TA
PD ，功耗（瓦）
低集电极发射极耐受电压 -
VCEO （ SUS） 60 VDC （最小值） - BD787 ， BD788
高电流增益 - 带宽积 -
FT = 50兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
集电极 - 发射极饱和电压规定为0.5 ， 1.0 ， 2.0和4.0 ADC
。 。 。专为低功率音频放大器和低电流，高速开关
应用程序。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
互补硅塑
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
TC
PD ，功耗（瓦）
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流 - 连续
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
4.0
8.0
12
16
0
20
40
符号
符号
TJ ， TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
R
θJC
PD
IC
IB
图1.功率降额
60
T，温度（ ° C）
80
- 65至+ 150
BD787
BD788
8.34
最大
15
0.12
1.0
4.0
8.0
6.0
100
80
60
120
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
140
0
160
0.4
0.8
1.2
1.6
4安培
功率晶体管
补充
硅
60伏特
15瓦
BD787
PNP
BD788
CASE 77-08
TO- 225AA型
订购此文件
通过BD787 / D
NPN
1
BD787 BD788
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
300
s,
占空比
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
小信号电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IC = 0 ）
（ F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
基射极饱和电压
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 100 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 800 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 40 VDC ， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 125°C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 20伏直流电， IB = 0 ）
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+ 11 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
25
s
v
RB
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
图2.开关时间测试电路
v
51
[
[
特征
–4V
D1
+ 30 V
VCC
v
2.0%.
RC
范围
BD787
BD788
100
200
300
500
10
7.0
5.0
0.04 0.06
30
20
70
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TD @ VBE （关闭） = 5.0 V
0.1
BD787 （ NPN ）
BD788 （ PNP ）
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
1.0
0.2
0.4 0.6
IC ，集电极电流（ AMP ）
ICEO
IEBO
ICEX
COB
的hFE
的hFE
fT
tr
民
40
25
20
5.0
10
50
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
250
—
—
—
100
1.8
2.0
0.4
0.6
0.8
2.5
1.0
1.0
0.1
50
70
—
—
—
图3.开启时间
VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
2.0
pF
—
—
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
4.0
BD787 BD788
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P（ PK）
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC （T ）
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
t1
t2
占空比D = T1 / T2
5.0
10
图4.热响应
10
1.0毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1
5.0毫秒
TJ = 150℃
dc
100
s
500
s
0.05
0.02
0.01
1.0
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
BD787 （ NPN ） BD788 （ PNP ）
60 V
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
C：是TC
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50 70 100
20 30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.活动区的安全工作区
2000
1000
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
0.04 0.06
tf
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
200
TJ = 25°C
100
C，电容（pF ）
兴业银行
70
50
30
20
（ NPN ）
（ PNP）
0.1
0.4 0.6
0.2
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
10
1.0
（ NPN ）
（ PNP）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
VR ，反向电压（伏）
50
70 100
COB
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD787 - NPN ， BD788 - PNP
塑料互补
硅功率晶体管
这些器件是专为低功耗音频放大器和
低电流，高速开关应用。
特点
http://onsemi.com
低集电极发射极耐受电压 - V
CEO （ SUS ）
60 VDC （最小值）
高电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 50兆赫（最小值） @我
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极饱和电压规定为0.5 ， 1.0 ， 2.0和
4.0 ADC
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
首席执行官
价值
60
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
4安培
功率晶体管
其他芯片
60伏， 15瓦
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
6.0
4.0
8.0
1.0
- 连续
- 山顶
- 连续
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
15
0.12
W
毫瓦/°C的
_C
T
J
, T
英镑
-65到+150
TO225
CASE 77
风格1
3
2 1
标记图
热特性
特征
符号
R
QJC
最大
单位
热阻，结到外壳
8.34
° C / W
YWW
BD78xG
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
Y
=年
WW
=工作周
BD78x =器件代码
X = 7或8的
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
BD787
BD787G
BD788
BD788G
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
包
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月， - 11牧师
出版订单号：
BD787/D
*表示JEDEC注册的数据
1.脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性*
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
小信号电流增益
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
（ F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 10兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
基射极饱和电压
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 100 MADC ）
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 800 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 40 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125°C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 20伏直流，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
特征
BD787 - NPN ， BD788 - PNP
http://onsemi.com
BD787
BD788
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
C
ob
h
FE
h
fe
f
T
民
40
25
20
5.0
10
50
60
最大
250
100
1.8
2.0
0.4
0.6
0.8
2.5
1.0
1.0
0.1
50
70
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
2
BD787 - NPN ， BD788 - PNP
16
TC
PD ，功耗（瓦）
1.6
TA
PD ，功耗（瓦）
12
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
0
20
40
60
80
100
120
140
0
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
+ 30 V
V
CC
25
ms
+ 11 V
0
9.0 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
R
B
51
4V
D
1
R
C
范围
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 5.0 V
BD787 （ NPN ）
BD788 （ PNP ）
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
10
7.0
5.0
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.34 ° C / W MAX
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC （T ）
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
0.05
0.1
图4.热响应
http://onsemi.com
3
BD787 - NPN ， BD788 - PNP
10
1.0毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1
5.0毫秒
T
J
= 150°C
dc
100
ms
500
ms
0.05
0.02
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD787 （ NPN ） BD788 （ PNP ）
60 V
0.01
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ：T已
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C ，T
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区的安全工作区
2000
1000
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
0.04 0.06
t
f
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
C
ib
70
50
30
20
（ NPN ）
（ PNP）
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
10
1.0
（ NPN ）
（ PNP）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
V
R
，反向电压（伏）
50
70 100
C
ob
图6.开启，关闭时间
图7.电容
NPN
BD787
400
300
的hFE ， DC电流增益
200
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 3.0 V
的hFE ， DC电流增益
200
NPN
BD788
100
70
50
30
20
T
J
= 150°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 3.0 V
100
70
50
30
20
0.04 0.06
0.1
55
°C
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
10
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图8.直流电流增益
http://onsemi.com
4
BD787 - NPN ， BD788 - PNP
2.0
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.6
2.0
T
J
= 25°C
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 3.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.8
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+2.5
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.04 0.06
0.1
0.2
q
VB
对于V
BE
- 55 ° C至25°C时
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
25 ℃150 ℃的
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
q
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
2.5
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10.温度系数
http://onsemi.com
5
TA
PD ，功耗（瓦）
低集电极发射极耐受电压 -
VCEO （ SUS） 60 VDC （最小值） - BD787 ， BD788
高电流增益 - 带宽积 -
FT = 50兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
集电极 - 发射极饱和电压规定为0.5 ， 1.0 ， 2.0和4.0 ADC
。 。 。专为低功率音频放大器和低电流，高速开关
应用程序。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
互补硅塑
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
TC
PD ，功耗（瓦）
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流 - 连续
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
4.0
8.0
12
16
0
20
40
符号
符号
TJ ， TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
R
θJC
PD
IC
IB
图1.功率降额
60
T，温度（ ° C）
80
- 65至+ 150
BD787
BD788
8.34
最大
15
0.12
1.0
4.0
8.0
6.0
100
80
60
120
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
140
0
160
0.4
0.8
1.2
1.6
4安培
功率晶体管
补充
硅
60伏特
15瓦
BD787
PNP
BD788
CASE 77-08
TO- 225AA型
订购此文件
通过BD787 / D
NPN
1
BD787 BD788
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
300
s,
占空比
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
小信号电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IC = 0 ）
（ F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
基射极饱和电压
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 100 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 800 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 200 MADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 40 VDC ， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 125°C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 20伏直流电， IB = 0 ）
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+ 11 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
25
s
v
RB
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
图2.开关时间测试电路
v
51
[
[
特征
–4V
D1
+ 30 V
VCC
v
2.0%.
RC
范围
BD787
BD788
100
200
300
500
10
7.0
5.0
0.04 0.06
30
20
70
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TD @ VBE （关闭） = 5.0 V
0.1
BD787 （ NPN ）
BD788 （ PNP ）
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
1.0
0.2
0.4 0.6
IC ，集电极电流（ AMP ）
ICEO
IEBO
ICEX
COB
的hFE
的hFE
fT
tr
民
40
25
20
5.0
10
50
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
250
—
—
—
100
1.8
2.0
0.4
0.6
0.8
2.5
1.0
1.0
0.1
50
70
—
—
—
图3.开启时间
VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
2.0
pF
—
—
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
4.0
BD787 BD788
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P（ PK）
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC （T ）
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
t1
t2
占空比D = T1 / T2
5.0
10
图4.热响应
10
1.0毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1
5.0毫秒
TJ = 150℃
dc
100
s
500
s
0.05
0.02
0.01
1.0
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
BD787 （ NPN ） BD788 （ PNP ）
60 V
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
C：是TC
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50 70 100
20 30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.活动区的安全工作区
2000
1000
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
0.04 0.06
tf
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
200
TJ = 25°C
100
C，电容（pF ）
兴业银行
70
50
30
20
（ NPN ）
（ PNP）
0.1
0.4 0.6
0.2
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
10
1.0
（ NPN ）
（ PNP）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
VR ，反向电压（伏）
50
70 100
COB
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
QQ：2881677436 复制
