摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BD789 / D
互补硅塑
功率晶体管
。 。 。专为低功率音频放大器和低电流，高速开关
应用程序。
高集电极发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 80伏直流（最小值） - BD789 ， BD790
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - BD791 ， BD792
高直流电流增益@ IC = 200 MADC
的hFE = 40-250
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 0.5伏（最大） @ IC = 500 MADC
高电流增益 - 带宽积 -
FT = 40兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC ）
*最大额定值
等级
BD789
BD791*
PNP
BD790
BD792*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
4安培
功率晶体管
补充
硅
80 ， 100伏
15瓦
TC
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
BD789
BD790
80
80
BD791
BD792
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
VEBO
IC
IB
6.0
4.0
8.0
1.0
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
PD
15
0.12
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
CASE 77-08
TO- 225AA型
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
16
8.34
_
C / W
1.6
TA
PD ，功耗（瓦）
12
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
0
20
40
60
100
120
80
T，温度（ ° C）
140
0
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
第七版
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
BD789 BD791 BD790 BD792
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
小信号电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IC = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
基射极电压上（IC = 200 MADC ， VCE = 3.0 V直流）
基射极饱和电压（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 100 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 800 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 3 0伏）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 100伏， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 40 VDC ， VBE （关闭） = 1 5 VDC ， TC = 125
_
C)
（ VCE = 50伏直流电， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 125
_
C)
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+ 11 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复型，如
MBR340上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
25
s
v
RB
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
图2.开关时间测试电路
v
51
[
[
特征
–4V
D1
+ 30 V
VCC
v
2.0%.
RC
范围
BD789 ， BD790
BD791 ， BD792
BD789 ， BD790
BD791 ， BD792
BD789 ， BD791
BD790 ， BD792
BD789 ， BD790
BD791 ， BD792
BD789 ， BD790
BD791 ， BD792
100
300
200
500
10
7.0
5.0
0.04
30
20
70
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.06 0.1
BD789 ， 791 （ NPN ）
BD790 ， 792 （ PNP ）
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
1.0
0.2
0.4 0.6
IC ，集电极电流（ AMP ）
符号
ICEO
IEBO
ICEX
COB
的hFE
的hFE
fT
民
80
100
40
20
10
5.0
10
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
250
—
—
—
100
100
1.5
1.8
0.5
1.0
2.5
3.0
1.0
1.0
1.0
0.1
0.1
50
70
—
—
—
—
图3.开启时间
TD @ VBE （关闭） = 5.0 V
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
2.0
tr
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
4.0
BD789 BD791 BD790 BD792
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P（ PK）
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC （T ）
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
t1
t2
占空比D = T1 / T2
5.0
10
图4.热响应
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
1.0
0.5
TJ = 150℃
5.0毫秒
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
BD789 （ NPN ） BD790 （ PNP ）
BD791 （ NPN ） BD792 （ PNP ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50 70 100
20 30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
dc
100
s
1.0毫秒
500
s
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
C：是TC
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
2000
1000
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
0.04 0.06
BD789 ， 791 （ NPN ）
BD790 ， 792 （ PNP ）
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
200
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
兴业银行
tf
30
20
10
1.0
2.0
BD789 ， 791 （ NPN ）
BD790 ， 792 （ PNP ）
COB
3.0
5.0 7.0
10 20 30
VR ，反向电压（伏）
50
70 100
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BD791 / D
NPN硅塑料功率
晶体管
。 。 。专为低功率音频放大器和低电流，高速开关
应用程序。
高集电极发射极耐受电压 -
VCEO （ SUS） = 100伏直流（最小值）
高直流电流增益@ IC = 200 MADC
的hFE = 40-250
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 0.5伏（最大） @ IC = 500 MADC
高电流增益 - 带宽积 -
FT = 40兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC ）
BD791
摩托罗拉的首选设备
4安培
功率晶体管
硅
100伏
15瓦
TC
PD ，功耗（瓦）
*最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
最大
100
100
6.0
4.0
8.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
VEBO
IC
IB
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
PD
15
0.12
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
CASE 77-09
TO- 225AA型
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
16
8.34
_
C / W
1.6
TA
PD ，功耗（瓦）
12
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
0
20
40
60
80
100
120
T，温度（ ° C）
140
0
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
BD791
T， TIME （ NS ）
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
ICEO
ICEX
VDC
100
—
—
—
—
—
μAdc
100
1.0
0.1
1.0
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 100伏， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 50伏直流电， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 125
_
C)
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
μAdc
MADC
μAdc
IEBO
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 3 0伏）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
的hFE
—
40
20
10
5.0
250
—
—
—
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 100 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 800 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
—
—
—
—
—
—
0.5
1.0
2.5
3.0
1.8
1.5
基射极饱和电压（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
基射极电压上（IC = 200 MADC ， VCE = 3.0 V直流）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IC = 0 ， F = 0.1兆赫）
fT
40
—
兆赫
pF
—
COB
的hFE
—
50
—
小信号电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
10
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
v
v
2.0%.
25
s
+ 11 V
0
– 9.0 V
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
RB
+ 30 V
VCC
RC
范围
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.04
tr
TD @ VBE （关闭） = 5.0 V
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
v
51
–4V
D1
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复型，如
MBR340上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
[
[
0.06 0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
BD791
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P（ PK）
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC （T ）
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
t1
t2
占空比D = T1 / T2
5.0
10
图4.热响应
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
1.0
0.5
TJ = 150℃
5.0毫秒
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
dc
100
s
1.0毫秒
500
s
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50 70 100
20 30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
C：是TC
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
2000
1000
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
0.04 0.06
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
200
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
兴业银行
tf
30
20
COB
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10 20 30
VR ，反向电压（伏）
50
70 100
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
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