C]

環境温度

TA [

℃

]

北部沿海地区[ ℃ ]

VCC [V]的

图9 。 UVLO

临界温度特性

图10 。 N沟道FET导通电阻

温度特性

图11 。 N沟道FET导通电阻

电源特性

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