单芯片型内置式FET开关稳压器
高效率，升压型
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD8311NUV
No.10027ECT03
°说明
ROHM的高效率升压型开关稳压器内置功率MOSFET BD8311NUV产生升压输出
从4节电池，包括8 V或10 V ，电池等Li2cell等或5 V的固定电源线。
该IC可以很容易生产的小和大范围的输出电流，并配备有一个外部线圈/电容器
通过1.2 MHz的灵活的阶段高频率操作，内置2.5 A额定80 mΩ的N沟道FET SW和缩小
薪酬体系在船上。
■特点
1 ）采用N沟道FET能够承受2.5 A / 14 V的
2 ）集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。
3）小线圈和电容器中使用由1.2 MHz的高频率操作
4 ）输入电压3.5 V - 11 V
5 ）输出电流
600毫安（ 3.5 V - 10 V） ，在10 V
800毫安（ 3.5 V - 8 V）在8 V
6 ）采用软启动功能。
7 ）采用定时锁定系统短路保护功能。
8）小至3mm
2
儿子10引脚封装
VSON010V3030
●应用
一般的便携式设备，如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell
“绝对
最大额定值
参数
最大施加电源电压
最大输入电压
最大输入电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
符号
VCC ， LX
SWOUT ， INV
Iinmax
Pd
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
14
14
2.5
700
-25至+85
-55到+150
+150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
°C
* 1当在Ta = 25 ℃，使用以上安装在74.2 × 74.2 × 1.6吨毫米的板，评级由5.6毫瓦/°C的降低。
*以上规格如有变更，恕不预先通知的修改等原因。
“操作
条件（ TA = 25 ° C）
参数
电源电压
输出电压
符号
VCC
VOUT
评级
3.5 11
4.0 11
单位
V
V
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2010.11 - Rev.C
BD8311NUV
°说明
块
1.
VREF
此块产生误差放大器的参考电压。
参考电压为1.0V。
技术说明
2.
UVLO
电路，以防止低电压故障
可以防止在起动电源电压或电源电压低的内部电路的误动作。
监视VCC引脚电压关闭所有输出FET和DC / DC转换器的输出，当VCC电压低于2.9 V，
和复位内部的SCP电路和软启动电路的定时锁存器。这个门槛包含200 mV的迟滞。
SCP
定时锁系统的短路保护电路
当INV脚是一组为1.0V或更低的电压时，内部的SCP电路开始计数。
内部计数器是同步与OSC ; 13.3毫秒计数器的计数值后，时隔锁存电路激活
约16000振荡，然后，关闭DC / DC变换器的输出。
要复位锁存电路，关闭STB引脚一次。然后，再打开或打开电源电压了。
OSC
对于振荡锯齿波电路的工作频率固定在1.2兆赫
误差放大器
误差放大器，用于检测输出信号，并输出PWM控制信号
内部基准电压被设定为1.0V。
200 pF的一个主要的相位补偿装置， 62 kΩ的内置在反相输入端和输出端之间的
这种误差放大器的终端。
PWM COMP
电压 - 脉宽转换器，用于控制对应于输入电压的输出电压
比较与误差放大器输出电压的内部斜率波形， PWM COMP控制脉冲宽度
输出到驱动器。
最大占空比设定为85％。
软启动
电路，用于防止浪涌电流在启动时通过使所述DC / DC变换器的输出电压变换为软启动
软启动时间是同步于所述内部的OSC ，以及DC / DC转换器的输出电压达到设定电压
经过约10000振荡。
预驱动器
CMOS反相器电路，用于驱动所述内置的N沟道场效应晶体管。
STBY_IO
施加电压STB引脚（ 8脚）来控制ON / IC的关
接通时的2.5伏或更高的电压施加和断开时的终端是打开还是施加0V 。
采用了约400 kΩ的上拉下拉电阻。
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10. N沟道FET SW
内置的软件，用于切换DC / DC变换器的线圈的电流。集成了一个80 mΩ的NchFET SW能
承受14 V.
因为这个FET的电流额定值为2.5 A时，应在2.5 A的包括直流电流和纹波电流用
线圈。
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2010.11 - Rev.C
BD8311NUV
参考
数据
（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）
技术说明
1.02
1.02
5.3
5.2
1.01
1.01
INV阈值[V ]
VREG电压[V]的
INV阈值[V ]
5.1
1.00
1.00
5.0
4.9
0.99
0.99
4.8
0.98
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度[ ℃ ]
0.98
0
2
4
6
8
10
12
14
4.7
-40
0
40
80
120
VCC [V]的
温度[ ℃ ]
如图3所示。 INV的阈值温度特性
图4 。 INV门槛电源财产
图5 。 VREG输出温度特性
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
1.4
1.4
1.3
1.3
频率〔MHz〕
1.2
1.1
1.0
频率〔MHz〕
Vreg的[V]的
1.2
1.1
1.0
-40
0
40
80
120
3
6
9
12
15
VCC [V]的
温度[ ℃ ]
VCC [V]的
图6 。 VREG输出电源财产
图7 。 FOSC温度特性
图8 。 FOSC电压特性
3.5
UVLO阈值电压[
Ｖ
]
3.4
3.3
3.2
3.1
3.0
2.9
2.8
2.7
2.6
2.5
-40
-20
0
25
50
85
100 120
北部沿海地区[ ℃ ]
UVLO
发现
UVLO发布
0.25
160
140
120
120
0.20
迟滞电压VHYS [ V]
ヒステリシス電圧
VHYS [V]的
ID=500mA
100
ID=500mA
导通电阻[ mΩ的]
导通电阻[ mΩ的]
80
滞后幅度
0.15
100
80
60
40
20
60
0.10
40
0.05
20
0.00
0
-40
0
40
80
120
0
3
6
9
12
15
北部沿海地区[ ℃ ]
VCC [V]的
图9 。 UVLO
临界温度特性
图10 。 N沟道FET导通电阻
温度特性
图11 。 N沟道FET导通电阻
电源特性
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2010.11 - Rev.C
单芯片型内置式FET开关稳压器系列
高效率，升压型
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD8311NUV
No.09027EBT03
°说明
ROHM的高效率升压型开关稳压器内置功率MOSFET BD8311NUV产生升压输出
从4节电池，包括8 V或10 V ，电池等Li2cell等或5 V的固定电源线。
该IC可以很容易生产的小和大范围的输出电流，并配备有一个外部线圈/电容器
通过1.2 MHz的高频率操作，内置2.5 A额定80 mΩ的N沟道FET SW ，灵活的相位补偿缩小
系统主板。
■特点
1 ）采用N沟道FET能够承受2.5 A / 14 V的
2 ）集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。
3）小线圈和电容器中使用由1.2 MHz的高频率操作
4 ）输入电压3.5 V - 11 V
5 ）输出电流600毫安（ 3.5 V - 10 V） ，在10 V
800毫安（ 3.5 V - 8 V）在8 V
6 ）采用软启动功能。
7 ）采用定时锁定系统短路保护功能。
2
8 ）小至3毫米SON 10引脚封装VSON010V3030
●应用
一般的便携式设备，如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell
“操作
条件（ TA = 25 ° C）
参数
电源电压
输出电压
符号
VCC
VOUT
电压范围
3.5 11
4.0 11
单位
V
V
“绝对
最大额定值
参数
最大施加电源电压
最大输入电压
最大输入电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
符号
VCC ， LX
SWOUT ， INV
Iinmax
Pd
TOPR
TSTG
TJMAX
t
等级
14
14
2.5
700
-25至+85
-55到+150
+150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
°C
* 1当在Ta = 25 ℃，使用以上安装在74.2 × 74.2 × 1.6毫米板，评级由5.6毫瓦/°C的降低。
*以上规格如有变更，恕不预先通知的修改等原因。
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2009.04 - Rev.B的
BD8311NUV
●
块的说明
1.
VREF
此块产生误差放大器的参考电压。
参考电压为1.0V。
技术说明
2. UVLO
电路，以防止低电压故障
可以防止在起动电源电压或电源电压低的内部电路的误动作。
监视VCC引脚电压关闭所有输出FET和DC / DC转换器的输出，当VCC电压低于2.9 V，
和复位内部的SCP电路和软启动电路的定时锁存器。这个门槛包含200 mV的迟滞。
3. SCP
定时锁系统的短路保护电路
当INV脚是一组为1.0V或更低的电压时，内部的SCP电路开始计数。
内部计数器是同步与OSC ; 13.3毫秒计数器的计数值后，时隔锁存电路激活
约16000振荡，然后，关闭DC / DC变换器的输出。
要复位锁存电路，关闭STB引脚一次。然后，再打开或打开电源电压了。
4. OSC
对于振荡锯齿波电路的工作频率固定在1.2兆赫
5.误差放大器
误差放大器，用于检测输出信号，并输出PWM控制信号
内部基准电压被设定为1.0V。
200 pF的一个主要的相位补偿装置， 62 kΩ的内置在反相输入端和输出端之间的
这种误差放大器的终端。
6.
PWM COMP
电压 - 脉宽转换器，用于控制对应于输入电压的输出电压
比较与误差放大器输出电压的内部斜率波形， PWM COMP控制脉冲宽度
输出到驱动器。
最大占空比设定为85％。
软启动
电路，用于防止浪涌电流在启动时通过使所述DC / DC变换器的输出电压变换为软启动
软启动时间是同步于所述内部的OSC ，以及DC / DC转换器的输出电压达到设定电压
经过约10000振荡。
7.
8. PRE DRIVER
CMOS反相器电路，用于驱动所述内置的N沟道场效应晶体管。
9. STBY_IO
施加电压STB引脚（ 8脚）来控制ON / IC的关
接通时的2.5伏或更高的电压施加和断开时的终端是打开还是施加0V 。
采用了约400 kΩ的上拉下拉电阻。
10. N沟道FET SW
内置的软件，用于切换DC / DC变换器的线圈的电流。集成了一个80 mΩ的NchFET SW能
承受14 V.
因为这个FET的电流额定值为2.5 A时，应在2.5 A的包括直流电流和纹波电流用
线圈。
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