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【注意事项
在使用
1.
绝对最大额定值
我们很小心，有关此IC的质量控制。因此，有在正常运行没有问题，但不包括超过绝对最大额定值。
但是，绝对最大额定值，如印象深刻的电压或工作温度范围超出时该IC可能被破坏，以及是否
破坏是短路模式或开路模式，不能进行指定。请考虑物理对策的安全，如融合，如果一个
超过绝对最大额定值的特定模式是假定的。
2.
极性反接
连接电源线到IC中的相反极性（从推荐）将损坏的部分。请利用方向保护装置中的一个二极管
供给线和电机线圈线。
3.
电源线
因退货再生电流通过反向电动势，通过电解和陶瓷抑制滤波电容（ 0.1μF ）靠近IC电源输入
端子（ Vcc和GND）的建议。请注意，在较低温度下的电解电容器的值减小，并且检查到dispensephysical措施
为了安全。
4.
GND线
请保持接地线[ GND （ 10PIN ）
SPGND （ 25针） ，地线（ 30PIN ） ， PREGND （ 39pin ） ， SUBGND （ 40PIN ）
最低电位始终，并检查接地电压时，
瞬态电压被连接到IC 。
5.
热设计
不超过在实际操作封装规格等级的功耗（PD ）和请设计足够的温度余量。本产品具有
露出的帧到封装的背面侧，但请注意到，假定由该部件的热辐射，以使用热辐射效率。请拿
热辐射图案在所述基板的，不仅表面，而且在衬底的背面广泛。
6.
终端与错之间安装短路模式
不要安装IC在错误的方向和位移，并小心将电源连接器的反向连接。此外，该集成电路可以是
销毁时，灰尘很短他们或GND之间的终端。
7.
8.
9.
辐射
强电磁辐射可能会导致操作失败。
ASO （安全操作区）
不要超过最大ASO和输出驱动器的绝对最大额定值。
TSD （热关闭）
当结温（Tj ）超过TJMAX在TSD被激活，而输出端被切换到OPEN 。
保障和保护套都没有用。因此，请不要使用此IC TSD电路工作后，也用它来假设操作TSD
电路。
10.
输出与GND之间的电容
如果一个大的电容器被连接在输出和GND之间，该IC可能当Vcc变为0V或GND被破坏，由于电荷累积在
电容器流至输出。请说的电容设定为小于0.1μF小。
11.
检验所集电路板
该应力可能会挂起到集成电路的电容器连接到低阻抗的终端。然后，请在每个和所有过程排放的电力。此外，当
安装或夹具在检查过程中脱落，请关闭电源安装IC前和安装后的IC导通，反之亦然。此外，
请考虑对策静电破坏，如给予地球在装配过程中，运输或保存。
12.
输入端子
该IC是单片集成电路，且具有P
+
隔离和P衬底的元件分离。因此，寄生PN结坚挺每一这个P层和N层
元素。例如，电阻器或晶体管是连接到所述终端，如下面的图所示。当接地电压电势大于该电压
在终端A上的电阻器，在终端B上的晶体管的潜力，在PN结作为一个寄生二极管。此外，寄生NPN晶体管形成在
所述寄生二极管和N层附近的周围元件的所述寄生二极管。
这些寄生元件由于电压关系形成在IC上。寄生元件操作使电路操作的干扰，则
错误操作和破坏。因此，请小心，以免被打动的输入端电压低于GND经营寄生元件（P
基板） 。请不要电压并不适用于输入端，当电源电压不留下深刻的印象。此外，请打动每个输入端低
比电源电压或等于在保证电压在规定范围时，电源电压被压印。
电阻器
终端-A
终端-A
终端-B的
C
B
E
B
P
+
P
+
寄生
元素
P
+
C
E
P
P
+
周围
分子
寄生
元素
GND
寄生
元素
GND
寄生
元素
GND
GND
晶体管（ NPN ）
终端-B的
P
p衬底
p衬底
IC简化结构
13.
地球布线图案
如果小信号GND和大电流接地存在，分散他们的模式。此外，对于通过图案布线阻抗及大电流的电压变化不改变
小信号GND的电压时， IC的各个接地端子必须在一个点上的一组电路板来连接。作为用于外部元件的GND ，它是类似于
上述。
14.
反向旋转制动
在由高速旋转的反向旋转的制动的情况下，要注意好反向电动势。此外，全面检查输出电流，并考虑
转数施加到反向旋转制动器。
15.
关于SPVM和保护地之间的电容
SPVM和PGND之间的电容器吸收在陡峭的电压变化和电流的PWM驱动的原因，作为其结果，有一定的作用，抑制
障碍SPVM电压。然而，其效果落在由布线阻抗等的影响下，如果电容器变得远离集成电路。请检查电容器
SPVM和PGND之间安排它靠近IC 。
REV 。一
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