【1/4结构产品系列硅单片集成电路低ESR电容，1A低压差稳压器ＢＤ８０Ｃ０ＡＦＰＳ输出电流： 1A高】,IC型号BD80C0AFPS,BD80C0AFPS PDF资料,BD80C0AFPS经销商,ic,电子元器件-51电子网

1/4

结构

产品系列

硅单片集成电路

低ESR电容，

1A低压差稳压器

ＢＤ８０Ｃ０ＡＦＰＳ

输出电流： 1A

高输出电压精度：

±1％

高输入电压： 35V

TYPE

特点

“绝对

最大额定值（Ta = 25℃）

参数

符号

范围

单位

电源电压

※1

VCC

-0.3½+35.0

功耗

※2

1.2

工作温度范围

TOPR

-40½+105

℃

存储温度范围

TSTG

-55½+150

℃

最高结温

TJMAX

150

℃

※1

不超过钯。

※2

由9.6MW减少/ ℃， TA = 25° C，安装在玻璃环氧树脂板时： 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米。

“操作

CONDITIONS（Ta=25℃）

参数

电源电压

输出电流

符号

VCC

分钟。

9.0

马克斯。

25.0

1.0

单位

Ｖ

注：本产品并非设计用于防止放射性射线。

REV 。一

2/4

ⅵELECTRICAL

特征

（除非

另有规定， TA = 25 ℃ ， VCC = 13V ，木卫一= 0毫安）

参数

偏置电流

输出电压

输入输出电压差

纹波抑制

线路调整

负载调整率

温度COEF网络cient

输出电压

※1

EIN ：输入电压纹波

符号

“ VD

R.R.

Reg.I

Reg.L

Tcvo.1

Tcvo.2

极限

分钟。

－

7.92

－

典型值。

0.6

8.00

0.3

Vo×0.010

+0.04

±0.005

马克斯。

1.0

8.08

0.5

－

Vo×0.015

－

单位

％/℃

Io=500mA

VCC =武× 0.95 ，木卫一= 500毫安

f=120Hz,ein

※

=1Vrms,

Io=100mA

Vcc=9→25V

Io=5mA→1A

Io=5mA,Tj=-40½-20℃

Io=5mA,Tj=-20½+105℃

条件

●物理

尺寸，标记

记号

８０Ｃ０Ａ

Lot.No.

TO252S-3

（单位

: mm）

REV 。一

3/4

○

框图

GND

鳍

○

引脚数

引脚名称

引脚数

VREF

：带隙

参考

OCP

\u003c OVER

电流保护电路

TSD

热

关机电路

司机

“权力

晶体管驱动器

引脚名称

功能

电源引脚

北卡罗来纳州引脚

输出引脚

VCC

北卡罗来纳州

GND

VREF

司机

OCP

TSD

鳍

GND

VCC

北卡罗来纳州

操作

笔记

1.绝对最大额定值

超过绝对最大额定值（例如，输入电压或者工作温度范围），使用IC可能导致损坏

IC 。假设不应该作出关于集成电路（例如，短模式或打开模式）时，例如遭受损害的状态。如果

业务价值预计将超过该设备的最大额定值，可以考虑增加保护电路（如保险丝），以

消除损坏IC的风险。

在这些规范中描述2.电气特性可能会发生变化，这取决于温度，电源电压，外部电路和

其他条件。因此，一定要检查所有相关因素，包括瞬态特性。

3.GND潜力

GND端子的电位必须在所有工作条件下在系统中的最小电势。确保没有管脚的电压

下面的GND在任何时候，无论瞬态特性。

4.Ground布线图案

当同时使用小信号和大电流接地痕迹，两个接地线应分开走线，但连接到一个单一的

为了避免偏差所造成的大电流小信号地在应用程序内的地电位。还要确保

外部元件的接地痕迹不会引起变异的接地电压。电源线和接地线必须尽可能短而粗

尽可能地减少线路阻抗。

5.Inter脚短裤和安装错误

定向和定位的IC，适用于安装在印刷电路板时要小心。安装不当可能会损坏

该IC 。之间的输出引脚或输出引脚和电源或GND引脚之间的短路（通过焊接不良或外国引起

对象）可能会导致损坏IC 。

6.Operation在强电磁场

在强电磁场使用本产品可能会造成IC误动作。应注意在应用中强烈的行使

电磁场可以存在。

7.Testing应用板

当测试的集成电路上的应用程序板，电容器直接连接到低阻抗针可能使IC产生应力。

完全每个过程或步骤后，请务必放电电容。该IC的电源应始终被彻底关闭

前连接或从在评价过程中的夹具或固定装置中取出。为防止静电放电，损坏地面

在组装过程中的集成电路和使用的运输和储存过程中类似的预防措施。

8.Thermal考虑

使用热设计，允许足够的余量在光的钯在实际操作条件。

认为电脑不超过实际工作条件下钯。

（ ≧钯PC）

TJMAX ：最高结温= 150 ℃以下，Ta：周边温度[ ℃ ]

θJA

：包的氛围[ ℃ / W]的热阻， PD：封装功耗[W] ，

邮编：功耗[W] ， VCC：输入电压VO ：输出电压， IO：负载，IB ：偏置电流

封装功耗：钯（W ） = （ TJMAX - 钽） / θJA

功耗

：PC （W ） = （VCC - VO） × IO +的Vcc ×磅

9.Vcc销

Insert a capacitor（capacitor≧1μF½） between the Vcc and GND pins. The appropriate capacitance value varies by application. Be

一定要允许有足够余量为输入电压电平。

REV 。一

4/4

10.输出引脚

有必要将每个输出端子和GND为了防止振荡，在输出端之间的电容器。可使用的电容值

范围从1μF至1000μF 。陶瓷电容器可以，只要他们的ESR值足够低，以防止振荡使用（ 0.001Ω

到20Ω ）。在输入电压和负载条件的突然波动会影响输出电压。输出电容值应

只有通过实际应用的足够的测试来确定。

11.Over电流保护电路（OCP）

该集成电路集成了操作按照额定输出容量的集成过电流保护电路。该电路

用于保护集成电路不受损坏，当负载变为短路。它也被设计来限制输出电流（不闭锁）在

事件从一个大的电容器或其他元件的大和瞬时电流流动。这些保护电路可有效地

防止损坏，由于突然和意外事故的发生。然而，该IC不应该在其特征在于，所述应用程序中使用

该保护电路的连续或传递操作。

12.Thermal保护电路（ TSD ）

该IC集成了内置热关断电路，其目的是把IC完全关闭在热过载的情况下。

它的目的不是要保护IC免受损坏或保证其运行。集成电路应此功能后，不能使用已激活，或

在应用中，假定其中这个电路的操作。

13.Applications或检验工序，其中Vcc管脚或其它引脚的电势可以从它们的正常状态反转可

会损坏集成电路的内部电路或元件。使用1000μF的一个输出管脚电容或低的情况下的Vcc短路用

GND引脚而外部电容充电。插入一个二极管串联的Vcc ，以防止反向电流流过，或插入旁路

Vcc和各销之间的二极管。

14.Positive浪涌电压VCC引脚上

功率齐纳二极管应该VCC和GND之间插入用于防止超过35V的VCC电压浪涌

引脚。

15.Negative浪涌电压VCC引脚上

肖特基势垒二极管应该VCC和GND之间插入的VCC引脚较低的保护，防止电压比GND 。

16.输出保护二极管

负荷大的电感组件可能会导致启动或关闭时的反向电流。

二极管应该插入到保护IC的输出。

在这种情况下，保护

17.Regarding IC的输入引脚

这种单片IC含有以保持它们分离的相邻元件之间的P +隔离和P衬底的层。 PN

结形成于与其他元素的N个层，这些层P的交点，产生寄生二极管和/或晶体管。

例如（参见下图）：

当

GND >销A和GND >针B ， PN结作为一个寄生二极管

当

GND >针B ， PN结作为一个寄生晶体管

寄生二极管发生不可避免地在IC的结构，这些寄生二极管的动作可能会导致相互干扰

其中电路，操作故障，或身体伤害。因此，导致这些二极管的条件下操作，比如应用

应避免电压比接地电压低到一个输入引脚（并因此到P衬底）。

电阻器

（引脚A）

（引脚B）

晶体管（ NPN ）

（引脚B）

GND

寄生元件

或晶体管

P+

寄生元件

GND

P+

P型衬底

寄生元件

或晶体管

GND

（引脚A）

寄生元件

简单的单片IC架构的示例

REV 。一

通告

笔记

没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不

ROHM有限公司的同意。

此规定的内容如有变更，恕不另行通知。

这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中

"Products" ）。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含

示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。

但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害

信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。

本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和

为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或

隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益

其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷

使用这样的技术信息。

本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子

设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备）。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外

范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中

可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗

仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置）。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何

这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。

如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可

根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求

获得许可或根据法律允许。

感谢您的访问，以ROHM的产品信息。

更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。

ROHM的客户支持系统

http://www.rohm.com/contact/

www.rohm.com

R0039A

标准LDO稳压器

标准固定输出

LDO稳压器

BD80C0AFPS,BD90C0AFPS

No.10021EAT02

°说明

该BD80C0AFPS ， BD90C0AFPS是低饱和度调节器。此集成电路有一个内置的过电流保护电路，其

防止了集成电路的破坏，由于输出短路，并能够保护IC免受热的热关断电路

伤害因超载。

■特点

1 ）输出电流： 1A

2 ）输出电压： 8.0V / 9.0V

3）高输出电压精度：

±1%

4 ）低饱和与PDMOS输出

5）内置的过电流，防止电路损坏，由于输出短路保护电路

6 ）内置热关断电路保护IC免受热损伤，因超载

7 ）低ESR电容

8 ） TO252S - 3封装

■应用

视听设备，平板显示器，电视机，个人计算机或任何其他消费电子设备

“绝对

最大额定值（Ta = 25℃）

参数

电源电压

功耗

存储温度范围

最高结温

符号

TOPR

TSTG

TJMAX

评级

-0.3 ~ +35.0

1.2

-40 ~ +105

-55 ~ +150

+150

单位

℃

工作温度范围

* 1不超过钯。

* 2 TO252S - 3： 9.6MW减少/ ℃， TA = 25° C，安装在玻璃环氧树脂板时： 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米。

注：本产品并非设计用于防止放射性射线。

“操作

条件（ TA = 25 ℃ ）

■BD80C0AFPS

参数

电源电压

输出电流

■BD90C0AFPS

参数

电源电压

输出电流

符号

VCC

分钟。

10.0

马克斯。

25.0

1.0

单位

符号

分钟。

9.0

马克斯。

25.0

1.0

单位

www.rohm.com

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2010.11 - Rev.A的

BD80C0AFPS,BD90C0AFPS

ⅵELECTRICAL

特征

■BD80C0AFPS

（除非另有说明， TA = 25 ℃ ， VCC = 13V ，木卫一= 0毫安）

参数

偏置电流

输出电压

输入输出电压差

纹波抑制

线路调整

负载调整率

温度COEF网络cient

输出电压

EIN ：输入电压纹波

技术说明

符号

“ VD

R.R.

Reg.I

Reg.L

Tcvo.1

Tcvo.2

民

－

7.92

－

典型值

0.6

8.00

0.3

最大

1.0

8.08

0.5

－

单位

%/℃

条件

Io=500mA

=武× 0.95 ，木卫一= 500毫安

F = 120Hz时， EIN = 1VRMS ，

Io=100mA

=9→25V

Io=5mA→1A

IO = 5毫安， TJ = -40 -20 ℃

IO = 5毫安， TJ = -20 + 105 ℃

VO × 0.010 ×武0.015

+0.04

±0.005

－

■BD90C0AFPS

（除非另有说明， TA = 25 ℃ ， VCC = 14V ，木卫一= 0毫安）

参数

偏置电流

输出电压

输入输出电压差

纹波抑制

线路调整

负载调整率

温度COEF网络cient

输出电压

EIN ：输入电压纹波

符号

“ VD

R.R.

Reg.I

Reg.L

Tcvo.1

Tcvo.2

民

－

8.91

－

典型值

0.6

9.00

0.3

最大

1.0

9.09

0.5

－

单位

%/℃

条件

Io=500mA

VCC =武× 0.95 ，木卫一= 500毫安

f=120Hz,ein*1=1Vrms,

Io=100mA

VCC=10→25V

Io=5mA→1A

IO = 5毫安， TJ = -40 -20 ℃

IO = 5毫安， TJ = -20 + 105 ℃

VO × 0.010 ×武0.015

+0.04

±0.005

－

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2010.11 - Rev.A的

BD80C0AFPS,BD90C0AFPS

ⅵELECTRICAL

特性曲线（参考数据）

BD80C0AFPS （除非另有说明， TA = 25 ℃ ， VCC = 13V ，木卫一= 0毫安）

1.0

技术说明

输出电压：武[ V]

短路电流：IB [马]

输出电压：武[ V]

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0 2 4 6

8 10 12 14 16 18 20 22 24

电源电压： VCC [ V]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

电源电压： VCC [ V]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

电源电压： VCC [ V]

图1电路电流

图2线路调整

(Io=0mA)

600

压差电压：

VD [毫伏]

500

400

300

200

100

图3线路调整

(Io=500mA)

纹波抑制率： R.R. [分贝]

输出电压：武[ V]

400

800

1200

1600

2000

输出电流：我

[马]

200

400

600

800

输出电流：木卫一[马]

1000

100

1000 10000 100000 1000000

频率：频率[Hz ]

图4负载调整

图5电压差

(Vcc=Vo×0.95V)

(lo=0mA→1000mA)

1.0

图6纹波抑制

（IO = 100毫安）

输出电压：武[ V]

-40

放大电路电流：IB [马]

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-20

100

环境温度：钽

[℃]

200

400

600

800

输出电流：木卫一[马]

1000

130

140

150

160

170

180

190

环境温度：钽[

℃

]

图7输出电压

温度特性

图8电路电流

（ LO = 0毫安→千毫安）

图9热关断

电路特性

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2010.11 - Rev.A的

BD80C0AFPS,BD90C0AFPS

ⅵELECTRICAL

特性曲线（参考数据）

BD90C0AFPS （除非另有说明， TA = 25 ℃ ， VCC = 14V ，木卫一= 0毫安）

1.0

短路电流：IB [马]

技术说明

输出电压：武[ V]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

电源电压： VCC [ V]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

电源电压： VCC [ V]

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

电源电压： VCC [ V]

图10电路电流

图11线路调整

(Io=0mA)

600

压差电压：

VD [毫伏]

纹波抑制： R.R. [分贝]

500

400

300

200

100

200

400

600

800

输出电流： [马]

1000

图12线路调整

(Io=500mA)

输出电压：武[ V]

400

800

1200

1600

2000

输出电流： IO [马]

100

1000

10000 100000 1000000

频率：频率[Hz ]

图13负载调节

图14输入输出电压差

(Vcc=Vo×0.95V)

(lo=0mA→1000mA)

1.0

短路电流：IB [马]

输出电压：武[ V]

图15纹波抑制

(Io=100mA)

输出电压：武[ V]

-40

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-20

100

环境温度：钽[ ℃ ]

200

400

600

800

输出电流：木卫一[马]

1000

130

140

150

160

170

180

环境温度：钽[

℃

]

190

图16输出电压

温度特性

图17电路电流

（ LO = 0毫安→千毫安）

图18热关断

电路特性

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2010.11 - Rev.A的

BD80C0AFPS,BD90C0AFPS

●BD80C0AFPS,

BD90C0AFPS

测量电路的参考数据

技术说明

VCC

GND

VCC

GND

VCC

GND

500mA

图1和图10的测量电路

图2的测量电路

和

Fig.11

图3的测量电路

和

Fig.12

VCC

GND

VCC

GND

1Vrms

VCC

GND

100mA

图4的测量电路

和

Fig.13

图5所示的测量电路

和

Fig.14

图6的测量电路

和

Fig.15

VCC

GND

VCC

GND

VCC

GND

图7测量电路

和

Fig.16

图8的测量电路

和

Fig.17

图9所示的测量电路

和

Fig.18

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2010.11 - Rev.A的